一种采用全环绕电荷补偿的SOI-LDMOS器件制造技术

本发明专利技术属于功率LDMOS器件领域，提供一种采用全环绕电荷补偿的SOI

【技术实现步骤摘要】
一种采用全环绕电荷补偿的SOI
‑
LDMOS器件


[0001]本专利技术属于功率LDMOS(Lateral Double
‑
Diffused MOSFET，横向双扩散金属氧化物半导体)器件领域，主要涉及一种采用全环绕电荷补偿的功率SOI
‑
LDMOS新结构，这种结构有较高的Baliga优值和较好的鲁棒性，具有广阔的应用空间。

技术介绍

[0002]功率LDMOS是一种单极型压控器件，具有易驱动、低功耗、高耐压、高集成度、开关速度快等优点，故而广泛应用于各种领域的功率集成电路中，如开关电源、汽车电子、工业马达等领域。然而LDMOS采用横向耐压方式，为使器件击穿电压(BV)提升，通常需要增加漂移区长度或降低漂移区掺杂剂量，导致器件的比导通电阻(R
ON，SP
)急剧增加，器件的功耗迅速增大。
[0003]为了优化功率LDMOS的BV与R
ON，SP
之间的矛盾关系，研究者们提出了多种优化技术，如降低表面电场(RESURF)、横向变掺杂(VLD)、场板(FP本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用全环绕电荷补偿的SOI
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LDMOS器件，包括：硅衬底(01)、埋氧层(02)、鳍状P型阱区(03)、鳍状P型变掺杂区(04)、鳍状N型漂移区(05)、HK层(06)、漏极N+区(07)、源极N+区(08)、源极P+区(09)、栅氧化层(10)、源极(11)、栅极(12)及漏极(13)；其特征在于，所述埋氧层(02)设置于硅衬底(01)的上方；所述鳍状P型阱区(03)与鳍状P型变掺杂区(04)设置于埋氧层(02)上方，所述鳍状N型漂移区(05)设置于鳍状P型变掺杂区(04)上方、且二者均与鳍状P型阱区(03)相邻接；所述源极N+区(08)与源极P+区(09)邻接设置于鳍状P型阱区(03)中，源极N+区(08)与源极P+区(09)的外表面设置源极(11)；所述漏极N+区(07)设置于鳍状N型漂移区(05)中，漏极N+区(07)的外表面设置漏极(13)；所述栅氧化层(10)设置于鳍状P型阱区(03)的外表面，栅氧化层(10)的外表面设置栅极(12)；所述HK层(06)设置于鳍状P型变掺杂区(04)与鳍状N型漂移区(0...

【专利技术属性】
技术研发人员：程骏骥，钟涛，郭新凯，杨洪强，
申请(专利权)人：电子科技大学广东电子信息工程研究院，
类型：发明
国别省市：