一种抑晶干粒、晶花定位全抛结晶釉艺术岩板及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种抑晶干粒、晶花定位全抛结晶釉艺术岩板及制备方法。所述抑晶干粒的化学组成包括：以质量百分比计，Na2O：5.0

【技术实现步骤摘要】
一种抑晶干粒、晶花定位全抛结晶釉艺术岩板及制备方法


[0001]本专利技术属于陶瓷建材领域，具体涉及一种抑晶干粒、晶花定位全抛结晶釉艺术岩板及制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着岩板的应用和推广，消费者对岩板的需求量日益增加，更多的装饰技术逐渐被推广到岩板的应用中。为了迎合岩板发展多元化的要求，装饰效果极具震撼性的结晶釉，尤其是具有定位晶花效果的可抛光全抛结晶釉，被用于岩板装饰以避免岩板同质化。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种抑晶干粒、晶花定位全抛结晶釉艺术岩板及制备方法。本专利技术与传统定位结晶不同的是，利用抑晶干粒实现定点抑制析晶，从而在存在抑晶干粒的地方不长晶花。不仅如此，抑晶干粒与可抛光自然析晶的结晶釉结合，在陶瓷岩板表面特定的纹理部分形成不同颜色的雪花状或花朵状的晶花，尤其是搭配合适且色彩丰富的喷墨图案，形成具有定位晶花装饰效果和立体感强的岩板产品。
[0004]第一方面，本专利技术提供一种抑晶干粒。所述抑晶干粒的化学组成包括：以质量百分比计，Na2O：5.0
‑
8.0％；SiO2：55
‑
65％；Al2O3：10
‑
20％；CaO：2.0
‑
8.0％；MgO：0.1
‑
2.0％；ZnO：2
‑
3％；B2O3：0.2
‑
0.5％；PbO：0.2
‑
0.5％。
[0005]较佳地，所述抑晶干粒的始熔温度为980
‑
1050℃，优选为1010℃；所述抑晶干粒的目数为120
‑
180目。
[0006]第二方面，本专利技术提供了一种晶花定位全抛结晶釉艺术岩板的制备方法，包括以下步骤：在砖坯表面施加面釉；在施加面釉的砖坯表面不需要析晶的位置打印胶水图案；在砖坯表面布施上述抑晶干粒并去除未被胶水固定的抑晶干粒；在砖坯表面施结晶抛釉；将施结晶抛釉后的砖坯烧成并抛光，得到所述晶花定位全抛结晶釉艺术岩板。
[0007]较佳地，所述面釉的化学成分包括：以质量百分比计，IL：1.5
‑
4.5％；SiO2：45
‑
60％；Al2O3：20
‑
30％；CaO：0.5
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2.0％；MgO：0.5
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2.0％；K2O：2.0
‑
3.0％；Na2O：1.0
‑
2.0％；ZrO2：6
‑
10％。
[0008]较佳地，所述面釉的比重控制在1.50
‑
1.55g/cm3，喷釉量控制为320
‑
400g/m2。
[0009]较佳地，所述胶水图案的灰度在80
‑
100％之间；所述抑晶干粒的布施量为660
‑
720g/m2。
[0010]较佳地，所述结晶抛釉的化学组成包括：以质量百分比计，IL：1.0
‑
5.0％；SiO2：40
‑
50％；Al2O3：4
‑
8％；TiO2：8.0
‑
10.0％；CaO：5
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15％；MgO：0.5
‑
2.0％；K2O：2.0
‑
4.0％；
Na2O：0.5
‑
3.0％；ZnO：20
‑
30％；BaO：0.5
‑
1.0％；优选地，所述结晶抛釉的比重为1.85
‑
1.95g/cm3，施釉量为1200
‑
1500g/m2。
[0011]较佳地，所述制备方法还包括打印胶水图案之前在施加面釉的砖坯表面喷墨打印图案的工序。
[0012]较佳地，所述烧成的最高烧成温度为1205
‑
1225℃，优选为1215℃；烧成时间为65
‑
75分钟。
[0013]第三方面，本专利技术提供了一种根据上述制备方法得到的晶花定位全抛结晶釉艺术岩板。
[0014]有益效果相对普通的喷墨抛光陶瓷岩板，本专利技术的版面晶花点缀效果较好，纹理结合晶花效果多变，经过抛光后砖面通透，对多种图案颜色的陶瓷产品或纯色图案的陶瓷产品均可适用。而且，晶花粒径可达2
