带辅助布线的电极基体的制造方法技术

本发明专利技术为了有效地实施辅助布线形成用层压体和透明导电膜的布图，提供通过光蚀刻法在透明导电膜上实施布图时，抑制对透明导电膜用蚀刻剂的辅助布线的腐蚀，获得辅助布线以及透明带辅助布线的电极基体的制造方法。带辅助布线的电极基体的制造方法，它是对于基体上具有透明导电膜和图案化的辅助布线的基体，通过光刻蚀法在透明导电膜上以平面状实施布图的带辅助布线的电极基体的制造方法，其特征为所述辅助布线从基体侧依次包含以Ａｌ或Ａｌ合金为主要成分的导体层以及覆盖层，未由光致抗蚀剂被覆的所述辅助布线在宽度方向的露出为４μｍ以下，且用于所述透明导电膜的蚀刻的蚀刻剂为非氧化性的酸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及作为有机电致发光(有机EL)显示器等平面显示器用电极布线 适于使用的。
技术介绍
随着近年来的高度信息化，对平面显示器的需要逐步增加。最近，自发光 型且能够低电压驱动的有机E1显示器，在高速响应性、视认性、亮度等方面， 与以前的LCD或PDP相比非常优良，因此作为新一代的显示器倍受瞩目。有 机E1元件基本上形成如下结构，即在锡掺杂氧化铟(以下，称为ITO)的透明电 极(阳极)和金属电极(阴极)之间，从阳极侧依次形成空穴传输层、发光层、电子 传输层等有机质层的结构。近年来对彩色化或高清晰化要求，需要ITO层的更 低电阻化，但一直以来使用于LCD等的ITO层的低电阻化已接近极限。因此， 通过将Al或Al合金等低电阻金属作为辅助布线，与由ITO层形成的透明电极 的组合，实质上实现元件电路的低电阻化。但是，虽然Al或Al合金为低电阻，但存在容易发生小突起(hillock)的 问题或难以与其它金属取得电连接的问题，通常在Al或Al合金的上下或其中 一方形成基底层或覆盖层而使用(例如，参考专利文献1以及2)。特别是，在 Al或Al合金与透明导电膜直接相接时，优选形成基底层或覆盖层。专利文献1日本专利特开2001-311954号公报专利文献2日本专利特开2004-158442号公报
技术实现思路
另外，透明导电膜用蚀刻剂，使由包含Al或Al合金的金属形成的辅助布 线腐蚀。因此，在透明导电膜上形成A1或Al合金的结构时，通常，通过如下 工序制造，即成膜透明导电膜、制作布图而形成透明电极，接着成膜A1类的 膜(包含基底层等)，制作布图而形成辅助布线的工序。因此，在两次的制作布图之间需要成膜工序，存在生产性差的问题。为了解决上述问题，最好是以A1 或Al合金等金属形成辅助布线而获得带辅助布线的基体后，将ITO层等透明导电膜实施布图而形成透明电极，具有对ITO层等透明导电膜实施布图时，通过将辅助布线用抗蚀剂包覆，从而保护辅助布线免受透明导电膜用蚀刻剂的损 伤的方法。但是，在实际的制造工序中，难以用抗蚀剂完全被覆辅助布线，其结果难 以完全保护辅助布线。抗蚀剂的被覆不充分时，实施透明导电膜的布图时辅助 布线被透明导电膜用蚀刻剂腐蚀，使布线电阻变大，其结果存在可靠性降低的 问题。本专利技术的目的在于提供通过抑制透明导电膜用蚀刻剂对辅助布线的腐蚀， 可以有效地实施辅助布线形成用层压体和透明导电膜的布图的，获得形成了辅 助布线以及图案化了的透明导电膜的基体，即，带透明辅助布线的电极基体(以 下，简称带布图的基体)的制造方法。为了达到上述目的，本专利技术提供，它是 对于基体上具有透明导电膜和图案化的辅助布线的基体，采用光刻蚀法在透明 导电膜上以平面状实施布图的，其特征为所述辅助布线从基体侧依次包含以Al或Al合金为主要成分的导体层以及覆盖 层，未由光致抗蚀剂被覆的所述辅助布线在宽度方向的露出为4um以下，且 用于所述透明导电膜的蚀刻的蚀刻剂为非氧化性的酸。在本专利技术中，所述非氧化性的酸以氢溴酸和/或盐酸为主要成分。 本专利技术的，采用光刻蚀法在透明导电膜 上实施布图时，通过使未由光致抗蚀剂被覆的所述辅助布线在宽度方向的露出 为4wm以下，且用于所述透明导电膜的蚀刻的蚀刻剂为非氧化性酸，从而抑 制由包含Al或Al合金的金属形成的辅助布线的腐蚀，不会使布线电阻变大。 因此，可以有效地制造可靠性高的带辅助布线的电极基体。特别是，在对元件 的较长寿命或提高发光特性的要求严格的有机E1显示器等平面显示器中，期待布线的低电阻化，因此通过本专利技术获得的带辅助布线的电极基体极其有用。 