有机发光显示器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括像素电极，至少包括发光层的有机层，以及相对电极。设置在发光层和相对层之间的电子注入层可以由最佳厚度的ＮａＦ层形成，以减少该电子注入层的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地说，涉及能通过在有机发光显示器的发光层(emission layer)和相对电极之间形成最佳厚度的NaF层来降低有机层总厚度的有机发光显示器，及其制造方法。
技术介绍
一般来说，有机发光显示器(OLED)是电激发有机化合物来发光的自发光显示器。OLED根据驱动设置成矩阵式的N×M像素的方法分成无源矩阵(passive matrix，亦称被动式矩阵)OLED和有源矩阵(active matrix，亦称主动式矩阵)OLED。由于有源矩阵OLED与无源矩阵OLED相比具有较低的功耗，所以有源矩阵OLED具有能易于实现高分辨率和大尺寸显示器的优点。此外，OLED根据从有机化合物发射出来的光的发射方向，分成顶部发光OLED、底部发光OLED和具有顶部和底部发射方向的双面发光OLED。由于顶部发光OLED不同于底部发光OLED，是沿着基板的反方向发光的，所以顶部发光OLED具有开口率大的优点。随着显示设备已经小型化并且由此需要低功耗，包括形成在一个表面上的顶部发光OLED的主显示窗以及形成在另一个表面上的底部发光OLED的副显示窗的OLED被广泛使用。上述OLED主要用在移动电话中，其包括形成在外部的副显示窗和形成在内部的主显示窗。在移动电话处于呼叫等待状态的情况下，用户可以透过消耗相对较低功率的辅助显示窗观察到接收敏感性、电池剩余电量、时间等等。图1是常规有机发光显示器的横截面图。首先，预定厚度的缓冲层110形成在透明的绝缘基板100上，并且包括多晶硅图案(pattern)122、栅极132以及源极150和漏极152的薄膜晶体管形成在缓冲层110上。在这个工艺中，其中注入杂质的源极和漏极区120设置在多晶硅图案122的两侧，并且栅极绝缘层130设置在包括多晶硅图案122的整个表面上。接下来，预定厚度的钝化层160形成在合成结构的整个表面上，并且钝化层160用光刻法和蚀刻工艺蚀刻，以形成用于暴露源极150和漏极152之一，例如漏极152的第一通路接触孔(未示出)。钝化层160可以由氧化硅层、氮化硅层或其叠层形成。第一绝缘层170形成在合成结构的整个表面上。第一绝缘层170可以由从聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、旋涂玻璃(SOG)和丙烯酸酯组成的组中选择的一种制成，并且起平坦化发光区域的作用。接着，第一绝缘层170用光刻法和蚀刻工艺蚀刻，以形成用于暴露第一通路接触孔的第二通路接触孔(未示出)。接下来，像素电极180被形成为通过第二通路接触孔连接到源极150和漏极152之一上，例如，漏极152上。在这个工艺中，当OLED是顶部发光OLED时，像素电极180由发射电极形成，而当OLED是底部发光OLED时，像素电极180由透明电极形成。当像素电极是反射电极时，该像素电极形成为反射电极和透明电极的层叠结构。接下来，第二绝缘层(未示出)形成在合成结构的整个表面上。第二绝缘层可以由从由聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、苯酚树脂和丙烯酸酯组成的组中选择的一种制成。接着，用于限定发光区域的第二绝缘层图案190由光刻工艺形成。接着，至少包括发光层的有机层182通过低分子沉积法或激光转写法形成在第二绝缘层图案190限定的区域处。有机层182可以进一步包括从电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴注入层和空穴传输层组成的组中选择的至少一层。接下来，预定厚度的LiF层184形成在有机层182上。同时，LiF层184是有机层182和相对电极186之间的接口层，并且具有约3～10的厚度。LiF层184改善电子注入特性，以降低相对电极186的功函数，提高发光效率并降低驱动电压。接下来，相对电极186形成在LiF层184上。相对电极186由例如Mg-Ag或Ca层的透明金属电极形成。接着，钝化层(未示出)形成在相对电极186上。钝化层由例如氮化硅层的无机绝缘层形成。然而，在常规的OLED中，很难在像素电极和相对电极之间采取最佳的有机层厚度，来提高发光效率并降低驱动电压。
