气体检漏仪NECL参数测试装置制造方法及图纸

气体检漏仪NECL参数测试装置，涉及红外检测设备，装置由气体检漏仪、气体发生池、面源黑体、抽真空装置、充气体装置、压力检测装置，以及图像采集装置组成。本实用新型专利技术搭建的测试气体检漏仪性能的检测装置，只需通过上位机的控制、采集及计算功能就能完成NECL参数的检测，无需人工进行前期复杂的操作及后期繁琐的计算，且提高了检测精度，保证了结果的可靠性。保证了结果的可靠性。保证了结果的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
气体检漏仪NECL参数测试装置


[0001]本专利技术涉及红外检测设备，尤其涉及一种气体检漏仪的测试装置。

技术介绍

[0002]近年来，制冷或非制冷红外焦平面气体检漏仪产品逐年增多，但是评价传统热像仪的MRTD、NETD等指标已不能满足气体泄漏检测系统的性能评。
[0003]目前，国内检测采用双气室测试方法，这种方法存在的问题是：
①
双气室测试系统的搭建不仅极为复杂，且成本较高，只能停留于实验室阶段，不适用于工业化生产检测中。
②
该方法在检测前使用无红外吸收的氮气对气室进行清洗，无法进行一个有效的计量，所以不能完全保证实验结果的准确。