‑
5mm，因此肉眼可清晰看到晶花点缀。
附图说明
[0015]图1为本专利技术晶花定位全抛结晶釉艺术岩板的示例性制备工艺路线图；图2为本专利技术实施例1制备得到的晶花定位全抛结晶釉艺术岩板样品的砖面效果图；图3为本专利技术实施例2制备得到的晶花定位全抛结晶釉艺术岩板样品的砖面效果图；图4为本专利技术对比例1的砖面效果图；图5为本专利技术对比例2的砖面效果图；图6为本专利技术对比例3的砖面效果图；图7为本专利技术对比例4的砖面效果图；图8为本专利技术对比例5的砖面效果图；图9为本专利技术对比例6的砖面效果图；图10为本专利技术对比例7的砖面效果图。
具体实施方式
[0016]通过实施方式进一步说明本专利技术，应理解，下述实施方式仅用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。在没有特殊说明的情况下，各百分含量指质量百分含量。
[0017]以下结合附图1，示例性说明本专利技术提供的晶花定位全抛结晶釉艺术岩板的制备方法。
[0018]利用坯体粉料成型获得砖坯。坯体粉料的化学组成采用常规配方即可。作为示例，所述岩板坯体粉料的化学组成可以包括：以质量百分含量计，SiO2：50
‑
65％；Al2O3：20
‑
30％；Fe2O3：0.1
‑
0.5％；TiO2：0.05
‑
0.3％；CaO：0.4
‑
0.5％；MgO：0.5
‑
1.0％；K2O：2.0
‑
3.0％；Na2O：3.0
‑
4.0％。
[0019]优选采用白度较高的坯体粉料。坯体粉料的白度可以控制为50
‑
55度。
[0020]所述岩板坯体粉料的颗粒级配包括：以质量百分比计，30目以上：20
‑
25％；30
‑
80目：60
‑
70％；80目以下≤6％。其中，30目以上指留在30目筛网上的部分，80目以下指通过80
目筛网的部分。使用上述颗粒级配的坯体粉料可以保证砖坯的成型性能。该坯体粉料的水分含量控制在8.5
±
0.3wt％为宜。
[0021]将上述坯体粉料的原料通过喷雾塔造粒后使用布料系统进行布料，而后利用压机成型为砖坯。例如，用于成型的压机压力为122000KN，成型次数为1.65次/分钟。当然，还可以将砖坯经过抛坯机打磨后入干燥窑中干燥处理，并于干燥后进行扫坯润湿。
[0022]在砖坯表面施加面釉。目的是遮盖坯体底色和瑕疵，利于喷墨图案发色。所述面釉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抑晶干粒，其特征在于，所述抑晶干粒的化学组成包括：以质量百分比计，Na2O：5.0
‑
8.0％；SiO2：55
‑
65％；Al2O3：10
‑
20％；CaO：2.0
‑
8.0％；MgO：0.1
‑
2.0％；ZnO：2
‑
3％；B2O3：0.2
‑
0.5％；PbO：0.2
‑
0.5％。2.根据权利要求1所述的抑晶干粒，其特征在于，所述抑晶干粒的始熔温度为980
‑
1050℃；所述抑晶干粒的目数为120
‑
180目。3.一种晶花定位全抛结晶釉艺术岩板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在砖坯表面施加面釉；在施加面釉的砖坯表面不需要析晶的位置打印胶水图案；在砖坯表面布施权利要求1所述的抑晶干粒并去除未被胶水固定的抑晶干粒；在砖坯表面施结晶抛釉；将施结晶抛釉后的砖坯烧成并抛光，得到所述晶花定位全抛结晶釉艺术岩板。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述面釉的化学成分包括：以质量百分比计，IL：1.5
‑
4.5％；SiO2：45
‑
60％；Al2O3：20
‑
30％；CaO：0.5
‑
2.0％；MgO：0.5
‑
2.0％；K2O：2.0
‑
3.0％；Na2O：1.0
‑
2.0％；ZrO2：6
‑
10％。5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述面釉的比重控制在1.50
‑
1.55...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘利敏，庞伟科，杨元东，邓来福，潘岳，
申请(专利权)人：蒙娜丽莎集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：