多层电子组件及其制造方法技术

本公开提供一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括主体和设置在所述主体上的外电极，所述主体包括多个第一介电层和多个内电极，所述主体被划分为：电容形成部，在所述电容形成部中，所述多个第一介电层和所述多个内电极在第一方向上交替地设置；第一覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面上，并且包括第二介电层；以及第二覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的另一表面上，并且包括第三介电层。其中，如果在所述多个内电极之中的最靠近所述第一覆盖部设置的内电极被称为IE1，则IE1中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5。等于7.5。等于7.5。

【技术实现步骤摘要】
多层电子组件及其制造方法
[0001]本申请要求于2021年9月14日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0122733号韩国专利申请和于2022年4月20日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0048917号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种多层电子组件及其制造方法。

技术介绍

[0003]多层陶瓷电容器(MLCC)(一种多层电子组件)可以是如下的片式电容器：该片式电容器安装在各种类型的电子产品(诸如包括液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)等的图像显示装置以及计算机、智能电话、移动电话等)的印刷电路板上，并且用于进行充电或放电。
[0004]这样的多层陶瓷电容器由于具有相对小的尺寸、相对高的容量和相对容易的安装性，可以用作各种电子装置的组件。随着电子装置的组件的尺寸的减小，对减小多层陶瓷电容器的尺寸和增大多层陶瓷电容器的容量的需求不断增加。
[0005]为了满足减小多层陶瓷电容器的尺寸和增大多层陶瓷电容器的容量的需求，需要减小介电层的厚度和内电极的厚度以增加堆叠层的数量。目前，内电极已经达到约0.6μm的厚度，并在继续变薄。然而，为了减小内电极的厚度，作为基体材料的金属粉末已经微粒化。因而，烧结收缩起始温度已经降低，并且与介电层的收缩行为的不匹配已经增加，使得可能发生诸如分层等的缺陷。
[0006]特别地，由于电容形成部和覆盖部之间的结合力低于电容形成部中的介电层和内电极之间的结合力，因此可能出现电容形成部和覆盖部之间的A/C裂纹。当在电容形成部和覆盖部之间出现A/C裂纹时，可能发生短路或者击穿电压(BDV)可能降低，从而降低可靠性。
[0007]因此，需要一种能够抑制电容形成部和覆盖部之间的A/C裂纹的方法。

