系统、装置和方法可以提供包括存储器模块、主板和耦合到存储器模块和主板的闩锁组件的技术，该闩锁组件包括：耦合到主板的连接器，通过第一枢轴点耦合到连接器的第一杆，延伸穿过第一杆中的开口的L形负载构件，通过第二枢轴点耦合到L形负载构件的第二杆，以及用于将L形负载构件偏置远离所述第一杆中的开口的弹簧。闩锁组件可以用作用于压缩安装技术(CMT)和焊盘网格阵列(LGA)连接器加载的双列直插式存储器模块(DIMM)保持组件。存储器模块(DIMM)保持组件。存储器模块(DIMM)保持组件。
【技术实现步骤摘要】
用于压缩安装技术和焊盘网格阵列连接器加载的DIMM保持组件
[0001]概括而言，实施例涉及存储器结构。更具体地，实施例涉及用于压缩安装技术(CMT)和焊盘网格阵列(LGA)连接器加载的双列直插式存储器模块(DIMM)保持组件。
技术介绍
[0002]当前的DIMM外形规格(form factor)使用卡边缘连接器。例如，典型的双倍数据速率5(DDR5)连接器闩锁设计仅将DIMM固定到位置中。结果，信号完整性性能(例如，带宽)可能会降低，并且引脚计数(例如，容量)可能会受到限制。
附图说明
[0003]通过阅读以下说明书和所附权利要求，并通过参考以下附图，本领域技术人员将清楚实施例的各种优点，在附图中：
[0004]图1是根据实施例的LGA连接器和CMT连接器的示例的侧视图；
[0005]图2是根据实施例的处于打开位置的闩锁组件的示例的侧视图；
[0006]图3是根据实施例的处于安装位置的闩锁组件的示例的侧视图；以及
[0007]图4是根据实施例的处于闩锁位置的闩锁组件的示例的侧视图。
具体实施方式
[0008]现在转到图1，示出了第一计算系统10，其中存储器模块12经由LGA连接器16耦合到印刷电路板(PCB，例如主板)14。在图示的示例中，压缩力用于在接触引脚18和存储器模块12之间形成电连接。另外，第二计算系统20包括经由CMT连接器26耦合到PCB 24的存储器模块22。同样，压缩力用于在接触引脚28和存储器模块22之间形成电连接器。相对于传统的边缘卡连接器，压缩力通常提供更好的信号完整性性能(例如，带宽)和增加的引脚计数(例如，容量)。如将更详细讨论的，实施例提供了促进在第一计算系统10和第二计算系统20中实现的压缩力的闩锁组件(latch assembly)。结果，实施例提供了相对于传统边缘卡连接器解决方案的增强的性能。
[0009]图2示出了相对于存储器模块(例如，DIMM)处于打开位置的闩锁组件30。图示的闩锁组件30包括连接器34(例如，LGA连接器、CMT连接器)和经由第一枢轴点38(例如，引脚、铰链)耦合到连接器34的L形杆36。在一个实施例中，第一枢轴点38提供L形杆36围绕其旋转的轴线(例如，到页面中)。闩锁组件30还包括L形负载构件40，其延伸穿过L形杆36中的开口42。纵向(例如，基本笔直的)杆44经由第二枢轴点46(例如，引脚、铰链)耦合到L形负载构件40。在一个示例中，第二枢轴点46提供纵向杆44围绕其旋转的轴线(例如，到页面中)。闩锁组件30还包括弹簧48，其用于将L形负载构件40偏置远离L形杆36中的开口42。因此，在所示的打开位置，纵向杆44使得L形负载构件40压缩弹簧48(例如，由于用户动作)，并且L形杆36可以远离存储器模块32旋转。L形杆36可以可替代地形成为不同于L形的形状(例如，不对称
的T形)。
[0010]图3示出了处于安装位置的闩锁组件30。更具体地，L形杆36朝向存储器模块32旋转，而纵向杆44继续使L形负载构件40压缩弹簧48。特别值得注意的是，L形负载构件40上的突起50远离弹簧48延伸，但具有间隙以与限定存储器模块32中的凹部52的表面对齐。
[0011]图4示出了处于闩锁位置的闩锁组件30。更具体地，L形杆36已经朝向存储器模块32旋转，并且弹簧48将突起50与存储器模块32中的凹部52接合(engage)。因此，通过释放纵向杆44，负载通过L形负载构件40的导向柱施加存储器模块32。结果，闩锁组件30相对于CMT和LGA技术提供更好的信号完整性性能(例如，带宽)和增加的引脚计数(例如，容量)。闩锁组件30的新外形规格和弹簧刚度还使存储器模块32能够满足与CMT和LGA技术相关联的电气性能要求。
[0012]存储器模块32可以是包括非易失性存储器和/或易失性存储器的存储器设备的一部分。非易失性存储器是一种不需要电力来维持介质所存储的数据的状态的存储介质。在一个实施例中，存储器结构是块可寻址存储设备，例如基于NAND或NOR技术的那些。存储设备还可以包括下一代非易失性设备，例如三维(3D)交叉点存储器设备，或其他字节可寻址的就地写入非易失性存储器设备。在一个实施例中，存储设备可以是或可以包括使用以下各项的存储器设备：硅
