【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高侧晶体管驱动器(high-side transistor driver)，更具体而言涉及高电压高侧晶体管驱动器。
技术介绍
高侧晶体管驱动器被用于驱动连接到正电源并浮置(即不参考地电平)的高侧晶体管。所述晶体管可以是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。高侧晶体管可能需要来自例如高电压电平变换器这样的电平变换器件的电压转换。例如高侧晶体管这样的浮置晶体管可能很难快速地导通和关断。现在参考图1，其示出了示例性晶体管驱动器电路10。晶体管驱动器电路10包括高侧晶体管12和低侧晶体管14。高侧晶体管驱动器16连接到高侧晶体管12的栅极18，并选择性地导通和关断高侧晶体管12。低侧晶体管驱动器20连接到低侧晶体管14的栅极22，并选择性地导通和关断低侧晶体管14。高侧晶体管驱动器16和低侧晶体管驱动器20可以集成在晶体管驱动器模块24中。例如，驱动器16和20根据输入信号28和30导通和关断晶体管12和14，以改变到输出节点26的电流和/或电压。现在参考图2，其更详细地示出了高侧晶体管12和高侧晶体管驱动器16的...
【技术保护点】
一种高侧晶体管驱动器，包括： 发送器模块，用于生成功率输入信号； 转换器模块，用于接收所述功率输入信号和生成具有比所述功率输入信号更高电压的输出信号；以及 接收器模块，用于接收所述输出信号和所述功率输入信号，并基于所述输出信号和所述功率输入信号来将晶体管在导通和关断状态之间转换。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：塞哈特苏塔迪嘉，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：BB[巴巴多斯]
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