一种Flash接口保护控制电路制造技术

技术编号:36949112 阅读:41 留言:0更新日期:2023-03-22 19:10
本发明专利技术公开了一种Flash接口保护控制电路,涉及接口电路技术领域,包括读写控制模块,用于控制Flash接口电路的读写;接口采样模块,用于信号值电压采样;信号保持模块,用于信号保持和输出;故障判断模块,用于通过减法电路判断信号变化程度;智能控制模块,用于接收信号并控制模块;偏置电流控制模块,用于产生偏置电流并由电流镜模块复制和传输;保护模块,用于对Flash接口电路进行对地保护。本发明专利技术Flash接口保护控制电路对输入Flash接口电路的信号电压值进行采样和延时信号保持处理,以便故障判断模块通过减法电路判断信号变化程度,以便由智能控制模块接收并在信号变化程度较大时对Flash接口电路进行对地保护,停止Flash接口电路的读写工作数。Flash接口电路的读写工作数。Flash接口电路的读写工作数。

【技术实现步骤摘要】
一种Flash接口保护控制电路


[0001]本专利技术涉及接口电路
,具体是一种Flash接口保护控制电路。

技术介绍

[0002]Flash作为存储介质已经广泛应用,在目前嵌入式系统应用中,其实比不可少的一种设备,由于Flash芯片的种类较多,为了帮助程序读取Flash的制造商ID和设备ID,确定Flash的大小,获得Flash的各个物理特性,大多Flash芯片采用Flash接口对Flash芯片信息进行读取,但是现有的Flash接口由于缺乏接口的保护电路,在传输的信号超过或低于Flash接口所能传输的信号值时,Flash接口将无法正常工作,甚至对Flash接口造成损坏,将直接导致Flash芯片的数据错误,因此急需一种Flash接口保护控制电路。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种Flash接口保护控制电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]依据本专利技术实施例的第一方面,提供一种Flash接口保护控制电路,该Flash接口保护控制电路包括:接口采样模块,信号保持模块,故障判断模块,智能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Flash接口保护控制电路,其特征在于,该Flash接口保护控制电路包括:接口采样模块,信号保持模块,故障判断模块,智能控制模块,偏置电流控制模块,电流镜模块,读写控制模块,保护模块;所述读写控制模块,用于通过功率管电路控制Flash接口电路的读写工作;所述接口采样模块,与所述读写控制模块连接,用于通过电阻分压电路对输入所述Flash接口电路的信号值电压进行采样并输出采样信号;所述信号保持模块,与接口采样模块和智能控制模块连接,用于通过采样保持电路对所述采样信号进行保持处理并输出保持信号;所述故障判断模块,与所述接口采样模块和信号保持模块连接,用于通过减法电路将所述保持信号和采样信号进行减法处理并输出第一控制信号和第二控制信号,用于通过第一控制信号和第二控制信号触发双三极管电路分别输出过压信号和欠压信号;所述智能控制模块,与所述故障判断模块和读写控制模块连接,用于接收所述过压信号和欠压信号并输出保护信号控制保护模块的工作状态,用于输出读写控制信号并控制读写控制模块的读写工作,用于输出第三控制信号并控制偏置电流控制模块的工作状态,用于输出第四控制信号并控制所述信号保持模块的采样保持和保持输出;所述偏置电流控制模块,与所述智能控制模块连接,用于接收所述第三控制信号并控制偏置电流电路工作,用于通过偏置电流电路产生偏置电流并调节偏置电流值;所述电流镜模块,与所述偏置电流控制模块和读写控制模块连接,用于通过电流镜电路复制所述偏置电流控制模块输出的偏置电流并传输给所述读写控制模块;所述保护模块,与所述智能控制模块和读写控制模块连接,用于接收所述保护信号并通过泄放电路对所述Flash接口电路进行对地保护。2.根据权利要求1所述的一种Flash接口保护控制电路,其特征在于,所述Flash接口保护控制电路还包括报警模块;所述报警模块,用于接收所述保护信号并通过声光报警电路进行声光报警;所述报警模块与所述智能控制模块连接。3.根据权利要求1所述的一种Flash接口保护控制电路,其特征在于,所述读写控制模块包括Flash接口;所述接口采样模块包括第一电阻和第二电阻;所述Flash接口的第二IO端通过第一电阻连接第二电阻的第一端、所述信号保持电路和故障判断模块,第二电阻的第二端连接地端。4.根据权利要求3所述的一种Flash接口保护控制电路,其特征在于,所述信号保持电路包括第一运放、第一控制管、第一二极管、第一电容、第二运放、第二电容、第二控制管;所述智能控制模块包括第一控制器;所述第一运放的同相端连接所述第二电阻的第一端,第一运放的反相端练级诶第一运放的输出端和第一控制管的漏极,第一控制管的源极连接第一电容的一端和第二运放的同相端,第一电容的另一端接地,第一控制管的栅极连接第二二极管的阳极,第二二极管的阴极连接第一二极管的阴极和所述第一控制器的第一IO端,第一二极管的阳极连接第二控制管的栅极,第二控制管的漏极连接第二运放的...

【专利技术属性】
技术研发人员:任军欧阳托日杨帅
申请(专利权)人:恒烁半导体合肥股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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