晶圆片的制程方法及发光二极管芯片巨量转移方法技术

本发明专利技术公开一种晶圆片的制程方法及发光二极管芯片巨量转移方法，所述晶圆片的制程方法包括步骤：提供一衬底；在所述衬底的第一表面生长氮化硅层；在所述衬底的第二表面上生长外延层，所述第二表面与所述第一表面相对设置；刻蚀所述外延层形成多个发光二极管芯片。通过在所述衬底上形成可保护所述衬底的氮化硅层，减小所述衬底的翘曲，进而减小所述晶圆片的翘曲。片的翘曲。片的翘曲。

【技术实现步骤摘要】
晶圆片的制程方法及发光二极管芯片巨量转移方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管芯片转移
，尤其涉及一种晶圆片的制程方法及发光二极管芯片巨量转移方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管芯片具有高亮度、高对比度、高反应性、省电等优异特点，但目前微型发光二极管芯片要实现量产其中一个瓶颈就是巨量转移。晶圆片包括衬底和处于所述衬底的多个发光二极管芯片，一般的晶圆片存在翘曲，在发光二极管芯片进行巨量转移时，背板与处于衬底上的各个发光二极管芯片的间距有较大不同，在用激光剥离发光二极管芯片和衬底时，有时会导致微型发光二极管芯片转移出现较大的偏移和/或偏转，请参见图1。
[0003]因此，如何减小晶圆片的翘曲，避免发光二极管芯片在转移时出现较大的偏移和/或偏转是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种晶圆片的制程方法及发光二极管芯片巨量转移方法，旨在解决现有晶圆片存在较大翘曲，发光二极管芯片在转移过程中，有时会出现较大的偏差和/或偏转的技术问题。
[0005]一种晶圆片的制程方法，所述方法包括：
[0006]提供一衬底。
[0007]在所述衬底的第一表面生长氮化硅层。
[0008]在所述衬底的第二表面上生长外延层，所述第二表面与所述第一表面相对设置。
[0009]刻蚀所述外延层形成多个发光二极管芯片。
[0010]通过在所述衬底上形成可保护所述衬底的氮化硅层，减小所述衬底的翘曲，进而减小所述晶圆片的翘曲。
[0011]可选的，所述氮化硅层的厚度为0.3
‑
2.0um，使得所述氮化硅层能够较好的保护所述衬底以避免所述衬底产生较大的翘曲。
[0012]可选的，所述方法还包括：
[0013]刻蚀所述氮化硅层，形成氮化硅光罩层，所述氮化硅层光罩层用于在剥离所述发光二极管芯片时透过激光。氮化硅光罩层与所述衬底零距离接触，避免在通过激光剥离所述发光二极管芯片与衬底时产生较大的光斑，进而避免激光影响到位于氮化硅光罩层附近的发光二极管芯片。将刻蚀后的氮化硅层直接作为氮化硅光罩层，可以消除将光罩设置在衬底上而产生位置偏差，可提升氮化硅光罩层的转移良率，同时省去了在剥离所述衬底与多个阵列排布的所述发光二极管芯片过程中，在所述衬底上设置光罩的流程。
[0014]可选的，所述刻蚀所述氮化硅层，形成氮化硅光罩层，包括：
[0015]确定各个所述发光二极管芯片投影在所述氮化硅层的位置。
[0016]通过刻蚀各个所述发光二极管芯片投影在所述氮化硅层的位置的氮化硅，形成氮
化硅光罩层，使所述氮化硅光罩层的投影与各个发光二极管芯片错位，在剥离发光二极管芯片和所述衬底时，可避免激光对位于所述氮化硅光罩层附近的发光二极管芯片产生影响。
[0017]可选的，所述发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片和红光发光二极管芯片的一种。
[0018]一种发光二极管芯片巨量转移方法，所述方法包括：
[0019]提供一背板。
[0020]提供一激光，利用所述激光选择性的剥离晶圆片上的发光二极管芯片至所述背板上，其中，所述晶圆片利用如上所述的晶圆片的制程方法所制造。
[0021]由于晶圆片的翘曲较小，在将晶圆片的发光二极管转移到背板时，可减小各个发光二极管芯片转移到背板的位置偏差，同时可减小各个发光二极管芯片出现偏转的程度以及出现偏转的可能性。
[0022]可选的，所述利用所述激光选择性的剥离晶圆片上的发光二极管芯片至所述背板上，包括：
[0023]利用所述激光选择性的穿过氮化硅光罩层中的一个或多个通孔，以剥离所述晶圆片上与所述通孔正对生长的发光二极管芯片至所述背板上。
