一种实现晶圆变形的卡盘及变形方法技术

本发明专利技术涉及半导体晶圆封装技术领域，具体为一种实现晶圆变形的卡盘及变形方法。该卡盘包括卡盘变形部分，所述卡盘变形部分位于底座上，所述卡盘变形部分的上部为平面，下部为向下凸出的凸出部；所述卡盘变形部分的上方设有上传感器，所述底座的上表面的中心设有下传感器。上、下传感器为测距传感器，可以在每次键合前监控变形量，并可以反馈变形量使得变形量更符合工艺需求。在卡盘变形时，晶圆与卡盘变形部分保持同步向上凸出或向下凹陷变形，以此使晶圆上标记点的距离产生纳米级别变化。通过本发明专利技术方法来补偿不同批次晶圆件产生的标记点误差，从而改变了对准时需要的两个标记点间的距离，进而提高了对准精度。进而提高了对准精度。进而提高了对准精度。

【技术实现步骤摘要】
一种实现晶圆变形的卡盘及变形方法


[0001]本专利技术涉及半导体晶圆封装
，特别是涉及一种实现晶圆变形的卡盘及变形方法。

技术介绍

[0002]伴随着对芯片功能的需求不断提高，通过缩小晶体管尺寸来提高性能的方式却愈发困难，因此，集成电路技术逐渐由2D平面向3D集成方向发展。在3D集成技术中，晶圆级键合是实现该技术中最为重要的一个环节。另外由于对晶圆键合精度需求的不断提升，混合键合领域已将对准预键合精度提升到50nm级别，在200nm以下的键合精度需求下，晶圆本身的翘曲引入的误差对精度的影响就越发突出。
[0003]目前设备厂商主要采用的是边缘使用负压吸附晶圆，中心处使用气动吹气的方式使晶圆中部向上鼓起变形，这种方式对于压力控制有很高的需求，且晶圆很薄，刚性较差。在气动驱动下变形后产生的弧形凸起与卡盘本身的高度差对于视觉识别精度会产生较大影响。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种实现晶圆变形的卡盘及变形方法，通过物理方法使吸附于卡盘上的晶圆变形，使晶圆与卡盘变形产生的弧形一致，从而解决晶圆自身翘曲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实现晶圆变形的卡盘，其特征在于：包括卡盘变形部分(1)，所述卡盘变形部分(1)位于底座(2)上，所述卡盘变形部分(1)的上部为平面，下部为向下凸出的凸出部；所述卡盘变形部分(1)的上方设有上传感器(17)，所述底座(2)的上表面的中心设有下传感器(22)；所述卡盘变形部分(1)的上表面上放置有晶圆，所述上传感器(17)位于晶圆上方；所述上传感器(17)用于扫描和测量晶圆上表面的多个测量点与上传感器之间的距离；所述下传感器(22)用于测量卡盘变形部分的下表面中心点与下传感器(22)之间的距离；所述卡盘变形部分(1)下部的凸出部的截面形状呈近似抛物线的弧形结构；所述卡盘变形部分(1)中心部分的厚度大于边缘部分的厚度；所述底座(2)与卡盘变形部分(1)下部的凸出部之间围合成一个独立腔体。2.根据权利要求1所述的实现晶圆变形的卡盘，其特征在于：所述多个测量点为经过晶圆上表面中心点的直线上的等间距的多个点。3.根据权利要求1所述的实现晶圆变形的卡盘，其特征在于：所述卡盘变形部分(1)的中心设有气孔(102)，所述气孔(102)贯通所述卡盘变形部分(1)上部的平面及下部的凸出部；所述卡盘变形部分(1)的上部与下部通过法兰固定在一起。4.根据权利要求1所述的实现晶圆变形的卡盘，其特征在于：所述底座(2)内部设有第一气道(23)和第二气道(24)；所述第一气道(23)的一端与气孔(102)相连通，另一端连接抽真空装置。5.根据权利要求1所述的实现晶圆变形的卡盘，其特征在于：所述底座(2)上表面的中部开设有注入孔(25)，所述第二气道(24)通过注入孔(25)与所述独立腔体相连通。6.根据权利要求1所述的实现晶圆变形的卡盘，其特征在于：所述底座(2)与卡盘变形部分(1)下部的凸出部之间形成有至少一个气室；每个气室均与...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光，张豹，王莎，吴峰，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：