一种抗辐射读取电路及存储器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗辐射读取电路及存储器，所述抗辐射读取电路用于读取存储单元，其包括第一传输门、第二传输门、冗余加固模块和读取模块；所述第一传输门输出端均分别接入所述冗余加固模块和读取模块，所述第二传输门输出端均分别接入所述冗余加固模块和读取模块；所述第一传输门和第二传输门的控制端被配置为接收第一使能信号，所述第一传输门和第二传输门在所述第一使能信号触发下导通，所述冗余加固模块与所述读取模块电连接。本实用新型专利技术提供的抗辐射读取电路及存储器不仅可实现速度快、功耗低的数据信息读取功能，而且在数据信息读取过程中具有抗单粒子翻转的能力。据信息读取过程中具有抗单粒子翻转的能力。据信息读取过程中具有抗单粒子翻转的能力。

【技术实现步骤摘要】
一种抗辐射读取电路及存储器


[0001]本技术涉及读取电路
，尤其涉及一种抗辐射读取电路及存储器。

技术介绍

[0002]存储器是计算机体系结构中的重要组成部分，对计算机的速度、集成度和功耗等都有决定性的影响。目前主流存储单元基于CMOS工艺，其使用电荷表征存储的逻辑值，很容易受辐射粒子影响导致电荷突变，特别是处于核电厂这种环境中，逻辑电平出现翻转。静态存储器(SRAM)是基于CMOS的主流的存储器之一。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。对于CMOS电路，反向偏置的PN结漏极是其敏感节点，辐射粒子轰击敏感节点会导致产生局部电流。瞬态电流会导致被轰击敏感节点的逻辑值突变，产生脉冲电压SET(Single Event Transient)。此敏感节点的逻辑改变也能够使得存储单元的逻辑值翻转，即由“0”变成“1”，或由“1”变成“0”，叫SEU(single
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node upset)。因而，如何提高存储器的抗辐射读取能力就成为了一种亟需解决的问题。
[0003]以上
技术介绍
内容的公开仅用于辅助理解本技术的技术构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，也不必然会给出技术教导；在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日之前已经公开的情况下，上述
技术介绍
不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术存在的不足，本技术提供一种抗辐射读取电路及存储器，具体技术方案如下：
[0005]一方面，提供了一种抗辐射读取电路，所述抗辐射读取电路用于读取存储单元，其包括第一传输门、第二传输门、冗余加固模块和读取模块；所述第一传输门的输入端被配置为接入所述存储单元的位线BL，所述第二传输门的输入端被配置为接入所述存储单元的位线BLN；所述第一传输门输出端均分别接入所述冗余加固模块和读取模块，所述第一传输门、冗余加固模块和读取模块三者的连接点记为敏感节点Q；所述第二传输门输出端均分别接入所述冗余加固模块和读取模块，所述第二传输门、冗余加固模块和读取模块三者的连接点记为敏感节点QN；所述第一传输门和第二传输门的控制端被配置为接收第一使能信号，所述第一传输门和第二传输门在所述第一使能信号触发下导通，所述冗余加固模块与所述读取模块电连接，所述读取模块的控制端被配置为接收第二使能信号，所述读取模块在所述第二使能信号触发下接地；
[0006]所述存储单元分别通过所述第一传输门和第二传输门输出逻辑电平信号至所述冗余加固模块和读取模块，所述冗余加固模块被配置为输出电平稳压信号至所述读取模块。
[0007]进一步地，所述冗余加固模块包括晶体管N1、晶体管N2、晶体管P1和晶体管P2，所述晶体管N1和晶体管N2为NMOS晶体管，所述晶体管P1和晶体管P2为PMOS晶体管；
[0008]所述晶体管P1和晶体管P2的源极均连接供电电源，所述晶体管P1的漏极连接所述晶体管N1的漏极，所述晶体管P1和晶体管N1的连接点记作敏感节点S0，所述敏感节点S0连接所述晶体管P2的栅极；所述晶体管P2的漏极连接晶体管N2的漏极，所述晶体管P2和晶体管N2的连接点记作敏感节点S1，所述敏感节点S1连接所述晶体管P2的栅极；所述晶体管N1的栅极连接所述敏感节点QN，所述晶体管N2的栅极连接所述敏感节点Q；所述晶体管N1和晶体管N2的源极均接地。
[0009]进一步地，所述读取模块包括晶体管P3、晶体管P4、晶体管N3、晶体管N4、晶体管N5、晶体管N6、晶体管N7，
[0010]所述晶体管P3和晶体管P4的源极均连接所述供电电源；所述晶体管P3的栅极连接所述晶体管N5的栅极，所述晶体管N4的源极连接所述晶体管N6的漏极；所述晶体管P3的漏极连接晶体管N3的漏极；所述晶体管P4的栅极连接晶体管N6的栅极，所述晶体管N3的源极连接所述晶体管N5的漏极；晶体管P4的漏极连接晶体管N4的漏极；所述晶体管N3的栅极连接所述敏感节点S1；晶体管N4的栅极连接所述敏感节点S0；所述晶体管N5和晶体管N6的源极均连接晶体管N7的漏极；所述晶体管N7的栅极用于读取第二使能信号；所述晶体管N7的源极接地。
