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本发明属于功率LDMOS器件领域，提供一种采用全环绕电荷补偿的SOI
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该专利属于电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。

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