技术实现思路

[0004]本专利技术提出了一种气体检漏仪NECL参数的测试装置，解决了国内针对气体检漏仪性能检测方法不完善、不统一的问题。
[0005]气体检漏仪NECL参数测试装置，其特征在于装置由气体检漏仪、气体发生池、面源黑体、抽真空装置、充气体装置、压力检测装置，以及图像采集装置组成；气体发生池的一端放置待检测的气体检漏仪，另一端放置面源黑体；抽真空装置、充气体装置、压力检测装置与气体发生池连接；
[0006]所述图像采集装置带Camerlink接口，设置VCE
‑
CLEX02型Camerlink采集卡与气体检漏仪图像接口连接；
[0007]气体发生池为耐压双波段窗口单气室，气室长1m，容积25升，前后面板处分别嵌入一个直径约为18cm的双波段透过锗窗。
[0008]所述气体发生池内充入的气体为甲烷、乙烯。
[0009]所述的气体检漏仪NECL参数测试装置，气体检漏仪、抽真空装置、充气体装置、压力检测装置，以及图像读取装置由相应的电缆连接电源，为其使用供电。
[0010]所述抽真空装置由分子泵与机械泵构成，气体发生池通过出气口与分子泵相连，分子泵与机械泵相连。
[0011]所述充气体装置由流量计、气罐和解压阀构成，气体发生池通过进气口和流量计相连，流量计与气罐相连，气罐上设置了解压阀。
[0012]所述压力检测装置由电离规、电阻规和微机型数显复合真空计构成，电离规及电阻规与微机型数显复合真空计相连。
[0013]本专利技术搭建的测试气体检漏仪性能的检测装置，搭建的成本较低，且可以投入实际生产检测。不仅解决了现有技术中成本过高，测量结果精度低，且只停留在试验阶段等问题，更是将该装置投入了实际的生产检测，填补了该领域的空白，推动了相关产业的经济发展。
附图说明
[0014]图1为本专利技术系统结构示意图。
具体实施方式
[0015]实施例1：气体检漏仪NECL参数测试装置，由上位机1、气体检漏仪2、气体发生池3、面源黑体4、机械泵24、分子泵14、出气口22、压力表21、电离规15、电阻规16、微机型数显复合真空计17、气罐18、解压阀19、流量计20、进气口23组成；
[0016]气体发生池3的一端放置待检测的气体检漏仪2，另一端放置面源黑体4，用以模拟背景温差；气体发生池3上安装有压力表21、电离规15及电阻规16，并设置出气口22与进气口23；
[0017]出气口22与分子泵14相连，分子泵14与机械泵24相连；
[0018]进气口23和流量计20相连，流量计20与气罐18相连，气罐18上设置了解压阀19；
[0019]电离规15及电阻规16与微机型数显复合真空计17相连；电离规15及电阻规16均用以检测气体发生池3内的压力；
[0020]上位机1带Camerlink接口，设置VCE
‑
CLEX02型Camerlink采集卡及专用电缆，上位机1的Camerlink接口与气体检漏仪2图像接口连接，电缆连接电源；
[0021]气体发生池3为耐压双波段窗口单气室，气室长1m，容积25升，前后面板处分别嵌入了一个直径约为18cm的双波段透过锗窗，能透过3～5um的中波普段，也能透过8～12um的长波普段；
[0022]分子泵14为FF
‑
100/150型号分子泵。
[0023]所述的检测装置的使用方法，包括图像采集和预处理、图像分割、图像传递函数计算、图像的噪声计算，以及NECL参数的计算步骤，具体是：
[0024]步骤1，打开机械泵24将气体发生池3内气压抽至数显真空计17显示为20Pa后启动分子泵14接着将气体发生池3内气压抽至1Pa以下；所抽的气体从出气口22中出；
[0025]步骤2，将面源黑体4温差设置为3℃，然后从气罐18通过流量计20和进气口23向气体发生池3中注入600ml气体，关闭气阀，待1
‑
3min使气体均匀稳定后，使用安装在上位机1上的Framelink Express采集软件，通过Camerlink视频采集卡采集图像，并存储于上位机1内存中；
[0026]步骤3，将面源黑体4温差设置为0℃，使用安装在上位机1上的Framelink Express采集软件，通过Camerlink视频采集卡采集图像，并存储于上位机1内存中；
[0027]步骤4，打开机械泵24和分子泵14，将气体发生池3重新抽真空，分次注入体积为700ml、800ml、1200ml、1700ml的气体，重复步骤2、步骤3，分别采集图像并存储于上位机1内存中；
[0028]步骤5，将采集到的黑体温差为3℃时，不同气体体积下的图像在MATLAB 2015软件中打开，选取并截取以面源黑体为背景的图像；
[0029]步骤6，将采集到的黑体温差为0℃时，不同气体体积下的图像在MATLAB 2015软件中打开，选取并截取气体发生池腔体范围内的图像；
[0030]步骤7，将截取到的以面源黑体为背景的图像在MATLAB 2015软件中计算出该气体检漏仪的Sitf参数，Sitf参数计算公式为：
[0031][0032](1)式中，N为采集点的个数，即采集的背景图像张数5，根据采集点个数，使用MATLAB2015软件的图像处理功能直接计算出传递函数Sitf参数值为0.136；
[0033]步骤8，将截取到的气体发生池腔体部分范围内的图像在MATLAB 2015软件中计算出图像的均方根噪声V
rms
参数，V
rms
参数计算公式为：
[0034][0035](2)式中的N为采集点的个数，即发生池腔体范围内的图像张数5，根据采集点个数，使用MATLAB2015软件的图像处理功能直接计算出图像的均方根噪声V
rms
参数值为48.51；
[0036]步骤9，根据Sitf和均方根噪声V
rms
计算出对应的NEC参数值为356.76ppm；NEC参数计算公式为：
[0037][0038]步骤10，根据气体发生池3的气室长度，即腔体长度1m，积分得出该仪器的NECL参数值为178.38ppm/m；NECL参数计算公式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.气体检漏仪NECL参数测试装置，其特征在于：装置由气体检漏仪、气体发生池、面源黑体、抽真空装置、充气体装置、压力检测装置，以及图像采集装置组成；气体发生池的一端放置待检测的气体检漏仪，另一端放置面源黑体；抽真空装置、充气体装置、压力检测装置与气体发生池连接；所述图像采集装置带Camerlink接口，设置VCE
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CLEX02型Camerlink采集卡与气体检漏仪图像接口连接；气体发生池为耐压双波段窗口单气室，气室长1m，容积25升，前后面板处分别嵌入一个直径约为18cm的双波段透过锗窗。2.如权利要求1所述的气体检漏仪NECL参数测试装置，其特征在于所述图像采...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵雪松，史昇，杨光旭，崔保荣，王棪，郭哲民，杨帆，杨帆，王正强，刘国平，王亚楠，槐以涵，
申请(专利权)人：昆明北方红外技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：