一种半导体材料产品的切割方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体材料产品的切割方法，包括：提供一半导体材料产品，半导体材料产品上具有切割道；在该半导体材料产品背面粘贴第一保护膜；对半导体材料产品的切割道延伸方向的两端沿着切割道的方向切割，形成定位切口；在半导体材料产品正面沿着切割道切割，形成第一预设深度；对半导体材料产品正面粘贴第二保护膜，并去除背面的第一保护膜；基于两个定位切口，确定半导体材料产品背面的切割位置，并在半导体材料产品背面沿着切割位置进行切割，形成第二预设深度，以将半导体材料产品切割分离，通过正反面切割的方式，并通过定位切口将正反面的切割位置对准，可实现对超厚产品的切割，且规避了背崩现象。崩现象。崩现象。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体材料产品的切割方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体材料产品的切割方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，对半导体材料进行切割时，很容易造成崩边问题，这种问题直接导致产品性能失效。
[0003]常用的划片机切割工艺是通过砂轮刀片高速旋转切割，切割过程中砂轮刀出刀位置会因应力无法有效控制，导致背崩问题严重，背崩成为切割工艺中产品失效的主要原因之一，对于超厚材料的，因为厚度很厚，切割应力急剧上升，背崩随厚度增加而更为严重，而且，对于硬脆材料，因材料特性，在切割过程中晶介受力后背崩也异常严重，以CZT为例，2mm厚度的CZT虽然采用国际领先的STEP CUT切割方式，但是平均背崩宽带依然大于150um左右。
[0004]因此，对于超硬、超脆、超厚材料的产品，如何降低背崩现象是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的半导体材料产品的切割方法。
[0006]本专利技术提供了一种半导体材料产品的切割方法，包括：提供一半导体材料产品，所述半导体材料产品的厚度为8.37mm以下的任一厚度，所述半导体材料产品上具有切割道；在所述半导体材料产品背面粘贴第一保护膜；对所述半导体材料产品的切割道延伸方向的两端切割，形成两个定位切口，所述定位切口贯穿所述半导体材料产品正面和背面；在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切割，形成第一预设深度；对所述半导体材料产品正面粘贴第二保护膜，并去除所述第一保护膜；基于所述两个定位切口，确定所述半导体材料产品背面的切割位置，并在所述半导体材料产品背面沿着所述切割位置进行切割，形成第二预设深度，以将所述半导体材料产品切割分离。
[0007]优选地，所述第一保护膜和所述第二保护膜均为UV膜或者普通膜。
[0008]优选地，所述定位切口的长度为0.5~20mm。
[0009]优选地，所述在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切割，形成第一预设深度，包括：在划片机的刀片切割时，控制所述刀片的高度达到的最低高度为第一预设高度，所述刀片的高度为所述刀片距离切割台面的高度；基于所述第一预设高度，控制刀片在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切
割，形成第一预设深度。
[0010]优选地，所述第一预设高度基于第一保护膜的厚度、所述半导体材料产品的厚度、刀片的第一磨损量以及第一切透量所确定，所述第一磨损量基于刀片的切割深度所确定，所述第一切透量基于经验确定；具体按照如下公式确定
[0011]其中，为第一预设高度。
[0012]优选地，所述第一预设深度为：
[0013]其中，为第一预设深度。
[0014]优选地，所述基于所述定位切口，确定所述半导体材料产品背面的切割位置，并在所述半导体材料产品背面沿着所述切割位置进行切割，形成第二预设深度，以将所述半导体材料产品切割分离，包括：基于所述定位切口，确定半导体材料产品背面的切割位置，并在所述半导体材料产品背面沿着所述切割位置进行切割时，控制所述刀片的高度达到的最低高度为第二预设高度；基于所述第二预设高度，形成第二预设深度，以将半导体材料产品切割分离。
[0015]优选地，所述第二预设高度基于第二保护膜的厚度、所述半导体材料产品的厚度、刀片的第二磨损量以及第二切透量所确定，所述第二磨损量基于刀片的切割深度所确定，所述第二切透量基于经验确定；具体按照如下公式确定：
[0016]其中，为第二预设高度。
[0017]优选地，所述第二预设深度为：
[0018]其中，为第二预设深度。
[0019]优选地，在所述半导体材料产品背面粘贴第一保护膜之后，还包括：将第一保护膜边缘粘贴在崩膜环上，使得所述崩膜环将所述第一保护膜绷紧，其中，所述第一保护膜的尺寸大于所述半导体材料产品的尺寸；
在对所述半导体材料产品正面粘贴第二保护膜，并去除所述第一保护膜之后，还包括：将第二保护膜粘边缘粘贴在崩膜环上，使得所述崩膜环将所述第二保护膜绷紧，其中，所述第二保护膜的尺寸大于所述半导体材料产品的尺寸。
