一种自毁电路和电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种自毁电路和电子设备，其中，自毁电路包括自毁供电单元、并发自毁储能单元、自毁开关控制单元和自毁触发单元，其中，自毁供电单元可以向并发自毁储能单元提供自毁电能，自毁触发单元可以在接收到触发信号后，输出自毁控制信号，自毁开关控制单元在自毁控制信号的控制下，导通并发自毁储能单元和每个存储单元之间的通路，向每个存储单元输出自毁电压，以使每个存储单元接收到自毁电压后，被损坏。由于本申请中的并发自毁储能单元可以同时向每个存储单元提供自毁电压，因此，可以提高自毁速度。可以提高自毁速度。可以提高自毁速度。

【技术实现步骤摘要】
一种自毁电路和电子设备


[0001]本专利技术涉及电子电路
，特别涉及一种自毁电路和电子设备。

技术介绍

[0002]随着信息技术的发展，电子设备中越来越多的数据需要被存储记录，多数情况下需要使用多个存储单元来实现大容量的存储系统。而随着半导体技术的发展，NAND FALSH MEMORY逐渐成为了存储单元的主要选择。
[0003]在一些需要高度数据安全要求的情况下，存储在存储单元中的数据需要被保护起来不被泄露，且在特定情况下电子设备需对其存储单元进行自毁，而相关技术中对多个存储单元进行自毁时，自毁时间较长。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种自毁电路和电子设备，用以解决现有技术中存在的在对存储单元进行自毁时，自毁时间较长的问题。
[0005]第一方面，本申请提供一种自毁电路，包括：自毁供电单元、并发自毁储能单元、自毁开关控制单元和自毁触发单元，其中：
[0006]所述自毁供电单元，用于为所述并发自毁储能单元提供自毁电能，以使所述并发自毁储能单元储存用于损坏存储单元的自毁电能；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自毁电路，其特征在于，包括：自毁供电单元、并发自毁储能单元、自毁开关控制单元和自毁触发单元，其中：所述自毁供电单元，用于为所述并发自毁储能单元提供自毁电能，以使所述并发自毁储能单元储存用于损坏存储单元的自毁电能；所述自毁触发单元，用于在接收到触发信号后，输出自毁控制信号；所述并发自毁控制单元，用于在所述自毁控制信号的控制下，导通并发自毁储能单元和每个存储单元之间的通路，以使所述并发自毁储能单元向每个存储单元输出用于损坏存储单元的自毁电压。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括自毁控制单元，其中：所述自毁控制单元，用于向所述并发自毁储能单元发送开始检测信号，以获取所述并发自毁储能单元中存储的自毁电能，以及向所述并发自毁储能单元发送停止检测信号，以停止获取所述并发自毁储能单元中存储的自毁电能，以及在所述自毁控制单元中存储的自毁电能小于目标电能时，向所述并发自毁储能单元输出充电控制信号，以使所述自毁供电单元为所述并发自毁储能单元提供自毁电能，以及在所述并发自毁储能单元存储的自毁电能大于等于目标电能时，向所述并发自毁储能单元输出停止充电信号，以使所述自毁供电单元停止为所述并发自毁储能单元提供自毁电能。3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述自毁控制单元，还用于在确定自身异常时，输出所述触发信号。4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括防拆检测单元，其中：所述防拆检测单元，用于检测到拆卸信号后，输出所述触发信号。5.如权利要求2～4任一所述的电路，其特征在于，所述并发自毁储能单元包括与储能单元对应的自毁储能子单元，多个自毁储能子单元并联连接，针对每个自毁储能子单元，所述自毁储能子单元包括储能开关、检测开关和储能电容，其中：所述储能开关的第一端与所述自毁供电单元电连接，所述储能开关的第二端与所述储能电容的第一端、所述检测开关的第一端和所述自毁开关控制单元电连接，所述储能开关的控制端用于接收所述自毁控制单元输出的用于控制所述储能开关闭合的第一开关控制信号和控制所述储能开关打开的第二开关控制信号；所述储能电容的第二端接地；所述检测开关的第二端与所述自毁控制单元的输入端电连接，所述检测开关的控制端用于接收所述自毁控制单元输出的用于控制所述检测开关闭合的第三开关控制信号和用于控制所述检测开关打开的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：包庆幸，胡罡罡，巫金全，
申请(专利权)人：海信电子科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：