一种光刻胶及其应用制造技术

本申请提供一种光刻胶及其应用，属于半导体及集成电路技术领域。光刻胶包括10wt％～30wt％酚醛树脂、2wt％～10wt％重氮萘醌感光剂和0.1wt％～10wt％添加剂。本申请在重氮萘醌型光刻胶中加入含卤素的添加剂，添加剂能够和光刻胶中的其他成分相互作用，从而提高光刻胶的光敏感度，且能够使得光刻胶具有较好的光刻性能，具体表现为侧壁较垂直的形貌。具体表现为侧壁较垂直的形貌。具体表现为侧壁较垂直的形貌。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶及其应用


[0001]本申请涉及半导体及集成电路
，具体而言，涉及一种光刻胶及其应用。

技术介绍

[0002]随着云计算、物联网、5G通信、人工智能等新基建的蓬勃发展，集成电路作为信息产业的核心产业之一，也随之走上高速发展的道路。
[0003]光刻胶是集成电路制作所需的关键性材料，365nm(i线)光刻胶以酚醛树脂、重氮萘醌等主要材料为基础，通过曝光、显影等光刻工艺程序将掩膜版的图案转移复制至硅片上，广泛应用于集成制造电路中几百纳米至几微米的制程中。
[0004]在芯片封装工艺中，需要使用7μm～20μm厚膜光刻胶在基片表面制造各种点、线图案，光刻胶的光敏感度在很大程度上影响封装工艺的生产效率，目前基于酚醛树脂/重氮萘醌的厚膜光刻胶存在的主要问题是光敏感度不足。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种光刻胶及其应用，其能够改善光刻胶的光敏感度，且能够使得光刻胶具有较好的光刻性能。
[0006]本申请的实施例是这样实现的：
[0007]在第一方面，本申请示例提供了一种光刻胶，其包括：10wt％～30wt％酚醛树脂、2wt％～10wt％重氮萘醌感光剂和0.1wt％～10wt％添加剂。
[0008]添加剂的结构式如下：
[0009][0010]其中，R1选自X、C
1～6
烷基
‑
X或(ph)
m
‑
X。
[0011]R2选自H、Y、C
1～6
烷基
>‑
Y、(ph)
n
‑
Y或C
1～4
‑
(ph)
n
‑
Y。
[0012]X、Y各自独立地选自F、Cl、Br或I，m、n取自1～3的整数。
[0013]R3选自
[0014]在上述技术方案中，本申请在重氮萘醌型光刻胶中加入含卤素的添加剂，添加剂能够和光刻胶中的其他成分相互作用，从而提高光刻胶的光敏感度，且能够使得光刻胶具有较好的光刻性能，具体表现为侧壁较垂直的形貌。
[0015]结合第一方面，在本申请的第一方面的第一种可能的示例中，上述R1选自X、C
1～6
烷基
‑
X或(ph)
m
‑
X。
[0016]R2选自H、Y、C
1～6
烷基
‑
Y或(ph)
n
‑
Y。
[0017]结合第一方面，在本申请的第一方面的第二种可能的示例中，上述R2选自H、Y或C
1～6
烷基
‑
Y。
[0018]结合第一方面，在本申请的第一方面的第三种可能的示例中，上述R1选自X或C
1～6
烷基
‑
X。
[0019]结合第一方面，在本申请的第一方面的第四种可能的示例中，上述酚醛树脂的分子量为4000～10000。
[0020]可选地，酚醛树脂的结构式如下：
[0021][0022]其中，a、b或c均能为0。
[0023]结合第一方面，在本申请的第一方面的第五种可能的示例中，上述重氮萘醌感光剂包括2,1,4类重氮萘醌感光剂和/或2,1,5类重氮萘醌感光剂。
[0024]结合第一方面，在本申请的第一方面的第六种可能的示例中，上述光刻胶还包括0.1wt％～5wt％流平剂。
[0025]可选地，流平剂包括硅氧烷类流平剂、聚醚类流平剂和含氟聚甲基丙烯酸甲酯类流平剂中的任意一种或多种。
[0026]可选地，流平剂为硅氧烷类流平剂。
[0027]结合第一方面，在本申请的第一方面的第七种可能的示例中，上述光刻胶还包括40wt％～80wt％溶剂。
[0028]可选地，溶剂包括丙二醇甲醚醋酸酯、2
‑
庚酮和乳酸乙酯中的任意一种或多种。
[0029]结合第一方面，在本申请的第一方面的第八种可能的示例中，上述光刻胶包括20wt％～30wt％酚醛树脂、5wt％～8wt％重氮萘醌感光剂、0.1wt％～2wt％流平剂、40wt％～80wt％溶剂和0.1wt％～3wt％添加剂。
[0030]在第二方面，本申请示例提供了一种上述的光刻胶在集成电路及芯片封装中的应用。
[0031]可选地，光刻胶的厚度为7μm～20μm。
[0032]可选地，光刻胶所用的显影液为氢氧化钾溶液。
[0033]在上述技术方案中，本申请的光刻胶可以通过厚涂的方式应用于集成电路及芯片封装工艺中。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0035]图1为本申请实施例1的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0036]图2为本申请实施例2的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0037]图3为本申请实施例3的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0038]图4为本申请实施例4的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0039]图5为本申请实施例5的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0040]图6为本申请实施例6的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0041]图7为本申请实施例7的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0042]图8为本申请实施例8的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0043]图9为本申请实施例9的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0044]图10为本申请对比例1的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0045]图11为本申请对比例2的光刻胶采用KOH显影液显影后的形貌图；
[0046]图12为本申请实施例1的光刻胶采用TMAH显影液显影后的形貌图。
具体实施方式
[0047]下面将结合实施例对本申请的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本申请，而不应视为限制本申请的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0048]目前，随着云计算、物联网、5G通信、人工智能等新基建的蓬勃发展，集成电路作为信息产业的核心产业之一，也随之走上高速发展的道路。光刻胶是集成电路制作所需的关键性材料，365nm(i线)光刻胶以酚醛树脂、重氮萘醌等主要材料为基础，通过曝光、显影等光刻工艺程序将掩膜版的图案转移复制至硅片上，广泛应用于集成制造电路中几百纳米至几微米的制程中。
[0049]本专利技术人注意到，在芯片封装工艺中，需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶，其特征在于，所述光刻胶包括：10wt％～30wt％酚醛树脂、2wt％～10wt％重氮萘醌感光剂和0.1wt％～10wt％添加剂；所述添加剂的结构式如下：其中，R1选自X、C
1～6
烷基
‑
X或(ph)
m
‑
X；R2选自H、Y、C
1～6
烷基
‑
Y、(ph)
n
‑
Y或C
1～4
‑
(ph)
n
‑
Y；X、Y各自独立地选自F、Cl、Br或I，m、n取自1～3的整数；R3选自2.根据权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，R1选自X、C
1～6
烷基
‑
X或(ph)
m
‑
X；R2选自H、Y、C
1～6
烷基
‑
Y或(ph)
n
‑
Y。3.根据权利要求2所述的光刻胶，其特征在于，R2选自H、Y或C
1～6
烷基
‑
Y。4.根据权利要求3所述的光刻胶，其特征在于，R1选自X或C
1～6<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张咪，李冰，刁翠梅，詹捷，张益涛，陈昕，王文芳，董栋，张宁，
申请(专利权)人：上海彤程电子材料有限公司彤程新材料集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：