【技术实现步骤摘要】
焊接结构及功率器件
[0001]本申请涉及半导体
,特别涉及一种焊接结构及功率器件。
技术介绍
[0002]功率器件是由相关功率电子元件按一定的功能组合再进行封装组成的。功率器件具有高电流密度、耐高压、高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点,可用于变频、放大或稳压等功能。
[0003]现有的功率器件一般主要由底板、电路基板、散热器和功率元件等构成,电路基板通过焊接固定在底板上,功率元件通过焊接固定在电路基板上。其中,底板用于支撑电路基板并通过散热器对电路基板进行散热。
[0004]然而,现有的功率器件的电路基板在焊接过程中可能会产生倾斜,使得电路基板与底板之间的焊接层厚度不均匀,进而导致电路基板与底板的热分布发生变化,功率器件容易产生因结温过高而导致功能失效的现象。有鉴于此,亟需对功率器件进行改进。
技术实现思路
[0005]鉴于上述问题,本申请提供了一种焊接结构及功率器件,能够提高底板和电路基板之间焊接层的均匀性和可靠性,进而能够减少功率器件因结温过高及热循环疲劳而导致功能失效的现象出现 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种焊接结构,用于功率器件,其特征在于,所述焊接结构包括:底板,包括焊接区,所述焊接区设置有多个支撑件,所述支撑件沿第一方向凸出于所述底板的表面,至少部分所述支撑件沿所述焊接区的周侧排布设置;电路基板,设置于所述底板具有所述支撑件的一侧并与所述支撑件抵接,所述电路基板焊接于所述焊接区以形成焊接层,沿所述第一方向上,所述焊接层具有尺寸h1,所述支撑件具有尺寸h2,h1≥h2。2.根据权利要求1所述的焊接结构,其特征在于,所述支撑件的数量密度沿所述焊接区的中心至边缘的方向呈逐渐增大趋势。3.根据权利要求1所述的焊接结构,其特征在于,沿所述第一方向上,所述多个支撑件在所述底板上的正投影面积之和为S1,所述电路基板在所述底板上的正投影面积为S2,1/2≥S1/S2≥1/4。4.根据权利要求1所述的焊接结构,其特征在于,所述支撑件沿...
【专利技术属性】
技术研发人员:乐聪,陈松,黄华兴,
申请(专利权)人:瑞能半导体科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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