技术实现思路
因此，本专利技术提供一种能通过在发射层和相对电极之间设置最佳厚度的NaF层来提高发光效率的有机发光显示器，及其制造方法。在本专利技术的示例性实施例中，一种有机发光显示器包括设置在基板上的像素电极；设置在该像素电极上并至少包括发光层的有机层；设置在该有机层上并具有3～5厚度的NaF层；和设置在该NaF层上的相对电极，其中，优选所述NaF层具有4的厚度。根据本专利技术的另一个示例性实施例，一种制造有机发光显示器的方法包括在基板上形成像素电极；在该像素电极上形成至少包括发光层的有机层；在该有机层上形成具有3～5厚度的NaF层；和在该NaF层上形成相对电极，其中优选，所述NaF层形成为4的厚度。附图说明将参照附图结合一些示例性实施例，描述本专利技术的以上和其它特征，其中图1是常规有机发光显示器的横截面图；图2是根据本专利技术的有机发光显示器的横截面图；图3是当在根据本专利技术的有机发光显示器中使用LiF层和NaF层时，示出每个R、G和B像素的亮度和效率的图；和图4是示出根据本专利技术实施例的比较每个NaF层厚度的亮度和效率的图。具体实施例方式下面，参照附图更加全面地描述本专利技术，其中示出本专利技术的较佳实施例。然而，本专利技术可以具体化成不同的形式，并且不应该解释为局限于这里提出的实施例。图2是根据本专利技术的有机发光显示器的横截面图。预定厚度的缓冲层210形成在透明基板200上，并且包括多晶硅图案222、栅极232以及源极250和漏极252的薄膜晶体管形成在缓冲层210上。在这个工艺中，其中注入杂质的源极和漏极区220设置在多晶硅图案222的两侧，并且栅极绝缘层230设置在包括多晶硅图案222的整个表面上。接下来，预定厚度的钝化层260形成在该合成结构的整个表面上，并且钝化层260用光刻法和蚀刻工艺蚀刻，以形成用于暴露源极250和漏极252之一，例如漏极252的第一通路接触孔(未示出)。钝化层260可以由氧化硅层、氮化硅层或其叠层形成。第一绝缘层270形成在合成结构的整个表面上。第一绝缘层270可以由从聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、旋涂玻璃(SOG)和丙烯酸酯组成的组中选择的一种制成，并且起平坦化发光区域的作用。接着，第一绝缘层270用光刻法和蚀刻工艺蚀刻，以形成用于暴露第一通路接触孔的第二通路接触孔(未示出)。接下来，反射层(未示出)形成在合成结构的整个表面上。在这个工艺中，反射层由具有高反射率的从由Al、Al合金、Mo、Ti、Au、Ag和Pd组成的组中选择的一种金属制成。接下来，反射层经历光刻工艺，以在发光区域形成反射层图案(未示出)。接下来，用于像素电极的薄层(未示出)形成在合成结构的整个表面上。用于像素电极的薄层由诸如氧化铟锡(ITO)的透明金属材料制成。接下来，用于像素电极的薄层由光刻法和蚀刻工艺蚀刻，以形成像素电极280。像素电极280连接到通过第二通路接触孔暴露的源极250和漏极252之一上，例如漏极252上。在这个工艺中，像素电极280是包括设置在其下的反射层图案的反射电极。接下来，第二绝缘层(未示出)形成在合成结构的整个表面上。第二绝缘层可以由从聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、苯酚树脂和丙烯酸酯组成的组中选择的一种制成。接着，用于限定像素电极280的发光区域的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示器，包括：设置在基板上的像素电极；设置在该像素电极上并至少包括发光层的有机层；设置在该有机层上并具有３～５＊厚度的ＮａＦ层；和设置在该ＮａＦ层上的相对电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柳承润，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]