半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能够抑制因漏极电极与基板之间的基板电容引起的振铃的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一端子；第二端子；第一芯片，具有与所述第二端子电连接的基板、设置在所述基板上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第一端子电连接的第一漏极电极、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第二端子电连接的第一源极电极、以及所述第一漏极电极与所述基板之间的基板电容；以及电阻部，串联连接在所述第一漏极电极与所述第二端子之间的包括所述基板电容的路径上。路径上。路径上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请以日本专利申请2021
‑
148365号(申请日：2021年9月13日)作为基础申请而享有优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。


[0002]实施方式涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0003]作为功率器件，例如可采用使用了氮化镓(GaN)的横式的HEMT(High Electron Mobility Transistor：高电子迁移率晶体管)。作为这样的GaN器件特有的现象，有时在开关中导通电阻会提高。为了抑制该现象，有时在GaN器件中使基板成为源极电位。

技术实现思路

[0004]实施方式提供一种能够抑制因漏极电极与基板之间的基板电容引起的振铃的半导体装置。
[0005]根据实施方式，半导体装置具备：第一端子；第二端子；第一芯片，具有与所述第二端子电连接的基板、设置在所述基板上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第一端子电连接的第一漏极电极、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第二端子电连接的第一源极电极、以及所述第一漏极电极与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其中，具备：第一端子；第二端子；第一芯片，具有与所述第二端子电连接的基板、设置在所述基板上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第一端子电连接的第一漏极电极、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第二端子电连接的第一源极电极、以及所述第一漏极电极与所述基板之间的基板电容；以及电阻部，串联连接在所述第一漏极电极与所述第二端子之间的包括所述基板电容的路径上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备第二芯片，该第二芯片具有与所述第一芯片的所述第一源极电极电连接的第二源极电极、和与所述第二端子电连接的第二漏极电极。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第一芯片包括常开型的高电子迁移率晶体管HEMT，所述第二芯片包括常闭型的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：杉山亨，吉冈启，洪洪，矶部康裕，小林仁，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：