技术实现思路

[0008]本公开的一个方面在于提供一种具有优异可靠性的多层电子组件及其制造方法。
[0009]另外，本公开的另一方面在于提供一种抑制在电容形成部和覆盖部之间出现A/C裂纹的多层电子组件。
[0010]然而，本公开的方面不限于上述内容，并且在描述本公开的具体实施例的过程中将更容易理解。
[0011]根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括主体和设置在所述主体上的外电极。所述主体包括多个第一介电层和多个内电极，所述主体被划分为：电容形成部，在所述电容形成部中，所述多个第一介电层和所述多个内电极在第一方向上交替地设置；第一覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面上，并且包括第二介电层；以及第二覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的另一表面上，并且包括第三
介电层。其中，在所述多个内电极之中的最靠近所述第一覆盖部设置的内电极被称为IE1，并且IE1中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5。
[0012]根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括主体和设置在所述主体上的外电极。所述主体包括多个第一介电层和多个内电极，所述主体被划分为：电容形成部，在所述电容形成部中，所述多个第一介电层和所述多个内电极在第一方向上交替地设置；第一覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面上并且包括第二介电层；以及第二覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的另一表面上，并且包括第三介电层。其中，在所述多个内电极之中的最靠近所述第一覆盖部设置的内电极被称为IE1，并且在通过X射线光电子能谱仪(XPS)分析的IE1的能谱中Ni(OH)2峰值与NiO峰值的比值大于等于2.46且小于等于3.55。
[0013]根据本公开的另一方面，一种制造多层电子组件的方法包括：通过在氧气气氛中对金属颗粒执行表面处理来制备第一导电粉末；通过将包括所述第一导电粉末的内电极膏涂覆到陶瓷生片来制备第一陶瓷生片；形成堆叠体，所述形成堆叠体的步骤包括：在第一方向上堆叠包括所述第一陶瓷生片的多个陶瓷生片以形成电容形成部，其中，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的最上部的陶瓷生片是所述第一陶瓷生片；以及分别在所述堆叠体的在所述第一方向上的上部和下部堆叠未涂敷内电极膏的一个或更多个陶瓷生片，以形成覆盖部；通过烧结所述堆叠体形成包括介电层和内电极的主体；以及在所述主体上形成外电极。
[0014]根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括主体和设置在所述主体上的外电极。所述主体包括多个第一介电层和多个内电极，所述主体被划分为：电容形成部，在所述电容形成部中，所述多个第一介电层和所述多个内电极在第一方向上交替地设置；第一覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面上并且包括第二介电层；以及第二覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的另一表面上，并且包括第三介电层。其中，在所述多个内电极之中的最靠近所述第一覆盖部设置的内电极被称为IE1，IE1中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于4.30且小于8.10。
[0015]根据本公开的另一方面，一种制造多层电子组件的方法包括：通过在氧气气氛中对金属颗粒进行表面处理来制备第一导电粉末；通过将包括所述第一导电粉末的内电极膏涂敷到陶瓷生片来制备第一陶瓷生片；形成堆叠体，所述形成堆叠体的步骤包括在第一方向上堆叠至少两个所述第一陶瓷生片；通过烧结所述堆叠体形成包括介电层和内电极的主体，其中，所述内电极的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于4.30且小于8.10；以及在所述主体上形成外电极。
附图说明
[0016]通过结合附图以及以下具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
[0017]图1是示意性地示出根据本公开的实施例的多层电子组件的立体图。
[0018]图2是沿着图1的线I
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I'截取的截面图。
[0019]图3是沿着图1的线II
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II'截取的截面图。
[0020]图4是示意性地示出根据本公开的实施例的多层电子组件的分解立体图。
[0021]图5是示出X射线光电子能谱仪(XPS)的测量位置的示图。
[0022]在图6中，作为通过X射线光电子能谱仪(XPS)分析的12号试验的IE1的能谱，图6的(a)部分是示出分峰之前的能谱的曲线图，图6的(b)部分是示出分峰之后的能谱的曲线图，图6的(c)部分是示出Ni(OH)2的能谱的面积的曲线图，并且图6的(d)部分是示出NiO的能谱的面积的曲线图。
[0023]在图7中，作为通过X射线光电子能谱仪(XPS)分析的3号试验的IE1的能谱，图7的(a)部分是示出分峰之前的能谱的曲线图，图7的(b)部分是示出分峰之后的能谱的曲线图，图7的(c)部分是示出Ni(OH)2的能谱的面积的曲线图，并且图7的(d)部分是示出NiO的能谱的面积的曲线图。