附图说明图1是表示使用通过本专利技术的制造方法制造的带辅助布线的电极基体的 有机EL元件之一例的一部分剖视的主视图。图2是图1的A-A线的截面图。 图3是图1的B-B线的截面图。符号的说明1:玻璃基板2:辅助布线2a:基底层2b.导体层2c:覆盖层3:透明电极(阳极)4:有机质层5:Al阴极6:密封罐具体实施方式用图1 3对本专利技术的进行详细地说明。 图1为表示使用由本专利技术的制造方法制造的带辅助布线的电极基体的有机EL 元件之一例的剖面主视图，图2为图1的A-A线的截面图，图3是图1的B-B 线的截面图。带辅助布线的电极基体在玻璃基板1上具有透明电极3，在透明 电极3上具有包含图案化的基底层2a、导体层2b以及覆盖层2c的辅助布线2。在本实施方式中，对在玻璃基板1上依次形成透明导电膜以及层压体后， 首先在层压体上实施布图，然后在透明导电膜上实施布图的方法进行说明，但 本专利技术也可以适用于在玻璃基板1上形成辅助布线2，接着在其玻璃基板1上 形成透明导电膜后，在透明导电膜上实施布图而获得的带辅助布线的电极基板 的制造方法。还有，这时，可以省略本实施例的基底层2a。形成带辅助布线的基体后，在透明电极3上形成具有空穴传输层、发光层、 电子传输层的有机质层4。具有阴极分离器(隔壁)时，在进行有机质层4的真空 蒸镀前，通过光刻蚀法形成隔壁。作为阴极背面电极的Al阴极5，在辅助布线 2、透明导电膜3、有机质层4形成后，以与透明电极3直交的状态，通过真空 蒸镀形成。然后，通过将被虚线包围的部分进行树脂密封而形成密封罐6，从 而形成有机E1元件。形成如上所述的带辅助布线的电极基体时，由于如图1 3辅助布线2和透明电极3具有不同的图案，因此不得不分别制作布图。对此考虑如下方法， 首先将透明导电膜形成于整个玻璃基板1上，按所需的形状制作布图后，形成作为辅助布线2的前体的层压体，再将层压体按所需的形状制作布图而制造辅 助电极2的方法。但是，该方法中，需要在两次的制作布图之间不得不实施成 膜工序，因此在生产性或物流等方面存在问题。为了提高生产性，研究了在玻璃基板1上形成透明导电膜以及层压体后， 首先在层压体上制作布图，然后在透明导电膜上制作布图的方法。在该方法中， 由于可以在连续进行成膜后，再制作各布图，因此可以实现提高生产性。首先 在透明导电膜上制作布图的方法中，制作布图时辅助布线2不存在，因此不需 要考虑辅助布线2对透明导电膜用蚀刻剂的耐久性等问题。但是，如前所述， 首先在玻璃基板1上形成透明导电膜以及层压体的方法中，透明导电膜上制作 布图时存在辅助布线2，因此布图化了的辅助布线2会被暴露于透明导电膜用 蚀刻剂。作为透明导电膜用蚀刻剂，通常使用氧化性的酸和非氧化性的酸的两种。 通常，透明导电膜用蚀刻剂使用氧化性酸时，辅助电极2的所有层都被腐蚀的 情况较多，但使用非氧化性酸时，基底层2a以及覆盖层2c不发生腐蚀的情况 较多。导体层2b不管是氧化性还是非氧化性，由透明导电膜用蚀刻剂腐蚀的 可能性高。为了防止辅助布线2的腐蚀，采用光刻蚀法在透明导电膜上制作布图时， 通过用抗蚀剂覆盖辅助布线2，从而有可能使辅助布线2不会被暴露于透明导 电膜用蚀刻剂。但并不能否定抗蚀剂具有缺点的可能性。另外，也要考虑抗蚀 剂偏离目标部分的情况，此时，辅助布线的边缘部分的一侧未被抗蚀剂被覆而 露出。如果是由于抗蚀剂的缺点或存在伴随位置偏移的辅助布线的露出，则存 在透明导电膜用蚀刻剂从所述部分渗透的问题。特别是，抗蚀剂的缺点靠近辅 助布线2的截面部时，所有的基底层2a、导体层2b以及覆盖层2c都暴露于透 明导电膜用蚀刻剂，本文档来自技高网...

【技术保护点】
带辅助布线的电极基体的制造方法，它是对于基体上具有透明导电膜和图案化的辅助布线的基体，通过光刻蚀法在透明导电膜上以平面状实施布图的带辅助布线的电极基体的制造方法，其特征在于，所述辅助布线从基体侧依次包含以Ａｌ或Ａｌ合金为主要成分的导体层以及覆盖层，未由光致抗蚀剂被覆的所述辅助布线在宽度方向的露出为４μｍ以下，且用于所述透明导电膜的蚀刻的蚀刻剂为非氧化性的酸。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蛭间武彦，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]