[0020]本专利技术实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本专利技术提供了一种半导体材料产品的切割方法，包括：提供一半导体材料产品，所述半导体材料产品的厚度为8.37mm以下的任一厚度，半导体材料产品上具有切割道；在该半导体材料产品背面粘贴第一保护膜；对半导体材料产品的切割道延伸方向的两端沿着切割道的方向切割，形成定位切口；在半导体材料产品正面沿着切割道切割，形成第一预设深度；对半导体材料产品正面粘贴第二保护膜，并去除背面的第一保护膜；基于两个定位切口，确定半导体材料产品背面的切割位置，并在半导体材料产品背面沿着切割位置进行切割，形成第二预设深度，以将半导体材料产品切割分离，进而通过正反面切割的方式，并通过定位切口将正反面的切割位置对准，可实现对超厚产品的切割，且规避了背崩现象。
附图说明
[0021]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考图形表示相同的部件。在附图中：图1示出了本专利技术实施例中半导体材料产品的切割方法的步骤流程示意图；图2示出了本专利技术实施例中崩膜环固定半导体材料产品的示意图；图3示出了本专利技术实施例中定位切口的示意图；图4示出了本专利技术实施例中第一预设高度以及第一预设深度的示意图；图5示出了本专利技术实施例中第二预设高度以及第二预设深度的示意图。
[0022]图中标号：201
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第一保护膜，202
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崩膜环，203
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半导体材料产品，301
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定位切口，401
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刀片，402
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切割台面，403
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半导体材料产品正面，404
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半导体材料产品背面。
具体实施方式
[0023]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0024]本专利技术的实施例提供了一种半导体材料产品的切割方法，如图1所示，包括：S101，提供一半导体材料产品，该半导体材料产品的厚度采用8.37mm以下的任一厚度，半导体材料产品上具有切割道；S102，在半导体材料产品背面粘贴第一保护膜；S103，对半导体材料产品的切割道延伸方向的两端切割，形成两个定位切口，定位切口贯穿半导体材料产品正面和背面；S104，在半导体材料产品正面沿着切割道切割，形成第一预设深度；S105，对半导体材料产品正面粘贴第二保护膜，并去除第一保护膜；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料产品的切割方法，其特征在于，包括：提供一半导体材料产品，所述半导体材料产品的厚度为8.37mm以下的任一厚度，所述半导体材料产品上具有切割道；在所述半导体材料产品背面粘贴第一保护膜；对所述半导体材料产品的切割道延伸方向的两端切割，形成两个定位切口，所述定位切口贯穿所述半导体材料产品正面和背面；在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切割，形成第一预设深度；对所述半导体材料产品正面粘贴第二保护膜，并去除所述第一保护膜；基于所述两个定位切口，确定所述半导体材料产品背面的切割位置，并在所述半导体材料产品背面沿着所述切割位置进行切割，形成第二预设深度，以将所述半导体材料产品切割分离。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一保护膜和所述第二保护膜均为UV膜或者普通膜。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位切口的长度为0.5~20mm。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切割，形成第一预设深度，包括：在划片机的刀片切割时，控制所述刀片的高度达到的最低高度为第一预设高度，所述刀片的高度为所述刀片距离切割台面的高度；基于所述第一预设高度，控制刀片在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切割，形成第一预设深度。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一预设高度基于第一保护膜的厚度、所述半导体材料产品的厚度、刀片的第一磨损量以及第一切透量所确定，所述第一磨损量基于刀片的切割深度所确定，所述第一切透量基于经验确定；具体按照如下公式确定：...

【专利技术属性】
技术研发人员：惠施祥，孙瑜，李克忠，万里兮，吴昊，
申请(专利权)人：成都万应微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：