一种闪存控制器、闪存控制系统及闪存控制方法技术方案

本申请公开了一种闪存控制器，包括：基于ONFI协议，用于发送和接收数据的设备模组ONFI PHY，ONFI PHY包括：训练调试模块ONFI PHY TEST和物理接口ONFI PHY TOP；其中：ONFI PHY TEST用于实现NAND Flash训练调试；ONFI PHY TOP用于实现与NAND Flash进行交互。本申请在闪存控制器内部设置了NAND Flash训练调试的硬件逻辑电路，以类似于模板的形式存入了训练调试需要输入的指令和地址，固件只需访问闪存控制器内部相应寄存器即可开始对应的训练调试，简化固件适配颗粒时的开发调试难度。简化固件适配颗粒时的开发调试难度。简化固件适配颗粒时的开发调试难度。

【技术实现步骤摘要】
一种闪存控制器、闪存控制系统及闪存控制方法


[0001]本申请涉及DDR(Double Data Rate，双边沿数据传输)内存数据读写
，尤其涉及一种闪存控制器、闪存控制系统及闪存控制方法。

技术介绍

[0002]目前，NAND Flash接口协议普遍有两种：ONFI协议和Toggle协议。随着协议标准的持续迭代，对于传输速率的要求也逐渐提高。DDR即是在此环境下所产生的新的数据采样模式，不同于先前的SDR(Single Data Rate，单边沿数据传输)时序电路只在同步时钟的上升沿进行采样，DDR方式会在DQS的上升沿和下降沿均进行数据传输，这一方式大幅提升了NAND Flash的数据传输速度。
[0003]但随之带来的是电路中各交互信号的同步问题。以DQS为例，在进行NAND Flash读操作时，DQS由NAND Flash返回给Host主机，与NAND Flash PHY时钟为异步关系，即相位关系不确定，因此实现读DQS的正确采样便成为了一个问题。为了消除(或补偿)这之间的相位差异，在现有技术中，通常会引入DDL(Dig本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存控制器，其特征在于，包括：基于ONFI协议，用于发送和接收数据的设备模组ONFI PHY，所述ONFI PHY包括：训练调试模块ONFI PHY TEST和物理接口ONFI PHY TOP；其中：所述ONFI PHY TEST用于实现NAND Flash训练调试；所述ONFI PHY TOP用于实现与NAND Flash进行交互。2.根据权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述训练调试模块ONFI PHY TEST包括：Read ID单元和ONFI PHY I/F模块；其中：所述Read ID单元用于根据接收到的读写信号执行Read ID流程；所述ONFI PHY I/F模块用于将Read ID流程的执行结果输出至所述NAND Flash。3.根据权利要求2所述的闪存控制器，其特征在于，所述训练调试模块ONFI PHY TEST还包括：ZQ校准单元；其中：所述ZQ校准单元根据接收到的校准信号执行ZQ校准流程；所述ONFI PHY I/F模块还用于将ZQ校准流程的执行结果输出至所述NAND Flash。4.根据权利要求3所述的闪存控制器，其特征在于，所述训练调试模块ONFI PHY TEST还包括：DCC校准单元；其中：所述DCC校准单元根据接收到的校准信号执行DCC校准流程；所述ONFI PHY I/F模块还用于将DCC校准流程的执行结果输出至所述NAND Flash。5.根据权利要求4所述的闪存控制器，其特征在于，所述训练调试模块ONFI PHY TEST还包括：读/写DQ校准单元；其中：所述读/写DQ校准单元根据接收到的校准信号执行读/写DQ校准流程；所述ONFI PHY I/F模块还用于将读/写DQ校准流程的执行结果输出至所述N...

【专利技术属性】
技术研发人员：何思桢，刘海亮，
申请(专利权)人：江苏芯盛智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：