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本发明公开了一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质，涉及半导体技术领域。方法包括：获取预设的采样参数；其中，所述采样参数用于表征量测套刻误差时需要采样的曝光场的数量；确定晶圆中不同曝光场之间的几何位置分布特征；基于所述...
该专利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院授权不得商用。

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