‑
氧化物
‑
氮化物
‑
氧化物
‑
硅(SONOS)存储器，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，硫属化物玻璃，多阈值级NAND闪存，NOR闪存，单级或多级相变存储器(PCM)，电阻式存储器，纳米线存储器，铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，反铁电存储器，包含忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(MRAM)存储器，包括金属氧化物基，氧空位基和导电桥随机存取存储器(CB
‑
RAM)的电阻存储器，或自旋转移矩(STT)
‑
MRAM，基于自旋电子磁结存储器的设备，基于磁隧道结(MTJ)的设备，基于DW(域壁)和SOT(自旋轨道转移)的设备，基于晶闸管的存储器设备，或上述任何一种的组合，或其他存储器。术语“存储设备”可以指代管芯本身和/或封装的存储器产品。在一些实施例中，3D交叉点存储器可以包括无晶体管的可堆叠交叉点架构，其中存储器单元位于字线和位线的交叉点处并且是可单独寻址的，并且其中位存储基于体电阻的变化。在特定实施例中，具有非易失性存储器的存储器模块可以符合由联合电子器件工程委员会(JEDEC)颁布的一个或多个标准，例如JESD235、JESD218、JESD219、JESD220
‑
1、JESD223B、JESD223
‑
1或其他合适的标准(此处引用的JEDEC标准可在jedec.org处获得)。
[0013]易失性存储器是一种需要电力来维持介质所存储的数据的状态的存储介质。易失性存储器的示例可以包括各种类型的随机存取存储器(RAM)，例如动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)。可以在存储器模块中使用的一种特定类型的DRAM是同步动态随机存取存储器(SDRAM)。在特定实施例中，存储器模块的DRAM符合由JEDEC颁布的标准，例如用于双倍数据速率(DDR)SDRAM的JESD79F、用于DDR2 SDRAM的JESD79
‑
2F、用于DDR3 SDRAM的JESD79
‑
3F或用于DDR4 SDRAM的JESD79
‑
4A(这些标准可在jedec.org处获得)。这样的标准(和类似的标准)可以被称为基于DDR的标准，并且实现这样的标准的存储设备的通信接口可以被称为基于DDR的接口。
[0014]附加说明和示例：
[0015]示例1包括一种性能增强的计算系统，包括：存储器模块；主板；以及闩锁组件，其耦合到所述存储器模块和所述主板，所述闩锁组件包括：耦合到所述主板的连接器；第一
杆，其经由第一枢轴点耦合到所述连接器；L形本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种计算系统，包括：存储器模块；主板；以及闩锁组件，其耦合到所述存储器模块和所述主板，所述闩锁组件包括：连接器，其耦合到所述主板，第一杆，其经由第一枢轴点耦合到所述连接器，L形负载构件，其延伸穿过所述第一杆中的开口，第二杆，其经由第二枢轴点耦合到所述L形负载构件，以及弹簧，其用于将所述L形负载构件偏置远离所述第一杆中的所述开口。2.根据权利要求1所述的计算系统，其中，所述L形负载构件包括远离所述弹簧延伸的突起。3.根据权利要求2所述的计算系统，其中，在闩锁位置，所述第一杆朝向所述存储器模块旋转并且所述弹簧将所述突起与所述存储器模块中的凹部接合。4.根据权利要求1所述的计算系统，其中，在打开位置，所述第二杆使所述L形负载构件压缩所述弹簧并且所述第一杆远离所述存储器模块旋转。5.根据权利要求1所述的计算系统，其中，所述连接器是焊盘网格阵列连接器。6.根据权利要求1所述的计算系统，其中，所述连接器是压缩安装技术连接器。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的计算系统，其中，所述第一杆是L形杆并且所述第二杆是...
【专利技术属性】
技术研发人员：李祥，G，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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