一种SERS基底去除杂峰的方法技术

本发明专利技术公开了一种SERS基底去除杂峰的方法，包括如下步骤：S1、取固定有SERS基底的衬底材料，将含有SERS基底的一面朝上放置，然后将空心管放在SERS基底上，使得SERS基底被完全套在空心管一端的口径范围内；S2、向空心管中加水进行一次浸泡，去除水，加有机溶剂进行二次浸泡，去除有机溶剂，干燥。本发明专利技术可以去除SERS基底中的表面活性剂，去除表面活性剂特征峰的干扰的同时，仍保持良好的基底活性，保持检测结果的准确性。结果的准确性。结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种SERS基底去除杂峰的方法


[0001]本专利技术涉及SERS基底
，尤其涉及一种SERS基底去除杂峰的方法。

技术介绍

[0002]表面增强拉曼散射(Surface
‑
enhanced Raman Scattering，SERS)技术近年已成为环境监测、生物化学传感、疾病诊断等领域常用分析手段。与普通拉曼散射技术相比，表面增强拉曼散射技术具有选择性好、灵敏度高的特点，并可实现对单个分子的检测。
[0003]SERS技术的应用基础是具有高灵敏度的基底形成的灵敏度极高的SERS“热点”。目前通常是将SERS基底液滴加在衬底表面，干燥，使得SERS基底固定在衬底表面。
[0004]目前，在SERS基底的制备过程中，为了调控纳米粒子会用到各种表面活性剂。导致在检测过程中会出现表面活性剂的特征峰，会造成干扰，影响待测峰位的归属，会对检测结果造成误判，影响检测结果的正确判断。

