检测异常的方法技术

一种检测异常的方法包括：使用预定时段包括的多个时间点的不良品数据来计算参考不良率；使用所述参考不良率来计算与所述预定时段之后的检测时间点的不良品数据相对应的检测不良率和权重；基于将所述检测不良率乘以所述权重来计算异常指标；将所述异常指标与对应于用于稳定控制不良率的控制极限的指标进行比较；以及基于所述异常指标与对应于所述控制极限的所述指标的所述比较的结果，来检测所述检测时间点的所述不良品数据是否异常。测时间点的所述不良品数据是否异常。测时间点的所述不良品数据是否异常。

【技术实现步骤摘要】
检测异常的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2021
‑
0122546的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。


[0003]本专利技术构思涉及检测异常的方法。

技术介绍

[0004]随着半导体工艺技术的发展，半导体行业中生产的产品的性能和可靠性也在逐步提高。特别地，可以将半导体产品生产为具有百万分之几(几个PPM)的低不良率。可以管理所生产的半导体产品以便不超过所设定的目标不良率。然而，根据相关技术的管理系统所使用的方法是在获得不良品数据之后响应于不良品数据超过目标不良率来管理不良率。根据相关技术的检测异常的方法是一种直观的方法，但是可能难以在最佳时间做出最佳响应，因为它不考虑取决于质量信息更新的时间点的可变性、样本的数目和/或不良率的变化趋势。

