具有过驱动能力的后驱动器和芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种具有过驱动能力的后驱动器和芯片。第一偏置电路被配置为：当下拉电路被使能时，在后驱动器的输出端和上拉电路的第一P沟通金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的栅极之间提供第一电压偏移。第二偏置电路被配置为：当上拉电路被使能时，在后驱动器的输出端和下拉电路的第一N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的栅极之间提供第二电压偏移。因此，尽管上拉电路中的PMOS晶体管和下拉电路中的NMOS晶体管由过驱动电压供电，但它们都能够得到很好的保护。得到很好的保护。得到很好的保护。

【技术实现步骤摘要】
具有过驱动能力的后驱动器和芯片


[0001]本专利技术通常涉及驱动电路，更特别地，涉及具有过驱动能力的后驱动器和芯片。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的发展(例如，缩小到5nm、4nm、3nm或以下)，最大施加电压被抑制(例如，远低于7nm产品的最大施加电压)。如果同一印刷电路板(printed circuit board，PCB)上存在几代芯片，则需要进行过驱动(overdrive)设计。例如，电源系统不仅为新一代芯片提供1.5V电压，还为老一代芯片提供3.3V电压，这意味着针对新一代芯片需要过驱动技术。
[0003]通常，与用于操作新一代晶体管的额定电压(nominal voltage，亦可互换地描述为“标称电压”)VDD相比，过驱动电压使用额定电压VDD的两倍加上增量电压VX。例如，额定电压VDD可能为1.5V，而过驱动电压(2VDD+VX)为3.3V。增量电压VX(例如，0.3V)可能会导致晶体管损坏。例如，栅极
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漏极电压(gate
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drain voltage)可能高达VDD+V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种后驱动器，其特征在于，该后驱动器包括：上拉电路，具有串联耦接在过驱动电压源和该后驱动器的输出端之间的多个P沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管，其中，该多个PMOS晶体管中的第一PMOS晶体管的漏极耦接该后驱动器的输出端；下拉电路，具有串联耦接在该后驱动器的输出端和接地端之间的多个N沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，其中，该多个NMOS晶体管中的第一NMOS晶体管的漏极耦接该后驱动器的输出端；第一偏置电路，被配置为：当该下拉电路被使能时，在该后驱动器的输出端和该第一PMOS晶体管的栅极之间提供第一电压偏移，以在该下拉电路被使能时增大该第一PMOS晶体管的栅极处的电压电平；以及第二偏置电路，被配置为：当该上拉电路被使能时，在该后驱动器的输出端和该第一NMOS晶体管的栅极之间提供第二电压偏移，以在该上拉电路被使能时降低该第一NMOS晶体管的栅极处的电压电平。2.如权利要求1所述的后驱动器，其特征在于，该过驱动电压源用于提供过驱动电压，该过驱动电压为该后驱动器的额定电压的两倍加上增量电压；以及，该第一电压偏移和该第二电压偏移取决于该增量电压。3.如权利要求2所述的后驱动器，其特征在于，该多个PMOS晶体管中的第二PMOS晶体管的漏极耦接到该第一PMOS晶体管的源极；以及，当该下拉电路被使能时，该第二PMOS晶体管的漏极处的电压电平因该第一电压偏移而升高，从而该第二PMOS晶体管得到保护。4.如权利要求3所述的后驱动器，其特征在于，该第二PMOS晶体管的栅极由保护电压偏置，该保护电压等于该额定电压加上该增量电压。5.如权利要求2所述的后驱动器，其特征在于，该多个NMOS晶体管中的第二NMOS晶体管的漏极耦接到该第一NMOS晶体管的源极；以及，当该上拉电路被使能时，该第二NMOS晶体管的漏极处的电压电平因该第二电压偏移而下降，从而该第二NMOS晶体管得到保护。6.如权利要求5所述的后驱动器，其特征在于，该第二NMOS晶体管的栅极被该额定电压偏置。7.如权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾飞，徐薪承，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：