[0024]图8是在第一方向和第二方向(LT平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层电子组件，包括：主体，包括多个第一介电层和多个内电极，所述主体被划分为：电容形成部，在所述电容形成部中，所述多个第一介电层和所述多个内电极在第一方向上交替地设置；第一覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面上，并且包括第二介电层；以及第二覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的另一表面上，并且包括第三介电层；以及外电极，设置在所述主体上，其中，在所述多个内电极之中的最靠近所述第一覆盖部设置的内电极被称为IE1，并且IE1中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5。2.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，IE1中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.88且小于等7.07。3.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述多个内电极中的至少一个内电极中，Ni(OH)2质量与NiO质量的比值小于等于3.0。4.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，Ni(OH)2质量与NiO质量的比值小于等于3.0的内电极的数量与所述多个内电极中的内电极的总数的比率大于等于90％且小于100％。5.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，最靠近所述第二覆盖部设置的内电极被称为IE2，并且IE2中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5。6.如权利要求5所述的多层电子组件，其中，IE1和IE2中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.88且小于等于7.07。7.如权利要求1所述的多层电子组件，其中：所述电容形成部的与所述第一覆盖部相邻的区域被称为K1，所述电容形成部的与所述第二覆盖部相邻的区域被称为K2，所述电容形成部的设置在K1和K2之间的区域被称为Kc，存在于K1和K2中的内电极中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5，并且存在于Kc中的内电极中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值小于等于3.0。8.如权利要求7所述的多层电子组件，其中，Kc的在所述第一方向上的最大距离与所述电容形成部的在所述第一方向上的最大距离的比值大于等于0.9且小于1.0，并且K1和K2包括Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5的至少一个内电极。9.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，IE1包括导电颗粒，所述导电颗粒包括金属颗粒和设置在所述金属颗粒的表面的至少一部分上的Ni(OH)2。10.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述多个内电极中的每个的平均厚度小于等于0.35μm。11.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述多个第一介电层中的每个的平均厚度小于等于0.37μm。12.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一覆盖部的平均厚度小于等于15μ
m。13.如权利要求1所述的多层电子组件，其中：所述主体具有：第一表面和第二表面，在所述第一方向上彼此相对；第三表面和第四表面，连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此背对；以及第五表面和第六表面，连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且在第三方向上彼此背对，并且所述多层电子组件的在所述第二方向上的最大距离小于等于0.66mm，并且所述多层电子组件的在所述第三方向上的最大距离小于等于0.33mm。14.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，IE1中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值是在通过X射线光电子能谱仪分析的IE1的能谱中对应于Ni(OH)2的能谱的面积与对应于NiO的能谱的面积的比值。15.一种多层电子组件，包括：主体，包括多个第一介电层和多个内电极，所述主体被划分为：电容形成部，在所述电容形成部中，所述多个第一介电层和所述多个内电极在第一方向上交替地设置；第一覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面上并且包括第二介电层；以及第二覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的另一表面上，并且包括第三介电层；以及外电极，设置在所述主体上，其中，在所述多个内电极之中的最靠近所述第一覆盖部设置的内电极被称为IE1，并且在通过X射线光电子能谱仪分析的IE1的能谱中Ni(OH)2峰值与NiO峰值的比值大于等于2.46且小于等于3.55。16.如权利要求15所述的多层电子组件，其中，在IE1的能谱中，NiO峰值大于等于8400且小于等于11000，并且Ni(OH)2峰值大于等于27100且小于等于32800。17.如权利要求15所述的多层电子组件，其中，在通过X射线光电子能谱仪分析的IE1的能谱中，对应于NiO的能谱的面积被称为S1，对应于Ni(OH)2的能谱的面积被称为S2，并且IE1满足4.88≤S2/S1≤7.07。18.如权利要求15所述的多层电子组件，其中，最靠近所述第二覆盖部设置的内电极被称为IE2，并且在通过X射线光电子能谱仪分析的IE2的能谱中，对应于Ni(OH)2的能谱的面积与对应于NiO的能谱的面积的比值大于等于4.5且小于等于7.5。19.如权利要求15所述的多层电子组件，其中，最靠近所述第二覆盖部设置的内电极被称为IE2，在通过X射线光电子能谱仪分析的IE2的能谱中Ni(OH)2峰值与NiO峰值的比值大于等于2.46且小于等于3.55。20.如权利要求15所述的多层电子组件，其中，在所述多个内电极之中的至少一个内电极中，在通过X射线光电子能谱仪分析的所述至少一个内电极的能谱中Ni(OH)2峰值与NiO峰值的比值小于等于0.83。
21.如权利要求15所述的多层电子组件，其中：所述电容形成部的与所述第一覆盖部相邻的区域被称为K1，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴泳俊，金正烈，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：