一种电子产品专用高黏耐高温的导热胶及其制备方法技术

本发明专利技术属于导电胶封装材料及其制备领域，选用耐高温酚醛型氰酸酯树脂作为导电胶基体，改良了导电基体的制备方法，利用合成的独特氮化银纳米线作为填充粒子，制备了一种电子产品专用的高黏耐高温导热胶。本发明专利技术制备的导电胶的体积电阻率较低，导电性能优异，优于市场上同类导电胶。本发明专利技术合成了独特氮化银纳米线作为填充粒子，提高了导电胶的导电性和耐高温性。本发明专利技术制备的导电胶黏度较大，性能较好。性能较好。性能较好。

【技术实现步骤摘要】
一种电子产品专用高黏耐高温的导热胶及其制备方法


[0001]本专利技术属于导电胶封装材料及其制备领域，具体涉及一种电子产品专用高黏耐高温的导热胶及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着近年来科技的进步，电子产品日益密集化、微型化和高效率化，在使用过程中会产生大量热能，对导热材料的热导率、热阻、施工工艺性以及稳定性提出更高的要求，相关研究结果表明，电气元件的温度每升高2℃其可靠性将会下降10％，如果电子电器中热能得不到有效的消散，将直接影响其可靠性和使用寿命，甚至引发安全事故。近年来导热性能优良的导热材料的制备与开发已成为研究热点，并已广泛应用于诸多特殊场合。
[0003]导电胶大多是指在树脂基体中加入导电粒子的一种胶粘剂，其中树脂基体为导电胶提供粘接性能、力学性能、热力学性能和热机械性能等，导电粒子为导电胶提供导电性、导热性等。导电填料是导电胶导电性的主要来源，因此是导电胶非常重要的组成成分。目前无机导电填料主要有碳质材料、金属粉末和金属氧化物等，其粒径、形貌等都对导电胶的性能有重要影响。在金属粉末中，相比于其他金属，银粉因具有不容易被氧化和腐蚀，且其氧化物仍具有良好的导电性能，因此在目前导电胶市场占有率较高。
[0004]近年来，耐高温导电胶在航空航天、汽车、电子、军工和机械制造业等领域应用颇为广泛。这些特殊领域对连接材料的要求比较严苛，需要有低的电阻率，并且连接材料还能耐较高的温度。氰酸酯树脂是一种高性能树脂基体，它的单体结构中含有两个或两个以上氰酸酯官能团(
‑
OCN)。氰酸酯具有与环氧树脂相近的工艺操作性能，固化以后具有与双马来酰亚胺树脂相近的耐高温性能，比聚酰亚胺更好的介电性能。因此，本专利技术选用耐高温酚醛型氰酸酯树脂作为导电胶基体，改良了导电基体的制备方法，利用合成的独特氮化银纳米线作为填充粒子，制备了一种电子产品专用的高黏耐高温导热胶。

