半导体封装衬底、制造其的方法和半导体封装技术

本公开提供一种半导体封装衬底、制造半导体封装衬底的方法以及半导体封装。根据本公开的一个实施例，半导体封装衬底包含：基底衬底，具有其中设置有第一沟槽的下部表面以及其中设置有第二沟槽和第三沟槽的上部表面，包含电路图案和导电材料；第一树脂，布置在第一沟槽中；以及第二树脂，布置在第二沟槽和第三沟槽中，其中第二沟槽暴露第一树脂的至少一部分。其中第二沟槽暴露第一树脂的至少一部分。其中第二沟槽暴露第一树脂的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装衬底、制造其的方法和半导体封装
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]本申请案基于且主张2021年9月15日在韩国知识产权局中提交的第10
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2021
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0123112号韩国专利申请案的优先权，所述申请案的公开内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开的实施例涉及一种半导体封装衬底、制造所述半导体封装衬底的方法以及半导体封装。

技术介绍

[0004]半导体装置封装在待使用的半导体封装衬底上，且用于封装的半导体封装衬底包含微电路图案和/或输入/输出(I/O)端子。随着实现半导体装置的高性能和/或高集成和使用半导体装置的电子装置的小型化和/或高性能，半导体封装衬底的微电路图案的线宽和复杂性变窄且增加。
[0005]近年来，已引入通过用绝缘材料填充导电基底衬底来制造半导体封装衬底的方法以简化半导体封装衬底的制造工艺。

技术实现思路

[0006]本公开的实施例提供通过简单工艺制造的具有极佳可靠性的半导体封装衬底和半导体封装，以及制造半导体封装衬底的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装衬底，包括：基底衬底，具有其中设置有第一沟槽的下部表面以及其中设置有第二沟槽和第三沟槽的上部表面，所述基底衬底包含电路图案和导电材料；第一树脂，布置在所述第一沟槽中；以及第二树脂，布置在所述第二沟槽和所述第三沟槽中，其中所述第二沟槽暴露所述第一树脂的至少一部分。2.根据权利要求1所述的半导体封装衬底，还包括安装部分，所述安装部分布置在所述基底衬底的所述上部表面上，且半导体芯片安装在所述安装部分上，其中所述第三沟槽布置为相较于所述第二沟槽距所述安装部分更远，且所述第三沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度。3.根据权利要求1所述的半导体封装衬底，其中所述第一树脂和所述第二树脂设置为相同类型的树脂。4.根据权利要求1所述的半导体封装衬底，还包括第四沟槽，所述第四沟槽布置在所述基底衬底的所述上部表面中，其中所述第四沟槽沿着切割线布置。5.根据权利要求4所述的半导体封装衬底，其中所述第二树脂布置在所述第四沟槽中。6.一种制造半导体封装衬底的方法，所述方法包括：在由导电材料形成的基底衬底的下部表面中形成第一沟槽；用第一树脂填充所述第一沟槽；在所述基底衬底的上部表面中形成第二沟槽和第三沟槽；以及用第二树脂填充所述第二沟槽和所述第三沟槽，其中所述第二沟槽形成为暴露所述第一树脂的至少一部分。7.根据权利要求6所述的制造半导体封装衬底的方法，其中所述基底衬底的所述上部表面包含其上安裝有半导体芯片的安装部分，所述第三沟槽布置为相较于所述第二沟槽距所述安装部分更远，以及所述第三沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹东陈，姜圣日，裵仁燮，徐奭圭，片东英，
申请(专利权)人：海成帝爱斯株式会社，
类型：发明
国别省市：