[0024]所述氮化硅光罩层由在所述衬底的氮化硅层刻蚀形成，氮化硅光罩层与所述衬底零距离接触，避免在通过激光剥离所述发光二极管芯片与衬底时产生较大的光斑，进而避免激光影响到位于光罩附近的发光二极管芯片。将氮化硅层直接作为氮化硅光罩层，可以消除将光罩设置在晶圆片上而产生位置偏差，提升了发光二极管芯片的转移良率。
[0025]可选的，所述利用所述激光选择性的剥离晶圆片上的发光二极管芯片至所述背板上，包括：
[0026]利用所述激光选择性的穿过氮化硅光罩层中的一个或多个通孔，以剥离所述晶圆片上与所述通孔正对生长的发光二极管芯片至所述背板上；使得在剥离发光二极管芯片和所述衬底时，可避免激光对位于所述氮化硅光罩层附近的发光二极管芯片产生影响。
[0027]可选的，所述利用所述激光选择性的剥离晶圆片上的发光二极管芯片至所述背板上，包括：
[0028]将所述晶圆片切分为多个子晶圆片，每个子晶圆片上具有子氮化硅光罩层和至少一个所述发光二极管芯片。
[0029]利用所述激光逐个选择性的穿过各个子氮化硅光罩层中的一个或多个通孔，以剥离各个所述子晶圆片上与所述通孔正对生长的发光二极管芯片至所述背板上；可避免在转移发光二极管芯片时，晶圆片因受力面积较大而导致受力不均。
[0030]可选的，将所述晶圆片切分为多个子晶圆片，包括：
[0031]在所述氮化硅光罩层上刻蚀割道。
[0032]顺着所述割道将所述晶圆片切分多个子晶圆片；使得在将所述晶圆片切分多个子晶圆片时，无须通过识别各个发光二极管芯片的位置来确定割道，简化了切分晶圆片的流程，提高了切分晶圆片的切分效率。
[0033]可选的，利用所述激光选择性的剥离晶圆片上的发光二极管芯片至所述背板上之后，将转移到所述背板上的发光二极管芯片与所述背板焊接。
附图说明
[0034]图1为现有技术中从晶圆片剥离发光二极管芯片的结构示意图；
[0035]图2为本申请实施中晶圆片的制程的流程图；
[0036]图3为图2的其中一个流程中的结构示意图；
[0037]图4为图2的其中一个流程中的结构示意图；
[0038]图5为图2的其中一个流程中的结构示意图；
[0039]图6为图2的其中一个流程中的结构示意图；
[0040]图7为本申请实施例中发光二极管芯片巨量转移的流程示意图；
[0041]图8为图7的其中一个流程中的结构示意图。
[0042]附图标记说明：
[0043]10
‑
晶圆片；
[0044]100
‑
衬底；110
‑
第一表面；120
‑
第二表面；
[0045]200
‑
氮化硅层；210
‑
氮化硅光罩层；211
‑
割道；
[0046]300
‑
外延层；310
‑
发光二极管芯片；
[0047]400
‑
背板。
具体实施方式
[0048]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆片的制程方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底的第一表面生长氮化硅层；在所述衬底的第二表面上生长外延层，所述第二表面与所述第一表面相对设置；刻蚀所述外延层形成多个发光二极管芯片。2.如权利要求1所述的晶圆片的制程方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为0.3
‑
2.0um。3.如权利要求1所述的晶圆片的制程方法，其特征在于，所述方法还包括：刻蚀所述氮化硅层，形成氮化硅光罩层，所述氮化硅层光罩层用于在剥离所述发光二极管芯片时透过激光。4.如权利要求3所述的晶圆片的制程方法，其特征在于，所述刻蚀所述氮化硅层，形成氮化硅光罩层，包括：确定各个所述发光二极管芯片投影在所述氮化硅层的位置；刻蚀各个所述发光二极管芯片投影在所述氮化硅层的位置的氮化硅，形成氮化硅光罩层。5.如权利要求1所述的晶圆片的制程方法，其特征在于，所述发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片和红光发光二极管芯片的一种。6.一种发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，所述方法包括：提供一背板；提供一激光，利用所述激光选择性的剥离晶圆片上的发光二极管芯片至所述背板上，其中，所述晶圆片利用如权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：毛宜天，李欣曈，洪温振，蔡明达，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：