[0011]进一步地，所述第一传输门包括晶体管P6和晶体管N9，所述晶体管N9的源极和晶体管P6的漏极均与所述位线BL相连，所述晶体管N9的漏极和晶体管P6的源极均与敏感节点Q相连；
[0012]所述第二传输门包括晶体管P5和晶体管N8，所述晶体管N8的源极和晶体管P5的漏极均与所述位线BLN相连，所述晶体管N8的漏极和晶体管P5的源极均与敏感节点QN相连；
[0013]所述第一使能信号输出至所述晶体管N8和N9的栅极，所述第一使能信号反相输出至所述晶体管P5和晶体管P6的栅极。
[0014]进一步地，所述第一使能信号与所述第二使能同步输出控制。
[0015]进一步地，所述抗辐射读取电路还包括预充电模块，所述预充电模块被配置为向存储单元进行预充电，其输入端用于接收预充电信号，其输出端用于接入所述存储单元。
[0016]进一步地，所述预充电模块包括晶体管P7、晶体管P8和晶体管P9；所述晶体管P7和晶体管P8的源极均连接供电电源，所述晶体管P9的源极连接所述位线BLN；所述晶体管P7、晶体管P8和晶体管P9的栅极均用于接收预充电信号；所述晶体管P7的漏极连接所述位线BLN；所述晶体管P8和晶体管P9的漏极连接所述位线BL。
[0017]进一步地，所述预充电信号、第一使能信号与第二使能信号同步输出控制。
[0018]进一步地，所述存储单元为静态存储器。
[0019]另一方面，提供了一种抗辐射存储器，包括存储单元以及根据上述的抗辐射读取电路。
[0020]与现有技术相比，本技术具有下列优点：利用冗余加固，使得数据读取中敏感节点受到单粒子辐射发生翻转后，都可以保证输出端的逻辑电平不变，达到抗单粒子翻转功能。
附图说明
[0021]图1是本技术实施例提供的抗辐射读取电路的电路框架示意图；
[0022]图2是本技术实施例提供的抗辐射读取电路中冗余加固模块电路示意图；
[0023]图3是本技术实施例提供的抗辐射读取电路中读取模块电路示意图；
[0024]图4是本技术实施例提供的抗辐射读取电路中第一传输门电路示意图；
[0025]图5是本技术实施例提供的抗辐射读取电路中第二传输门电路示意图；
[0026]图6是本技术实施例提供的抗辐射读取电路中预充电模块电路示意图。
具体实施方式
[0027]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗辐射读取电路，其特征在于，所述抗辐射读取电路用于读取存储单元，其包括第一传输门、第二传输门、冗余加固模块和读取模块；所述第一传输门的输入端被配置为接入所述存储单元的位线BL，所述第二传输门的输入端被配置为接入所述存储单元的位线BLN；所述第一传输门输出端均分别接入所述冗余加固模块和读取模块，所述第一传输门、冗余加固模块和读取模块三者的连接点记为敏感节点Q；所述第二传输门输出端均分别接入所述冗余加固模块和读取模块，所述第二传输门、冗余加固模块和读取模块三者的连接点记为敏感节点QN；所述第一传输门和第二传输门的控制端被配置为接收第一使能信号，所述第一传输门和第二传输门在所述第一使能信号触发下导通，所述冗余加固模块与所述读取模块电连接，所述读取模块的控制端被配置为接收第二使能信号，所述读取模块在所述第二使能信号触发下接地；所述存储单元分别通过所述第一传输门和第二传输门输出逻辑电平信号至所述冗余加固模块和读取模块，所述冗余加固模块被配置为输出电平稳压信号至所述读取模块。2.根据权利要求1所述的抗辐射读取电路，其特征在于，所述冗余加固模块包括晶体管N1、晶体管N2、晶体管P1和晶体管P2，所述晶体管N1和晶体管N2为NMOS晶体管，所述晶体管P1和晶体管P2为PMOS晶体管；所述晶体管P1和晶体管P2的源极均连接供电电源，所述晶体管P1的漏极连接所述晶体管N1的漏极，所述晶体管P1和晶体管N1的连接点记作敏感节点S0，所述敏感节点S0连接所述晶体管P2的栅极；所述晶体管P2的漏极连接晶体管N2的漏极，所述晶体管P2和晶体管N2的连接点记作敏感节点S1，所述敏感节点S1连接所述晶体管P2的栅极；所述晶体管N1的栅极连接所述敏感节点QN，所述晶体管N2的栅极连接所述敏感节点Q；所述晶体管N1和晶体管N2的源极均接地。3.根据权利要求2所述的抗辐射读取电路，其特征在于，所述读取模块包括晶体管P3、晶体管P4、晶体管N3、晶体管N4、晶体管N5、晶体管N6、晶体管N7，所述晶体管P3和晶体管P4的源极均连接所述供电电源；所述晶体管P3的栅极连接所述晶体管N5的栅极，所述晶体管N4的源极连接所述晶体管N...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，应红，施海宁，唐堂，王春辉，方奎元，安英辉，
申请(专利权)人：苏州热工研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：