晶片上的器件的保护处理方法技术

本发明专利技术涉及晶片上的器件的保护处理方法。从形成有器件的晶片的背面研磨工序开始到切割结束为止，始终可靠地防止对器件的污染。在形成有器件的晶片(1)的表面涂布涂敷剂(2)以形成涂敷膜，从其上面粘贴背面研磨用的BG胶带(3)，将其表面侧固定并对背面侧进行磨削(4)，从而使晶片薄化。接着，将晶片的背面固定于在晶片框架上绷紧的切割胶带上(5)，然后剥离BG胶带(6)，进行切分成各器件的切割处理(7)，清洗除去到该工序结束为止始终覆盖上述各器件的表面的涂敷膜(8)。的表面的涂敷膜(8)。的表面的涂敷膜(8)。

【技术实现步骤摘要】
晶片上的器件的保护处理方法


[0001]本专利技术涉及对在表面形成有多个器件的晶片的处理方法的改良。

技术介绍

[0002]在以硅或蓝宝石等化合物作为基板的LSI、CMOS、功率器件及其它带图案的晶片上，通过纵横延伸的间隔道划分而形成多个各器件(器件芯片)。
[0003]这样的在表面形成有多个器件的晶片需要使晶片尽可能薄以使收纳有器件的状态下的厚度变薄。因此，用具有粘合性的保护胶带(背面研磨(BG)胶带)覆盖器件侧的表面来进行保护，将该BG胶带侧固定，然后对晶片的背面侧进行磨削，由此进行使晶片的厚度变薄的薄化(背面研磨)处理。
[0004]将结束该薄化处理的晶片的背面粘贴于在晶片框架上绷紧(張設)的切割胶带上，剥离上述表面的BG胶带，然后利用高速旋转的刀片沿着间隔道进行切割，从而将器件单片化。然后，对上述切割胶带照射紫外线(UV)来减弱其粘合作用，将单片化的器件移载到转运(出荷)用的片上，进行纯水清洗，进行器件的检查，然后转运到下一工序。
[0005]在上述以往的工序中，在晶片背面的磨削(背面研磨)工序和单片化(切割)工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶片上的器件的保护处理方法，其特征在于，从进入对在表面形成有器件的晶片的背面进行磨削的薄化工序(背面研磨)之前起，经过背面研磨工序，到器件的切割工序结束为止的期间，始终用涂敷膜保护晶片表面的器件。2.晶片上的器件的保护处理方法，其中，利用涂敷剂在形成有器件的晶片的表面形成涂敷膜，从其上面粘贴背面研磨用的表面保护胶带(BG胶带)，将其表面侧固定并对背面侧进行磨削(背面研磨)，从而使晶片薄化，将晶片的背面固定于在晶片框架上绷紧的切割胶带上，剥离上述BG胶带，清洗除去到切分成各器件的单片化处理(切割)结束为止始终覆盖上述器件的表面的涂敷膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：只野刚，小沼弘典，阿久津悠太，
申请(专利权)人：日化精工株式会社，
类型：发明
国别省市：