技术实现思路

[0005]基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种SERS基底去除杂峰的方法，本专利技术可以去除SERS基底中的表面活性剂，去除表面活性剂特征峰的干扰的同时，仍保持良好的基底活性，保持检测结果的准确性。
[0006]本专利技术提出了一种SERS基底去除杂峰的方法，包括如下步骤：
[0007]S1、取固定有SERS基底的衬底材料，将含有SERS基底的一面朝上放置，然后将空心管放在SERS基底上，使得SERS基底被完全套在空心管一端的口径范围内；
[0008]S2、向空心管中加水进行一次浸泡，去除水，加有机溶剂进行二次浸泡，去除有机溶剂，干燥。
[0009]优选地，有机溶剂为丁醇。
[0010]优选地，一次浸泡的温度为40
‑
60℃，一次浸泡的时间为20
‑
40min。
[0011]优选地，二次浸泡的温度为30
‑
60℃，二次浸泡的时间为40
‑
80min。
[0012]优选地，水的用量为4
‑
8ml。
[0013]优选地，有机溶剂的用量为4
‑
8ml。
[0014]优选地，水为超纯水。
[0015]优选地，使空心管与衬底材料紧密接触，避免浸泡时液体渗出。
[0016]优选地，空心管的直径为1
‑
1.5cm。
[0017]优选地，空心管口的尺寸形状与SERS基底的尺寸形状吻合。
[0018]有益效果：
[0019]本专利技术选用适宜的溶剂针对性的浸泡洗涤SERS基底，使得SERS基底中的表面活性剂被去除，去除表面活性剂特征峰的干扰；并且选用适宜的溶剂和适宜的洗涤方法，可以使得SERS基底去除表面活性剂的同时，仍能保持良好的活性，保持检测结果的准确性。
[0020]本专利技术处理后的SERS基底，对样品进行检测时，不存在基底的干扰，极大的降低了
对操作人员的专业水平要求；采用仪器自动识别模式时，未处理SERS基底的判别结果准确率仅为70％，而处理后的SERS基底可以将判别结果的准确率提高至98％，避免了基底峰的存在对结果判断的不良影响。
附图说明
[0021]图1为衬底材料、SERS基底、空心管的位置关系图。
[0022]图2为未处理的SERS基底的光谱图。
[0023]图3为经实施例1处理的SERS基底的光谱图。
具体实施方式
[0024]下面，通过具体实施例对本专利技术的技术方案进行详细说明，但是应该明确提出这些实施例用于举例说明，但是不解释为限制本专利技术的范围。
[0025]实施例1
[0026]一种SERS基底去除杂峰的方法，包括如下步骤：
[0027]S1、取固定有SERS基底的衬底材料，将含有SERS基底的一面朝上放置，然后将直径为1cm的柱形空心管放在SERS基底上，使得SERS基底被完全套在柱形空心管一端的口径内，并使柱形空心管与衬底材料紧密接触，避免浸泡时液体渗出(衬底材料、SERS基底、空心管的位置关系如图1所示)；
[0028]S2、向柱形空心管中加入4ml超纯水，然后置于40℃恒温箱中，保温一次浸泡20min，吸出超纯水，然后向柱形空心管中加入4ml丁醇，于40℃保温二次浸泡40min，吸出丁醇，干燥。
[0029]用拉曼光谱仪分别检测未处理的SERS基底、按照实施例1方法处理后的SERS基底，结果如图2
‑
3所示。图2为未处理的SERS基底的光谱图；图3为经实施例1处理的SERS基底的光谱图。
[0030]由图2
‑
3可以看出：未处理的SERS基底中760cm
‑1、1445cm
‑1两处均为表面活性剂的干扰峰；处理后的SERS基底无杂峰干扰，原有杂峰消失。
[0031]用未处理的SERS基底、按照实施例1方法处理后的SERS基底，分别检测浓度为0.1μg/L的百草枯水溶液，检测结果如表1。
[0032]表1检测结果
[0033][0034][0035]由表1可以看出，经本专利技术处理后的SERS基底，检测物质浓度的结果仍然准确，没有太多变化。
[0036]实施例2
[0037]一种SERS基底去除杂峰的方法，包括如下步骤：
[0038]S1、取固定有SERS基底的衬底材料，将含有SERS基底的一面朝上放置，然后将直径为1.5cm的柱形空心管放在SERS基底上，使得SERS基底被完全套在柱形空心管一端的口径内，并使柱形空心管与衬底材料紧密接触，避免浸泡时液体渗出；
[0039]S2、向柱形空心管中加入8ml超纯水，然后置于60℃恒温箱中，保温一次浸泡40min，吸出超纯水，然后向柱形空心管中加入8ml丁醇，于60℃保温二次浸泡80min，吸出丁醇，干燥。
[0040]实施例3
[0041]一种SERS基底去除杂峰的方法，包括如下步骤：
[0042]S1、取固定有SERS基底的衬底材料，将含有SERS基底的一面朝上放置，然后将直径为1cm的柱形空心管放在SERS基底上，使得SERS基底被完全套在柱形空心管一端的口径内，并使柱形空心管与衬底材料紧密接触，避免浸泡时液体渗出；
[0043]S2、向柱形空心管中加入6ml超纯水，然后置于50℃恒温箱中，保温一次浸泡30min，吸出超纯水，然后向柱形空心管中加入6ml丁醇，于50℃保温二次浸泡60min，吸出丁醇，干燥。
[0044]对比例1
[0045]将丁醇替换成水，其他同实施例1。
[0046]对比例2
[0047]将水替换成丁醇，其他同实施例1。
[0048]上述实施例1
‑
3和对比例1
‑
2使用的未处理的SERS基底是同一批次制得的。
[0049]用拉曼光谱仪分别检测经对比例1
‑
2的处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SERS基底去除杂峰的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、取固定有SERS基底的衬底材料，将含有SERS基底的一面朝上放置，然后将空心管放在SERS基底上，使得SERS基底被完全套在空心管一端的口径范围内；S2、向空心管中加水进行一次浸泡，去除水，加有机溶剂进行二次浸泡，去除有机溶剂，干燥。2.根据权利要求1所述SERS基底去除杂峰的方法，其特征在于，有机溶剂为丁醇。3.根据权利要求1或2所述SERS基底去除杂峰的方法，其特征在于，一次浸泡的温度为40
‑
60℃，一次浸泡的时间为20
‑
40min。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述SERS基底去除杂峰的方法，其特征在于，二次浸泡的温度为30
‑
60℃，二次浸泡的时间为40
‑
80min。5.根据权利要求1
‑
4...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨良保，林东岳，
申请(专利权)人：安徽中科赛飞尔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：