容性ＭＥＭＳ传感器设备制造技术

本发明专利技术涉及一种用于感应机械量的容性ＭＥＭＳ传感器设备。为了提供这样的能够在发生机械过载情况后迅速从（接近于）粘接状态恢复过来的容性ＭＥＭＳ传感器设备，提出了这样一种传感器设备包括：－第一偏压单元（Ｖ１），用于为所述ＭＥＭＳ传感元件的第一极板提供第一偏置电压（Ｖ↓［ｂｉａｓ１］），－第二偏压单元（Ｖ２），用于为所述ＭＥＭＳ传感元件的第二极板提供第二偏置电压（Ｖ↓［ｂｉａｓ２］），－信号处理单元（２０），用于处理所述电学量，产生输出信号（Ｖ↓［ＯＵＴ］），－比较器单元（２１），用于将所述输出信号（Ｖ↓［ＯＵＴ］）同参考信号（Ｖ↓［ｒｅｆ］）进行比较，以检测所述ＭＥＭＳ传感元件（１０）的过载情况，并输出比较器信号，－控制单元（２２），用于在所述比较器信号指示过载情况时，通过在过载情况下在第一时间间隔（Ｔ１）内将所述第一极板同第一放电端子（Ｄ）相连，并在第二时间间隔（Ｔ２）内将所述第二极板同第二放电端子（Ｄ）相连的方式，控制所述ＭＥＭＳ传感元件（１０）的放电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于感应机械量的容性ＭＥＭＳ传感器设备，包括：　－容性ＭＥＭＳ传感元件（１０），具有两个间距为ｄ↓［０］的、平行放置的极板（１１、１４），用于将感应到的机械量转换为电学量，所述间距ｄ↓［０］响应于所述机械量（Ｐ）而发生改变，－第一偏压单元（Ｖ１），用于为所述ＭＥＭＳ传感元件的第一极板提供第一偏置电压（Ｖ↓［ｂｉａｓ１］），　－第二偏压单元（Ｖ２），用于为所述ＭＥＭＳ传感元件的第二极板提供第二偏置电压（Ｖ↓［ｂｉａｓ２］），　－信号处理单元（２０），用于处理所述电学量，产生输出信号（Ｖ↓［ＯＵＴ］），　－比较器单元（２１），用于将所述输出信号（Ｖ↓［ＯＵＴ］）同参考信号（Ｖ↓［ｒｅｆ］）进行比较，以检测所述ＭＥＭＳ传感元件（１０）的过载情况，并输出比较器信号，　－控制单元（２２），用于在所述比较器信号指示过载情况时，通过在过载情况下在第一时间间隔（Ｔ１）内将所述第一极板同第一放电端子（Ｄ）相连，并在第二时间间隔（Ｔ２）内将所述第二极板同第二放电端子（Ｄ）相连的方式，控制所述ＭＥＭＳ传感元件（１０）的放电。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：耶罗恩范登博门，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]