电致发光显示器件制造技术

提供一种能够减小ＥＬ器件中阳极的平均膜电阻及以高清晰度显示图像的ＥＬ显示器件及包括这种ＥＬ显示器件的电子装置。在阳极１０８上提供光屏蔽层１０９，以便掩蔽两像素间的间隙。于是可以减小ＥＬ器件中阳极１０８的平均膜电阻。另外，可以防止光从两像素间的间隙泄漏，进而产生高清晰度图像显示。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过在衬底上形成半导体器件(利用半导体薄膜的器件，一般为薄膜晶体管)的EL(电致发光)显示器件。本专利技术还涉及包括这种用作显示部分的EL显示器件的电装置。近年来，在衬底上形成薄膜晶体管(此后称为TFT)的技术已十分先进，并已开发出了其在有源矩阵显示器件中的应用。具体说，采用多晶硅膜的TFT具有高于采用非晶硅膜的常规TFT的场效应迁移率，因此，可高速工作。于是通常利用设于衬底外的外部驱动电路进行的像素控制可利用设于与像素相同衬底上的驱动电路进行。在各种电路和/或器件制造于一个相同衬底上时，如上所述的有源矩阵显示器件可提供各种优点，例如降低制造成本、减小显示器件的尺寸、提高成品率、降低产出。所以，这种有源矩阵显示器件已引起了关注。在有源矩阵EL显示器件中，每个像素中提供有采用TFT的开关器件(此后称为开关TFT)，各开关TFT中的每个都允许控制电流的相应驱动器件(此后称为电流控制TFT)进行驱动，从而使EL层(更严格讲，发光层)发光。例如，日本专利申请公开平10-189252中介绍了一种典型的EL显示器件。该EL显示器件包括由阴极、EL层和阳极(此后称由这些部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶发光ＯＬＥＤ显示器，包括：ａ）衬底；ｂ）形成在衬底上的带图案的电极，其限定多个发光元件，该多个发光元件在各发光元件之间具有间隙；ｃ）设置在带图案的电极上的ＯＬＥＤ材料层；ｄ）设置在ＯＬＥＤ材料层上的连续 透明电极；和ｅ）光吸收辅助电极，其是导热且导电的，并与连续透明电极电和热接触，并且位于显示器的各发光元件之间的间隙上方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西毅，石丸典子，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]