技术实现思路

[0005]针对以上问题，本专利技术利用银不容易被氧化腐蚀，导电性好，和N周围电负性强的特点，合成了氮化银纳米线，并将其应用到酚醛型氰酸酯树脂导电胶基体中，制备出了一种电子产品专用的高黏耐高温的导热胶，具体合成步骤如下：
[0006]S1、将硝酸银或乙酰丙酮银溶于丙酮中，配制成0.8
‑
1.2mol/L的溶液，加入水热反应釜中，在向反应釜中加入1
‑
2g的氯化钾，搅拌均匀后，在180
‑
200℃条件，充分反应18
‑
24h；待反应釜冷却后，将釜中样品取出，用乙醇离心干燥，即可获得Ag纳米线；
[0007]S2、氮化处理：将步骤S2制备的Ag纳米线放到管式炉中，通入NH3，设置管式炉升温速率为3
°
/min，升温到350℃，保温2
‑
3h，即可获得Ag3N；
[0008]S3、制备导电胶基体：将质量占比30
‑
50％的双酚A型氰酸酯、35
‑
45％的丙烯酸酯、8
‑
25％乙酸乙酯、5
‑
8％的乙二醇、3
‑
5％的丙酮加入到ARV
‑
310型THINKY去泡搅拌太郎中进行分散和脱泡；搅拌均匀后加入5
‑
8％的2
‑
甲基咪唑或2
‑
苯基咪唑作为固化剂；其中，分散
过程设置转速为1200
‑
2000r/min、搅拌时间5
‑
15min，脱泡过程设置转速500
‑
1000r/min、时间3
‑
8min；初步搅拌后用三辊研磨机研磨两遍，得到混合均匀的导电胶基体；
[0009]S4、将步骤S2制备的Ag3N作为填充剂，以800
‑
1200r/min转速加入含有步骤S3制备的导电基体中，并加入碳纳米管，搅拌10
‑
30min，然后升温至150
‑
330℃，固化0.8
‑
2.3h后，自然降温。
[0010]优选地：所述步骤S1中选用乙酰丙酮银；
[0011]优选地：所述步骤S1中反应釜的煅烧温度为180℃；
[0012]优选地：所述步骤S2中保温时间为2h；
[0013]优选地：所述步骤S3中双酚A型氰酸酯的占比为40％、丙烯酸酯的占比为35％。
[0014]本专利技术的有益效果在于：
[0015]1、本专利技术制备的导电胶的体积电阻率较低，导电性能优异，优于市场上同类导电胶。
[0016]2、本专利技术合成了独特氮化银纳米线作为填充粒子，提高了导电胶的导电性和耐高温性。
[0017]3、本专利技术制备的导电胶黏度较大，性能较好。
[0018]4、本专利技术操作简单，制作成本低，有利于批量生产。
[0019]5、本专利技术具有强的重复性，有利于电子行业快速发展。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本专利技术实施例1中制备的Ag3N纳米线的透射电子显微镜图和面扫能谱图。
[0022]图2为本专利技术实施例1中制备的Ag3N纳米线的扫描电子显微镜图。
[0023]图3为本专利技术实施例2中制备的Ag纳米线的透射电子显微镜图。
[0024]图4为本专利技术实施例2中制备的Ag3N纳米线的透射电子显微镜图。
[0025]图5为本专利技术实施例4中制备的Ag3N纳米线的扫描电子显微镜图。
[0026]图6为本专利技术实施例4和对比例6制备导电胶的分解温度曲线图。
[0027]图7为本专利技术实施例2
‑
4和对比4
‑
6制备导电胶的体积电阻率折线图。
具体实施方式
[0028]为了使本专利技术专利所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术专利进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本
技术实现思路
，并不用于限定本专利技术专利。
[0029]实施例1：
[0030]S1、将硝酸银或乙酰丙酮银溶于丙酮中，配制成0.8mol/L的溶液，加入水热反应釜中，在向反应釜中加入1g的氯化钾，搅拌均匀后，在180℃条件，充分反应18h；待反应釜冷却后，将釜中样品取出，用乙醇离心干燥，即可获得Ag纳米线；
[0031]S2、氮化处理：将步骤S2制备的Ag纳米线放到管式炉中，通入NH3，设置管式炉升温速率3
°
/min，升温到350℃，保温2h，即可获得Ag3N；
[0032]S3、制备导电胶基体：将质量占比40％的双酚A型氰酸酯、35％的丙烯酸酯、10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子产品专用高黏耐高温的导热胶，其特征在于：具体合成步骤如下：S1、将硝酸银或乙酰丙酮银溶于丙酮中，配制成0.8
‑
1.2mol/L的溶液，加入水热反应釜中，在向反应釜中加入1
‑
2g的氯化钾，搅拌均匀后，在180
‑
200℃条件，充分反应18
‑
24h；待反应釜冷却后，将釜中样品取出，用乙醇离心干燥，即可获得Ag纳米线；S2、氮化处理：将步骤S2制备的Ag纳米线放到管式炉中，通入NH3，设置管式炉升温速率为3
°
/min，升温到350℃，保温2
‑
3h，即可获得Ag3N；S3、制备导电胶基体：将质量占比30
‑
50％的双酚A型氰酸酯、35
‑
45％的丙烯酸酯、8
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25％乙酸乙酯、5
‑
8％的乙二醇、3
‑
5％的丙酮加入到ARV
‑
310型THINKY去泡搅拌太郎中进行分散和脱泡；搅拌均匀后加入5
‑
8％的2
‑
甲基咪唑或2
‑
苯基咪唑作为固化剂；其中，分散过程设置转速为1200
‑
2000r/min、搅拌时间5

【专利技术属性】
技术研发人员：彭涛，邹文涛，
申请(专利权)人：深圳市艾力邦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：