技术实现思路

[0005]一些示例实施例提供一种检测异常的方法，在所述方法中基于通过精确检验方法计算出的检测不良率以及基于不良品数据与目标不良品数据之间的差计算出的权重来执行异常的检测，使得在具有非常低的不良率的领域中提前检测不良率以有效地管理风险。
[0006]根据一些示例实施例，一种检测异常的方法包括：使用预定时段包括的多个时间点的不良品数据来计算参考不良率；使用所述参考不良率来计算与所述预定时段之后的检测时间点的不良品数据相对应的检测不良率和权重；基于将所述检测不良率乘以所述权重来计算异常指标；将所述异常指标与对应于用于稳定控制不良率的控制极限的指标进行比较；以及基于所述比较的结果来检测所述检测时间点的所述不良品数据是否异常。
[0007]根据一些示例实施例，一种检测异常的方法包括：使用预定时段包括的多个时间点的不良品数据来计算参考不良率；使用所述参考不良率和所述预定时段之后的检测时间点的不良品数据根据精确检验(exact test)来计算检测不良率；使用所述检测不良率来计算异常指标；以及基于所述异常指标来检测所述检测时间点的所述不良品数据是否异常。
[0008]根据一些示例实施例，一种检测异常的方法包括：使用预定时段包括的多个时间点的不良品数据来计算参考不良率；使用所述参考不良率来计算所述预定时段包括的所述多个时间点的所述不良品数据的标准差；定义基于所述标准差划分的包括第一区域、第二区域和第三区域的多个状态区域，所述第二区域与所述第三区域之间的边界对应于目标不良品数据的大小；确定所述多个状态区域当中的与所述预定时段之后的检测时间点的不良品数据的状态相对应的区域；以及基于所述检测时间点的所述不良品数据与所述目标不良品数据之间的差来计算权重。
附图说明
[0009]根据结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解本专利技术构思的以上及其他方面、特征和优点。
[0010]图1是图示了根据一些示例实施例的在检测异常的方法中可能发生的问题的图。
[0011]图2是图示了根据一些示例实施例的检测异常的方法的流程图。
[0012]图3是图示了根据一些示例实施例的检测异常的方法的流程图。
[0013]图4、图5和图6是图示了根据一些示例实施例的检测异常的方法的效果的图。
[0014]图7是图示了根据一些示例实施例的检测异常的方法的流程图。
[0015]图8是图示了根据一些示例实施例的在检测异常的方法中定义的多个状态区域的图。
[0016]图9和图10是图示了根据一些示例实施例的检测异常的方法的效果的图。
[0017]图11是图示了根据一些示例实施例的检测异常的方法的流程图。
[0018]图12是图示了根据一些示例实施例的检测异常的方法的应用示例的图。
[0019]图13A、图13B和图13C是图示了根据一些示例实施例的检测异常的方法的应用示例的图。
[0020]图14是根据一些示例实施例的电子装置的框图。
具体实施方式
[0021]在下文中，将参考附图描述示例实施例。
[0022]如本文所描述的，当操作被描述为“通过”执行附加操作来执行时，应理解，可以“基于”附加操作来执行该操作，这可以包括单独执行所述附加操作或结合其他另外的附加操作执行所述附加操作。
[0023]在以下描述中，除非另外指示，否则术语“上”、“上部”、“上表面”、“下”、“下部”、“下表面”、“侧表面”等可以参考图来使用。
[0024]图1是图示了根据一些示例实施例的在检测异常的方法中可能发生的问题的图。
[0025]根据一些示例实施例的检测异常的方法可以应用于具有非常低的不良率的领域。作为示例，在半导体行业的领域中，可以将半导体产品生产为具有百万分之几(几个PPM)水平的非常低的不良率。根据一些示例实施例的检测异常的方法可以被应用于用于生产(“制造”)一个或更多个半导体产品(例如，电子装置、半导体装置等)的制造工艺。用于检测异常的方法在被应用于一个或更多个半导体产品时，可以用于选择性地维持/调整一些或所有制造工艺的工艺参数和/或工艺因素(aspect)(也称为工艺变量)(例如，通过生成被发送到一个或更多个装置的命令信号，所述一个或更多个装置被配置为实现一些或所有的所述调整)，包括选择性地通过/排除由制造工艺制造的一个或更多个半导体产品，以使其进一步包括在制造包括所述半导体产品的电子装置的进一步的制造工艺中，将一个或更多个半导体产品作为用于包装和/或销售的最终完成的产品进行分发等。
[0026]参考图1，具有非常低的不良率的不良品数据可以以第一分布d1的形式出现。作为示例，第一分布d1可以是包括大于0并且明显偏向0的不良品数据的分布。不良品数据可以指示一个或更多个被测装置(DoT)(例如，通过制造工艺制造的一个或更多个半导体产品)就对该(一个或更多个)装置执行的测试而言，未通过测试。这样的测试可以包括观察装置
的可视缺陷、对装置的接口(例如，电极、通信接口等)施加电信号、以及对响应于所施加的电信号而从装置的接口(相同的或不同的)接收到的响应信号进行处理以确定装置是通过测试还是未通过测试等。
[0027]由于第一分布d1不满足正态性，所以可以将它近似处理为诸如第二分布d2的正态分布。然而，由于正态分布是对称分布，所以第二分布d2可以包括小于0的不良品数据，并且概率密度可以在第一分布d1和第二分布d2的右尾部分(例如，部分“A”)处反转。换句话说，基于第二分布d2估计的可以控制不良率的控制极限可能被估计为低于实际可控不良率的极限。
[0028]应用根据一些示例实施例的异常检测方法的领域具有明显低的不良率，导致随着不良品数据的不对称性增加，低估问题可能变得严重。
[0029]作为示例，在不良率的控制极限处于90％的水平的情况下，第一分布d1(不良品数据分布)中的可控不良率水平可以低于第二分布d2(近似正态分布)中的可控不良率水平。因此，这样的情况可能没有问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测异常的方法，所述方法包括：使用预定时段包括的多个时间点的不良品数据来计算参考不良率；使用所述参考不良率来计算与所述预定时段之后的检测时间点的不良品数据相对应的检测不良率和权重；基于将所述检测不良率乘以所述权重来计算异常指标；将所述异常指标与对应于控制极限的指标进行比较，所述控制极限与稳定控制不良率相关联；以及基于所述异常指标与对应于所述控制极限的所述指标的所述比较的结果，来检测所述检测时间点的所述不良品数据是否异常。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述检测时间点的所述不良品数据的大小与目标不良品数据的大小进行比较。3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：基于所述检测时间点的所述不良品数据的大小与所述目标不良品数据的大小的差，将所述检测时间点的所述不良品数据的状态确定为与多个状态区域之一相对应的状态。4.根据权利要求2所述的方法，其中：所述权重随着所述检测时间点的所述不良品数据的大小与所述目标不良品数据的大小的差减小而增大。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：响应于确定出与所述检测时间点的所述不良品数据相对应的所述异常指标低于对应于所述控制极限的所述指标，将所述检测时间点的所述不良品数据的状态确定为稳定状态。6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：响应于确定出与所述检测时间点的所述不良品数据相对应的所述异常指标大于对应于所述控制极限的所述指标，将所述检测时间点的所述不良品数据的大小与目标不良品数据的大小彼此进行比较。7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：响应于确定出所述检测时间点的所述不良品数据的大小小于所述目标不良品数据的大小，将所述检测时间点的所述不良品数据的状态确定为警报状态。8.根据权利要求1所述的方法，其中：基于处于警报状态的不良品数据计算出的所述异常指标是在处于过渡状态的不良品数据被获得之前获得的。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：响应于检测到所述检测时间点的所述不良品数据异常而调整制造工艺的参数；以及基于所述制造工艺的调整后的所述参数来制造产品。10.一种检测异常的方法，所述方法包括：使用预定时段包括的多个时间点的不良品数据来计算参考不良率；使用所述参考不良率和在所述预定时段之后的检测时间点的不良品数据根据精确检验来计算检测不良率；使用所述检测不良率来计算异常指标；以及
基于所述异常指标来检测所述检测时间点的所述不良品数据是否异常。11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：响应于随机变量X遵循二项分布，通过式1来计算检测不良率AP
k
，在所述二项分布中总体比率为p，其中，在式1中，j是所述预定时段的长度，k是从所述预定时段的起点到所述检测时间点的长度，x
i
是所述检测时间点的异常样本量，并且n
i
是每个时间点的样本量。12.根据权利要求10所述的方法，还包括：响应于检测到所述检测时间点的所述不良品数据异常而调整制造工艺的参数；以及基于所述制造工艺的调整后的所述参数来制造产品。13.一种检测异常的方法，所述方法包括：使用预定时段包括的多个时间点的不良品数据来计算参考不良率；使用所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉志镐，卢泰永，吴泰和，郑范锡，姜卜荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：