一种磁芯主体的制作方法及磁性器件技术

本申请公开了一种磁芯主体的制作方法及磁性器件。该磁芯主体的制作方法包括以下步骤：提供至少一种合金磁粉，根据所需磁导率对至少一种合金磁粉进行预设配比调整，得到目标合金材料；按预设绝缘包覆方法对目标合金材料进行绝缘包裹处理，以得到目标磁芯主体。本技术方案可在满足磁性器件相关性能要求的同时，避免磁路开气隙处理，使得本磁性器件具有高效率、高电磁抗干扰性能等优点。高电磁抗干扰性能等优点。高电磁抗干扰性能等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种磁芯主体的制作方法及磁性器件


[0001]本申请属于磁芯
，尤其涉及一种磁芯主体的制作方法及磁性器件。

技术介绍

[0002]传统磁性器件的磁路结构主要采用铁氧体磁芯主体来实现，而为了得到所需的磁导率，其需要在传统的铁氧体磁芯主体的磁路上进行开气隙设计。该气隙可以是如图1所示的气隙10，以通过调整气隙10的大小，得到所需的磁导率，来满足磁性器件的相关性能要求。然而，在实际应用过程中发现，这种结构会导致气隙处产生大量的扩散磁通，这些扩散磁通不仅会切割线圈绕组产生高频涡流损耗，使得磁性器件的效率降低，而且会恶化该磁性器件的EMI性能，使得其电磁抗干扰性能变差。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种磁性器件，旨在改善现有磁性器件采用铁氧体结构的磁芯主体时，需在磁芯磁路上开气隙来得到所需的磁导率，导致气隙处产生大量的扩散磁通，造成磁性器件的效率降低及电磁抗干扰性能变差的技术问题。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种磁芯主体的制作方法，包括以下步骤：
[0005]提供至少一种合金磁粉，根据所需磁导率对所述至少一种合金磁粉进行预设配比调整，得到目标合金材料；
[0006]按预设绝缘包覆方法对所述目标合金材料进行绝缘包裹处理，以得到目标磁芯主体。
[0007]可选的，在一些实施例中，所述至少一种合金磁粉包括FeSiCr磁粉、FeNi磁粉、FeSi磁粉以及FeSiAl磁粉中的任意一种或任意几种。
[0008]可选的，在一些实施例中，所述按预设绝缘包覆方法对所述目标合金材料进行绝缘包裹处理，以得到目标磁芯主体的步骤包括：
[0009]对所述目标合金材料进行多次钝化及高温退火处理，以形成包裹所述目标合金材料的绝缘薄膜，得到所述目标磁芯主体。
[0010]可选的，在一些实施例中，所述按预设绝缘包覆方法对所述目标合金材料进行绝缘包裹处理，以得到目标磁芯主体的步骤还包括：
[0011]在形成包裹所述目标合金材料的绝缘薄膜后，对所述绝缘薄膜的表面进行二次绝缘处理，以得到所述目标磁芯主体，所述二次绝缘处理包括对所述绝缘薄膜的表面进行绝缘粉末喷涂、采用PP材质包裹所述绝缘薄膜的表面以及采用PI膜对所述绝缘薄膜的表面进行塑封处理中的任意一种或任意几种。
[0012]第二方面，本申请实施例提供一种磁性器件，包括线圈以及至少一个上述的制作方法所制得的具有预设磁导率的磁芯主体，至少一个所述磁芯主体按预设方式形成无气隙闭合磁路的磁芯体，所述线圈绕制在所述磁芯体上。
[0013]可选的，在一些实施例中，包括两个所述磁芯主体，每个所述磁芯主体包括磁连接
体以及相互平行设置的至少两个磁柱体，所述至少两个磁柱体的一端通过所述磁连接体连接成一体式结构，所述至少两个磁柱体的另一端与另一个所述磁芯主体的所述至少两个磁柱体的另一端一一对应拼接连接，以形成所述磁芯体，且两个所述磁芯主体关于两者之间的拼接面对称设置。
[0014]可选的，在一些实施例中，所述线圈的线型包括漆包线、绝缘线、利兹线、膜包线、自粘线以及扁平线中的任意一种。
[0015]可选的，在一些实施例中，还包括底座，所述底座上形成有一个容置槽体，以对应容置固定所述磁芯体。
[0016]可选的，在一些实施例中，所述底座的材质包括电木、塑胶、尼龙、铁氟龙以及陶瓷中的任意一种。
[0017]可选的，在一些实施例中，还包括多个接线端子，所述多个接线端子分别固设在所述底座上，所述线圈的两端分别与所述多个接线端子进行电性连接。
[0018]在本申请中，磁性器件的磁芯体所采用的磁芯主体，可在制作过程中通过至少一种合金磁粉的预设配比调整来得到所需的磁导率，以满足磁性器件的相关性能要求，因而，该磁芯主体可形成无气隙闭合磁路的磁芯体，进而避免了现有磁性器件采用铁氧体结构的磁芯主体时，需在磁芯磁路上开气隙来得到所需的磁导率，导致气隙处产生大量的扩散磁通，造成磁性器件的效率降低及电磁抗干扰性能变差的技术问题，使得本磁性器件具有高效率、高电磁抗干扰性能等优点。
[0019]另外，由于本申请的磁芯主体在制作过程是按预设绝缘包覆方法对该目标合金材料进行绝缘包裹处理，来得到目标磁芯主体。即形成的磁芯体的表面本身便具备良好的绝缘性能，甚至满足CTIⅢ等级特性，可在无需增大产品面积的前提下，来满足产品对于绝缘及爬电距离的要求，进而还解决了现有磁性器件采用铁氧体结构的磁芯主体时，由于其表面具备绝缘性能，需要通过增加绝缘骨架的尺寸来满足绝缘及爬电距离的要求，而导致产品面积增大的问题。
附图说明
[0020]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
[0021]图1是现有技术提供的铁氧体结构的磁芯主体的开气隙结构示意图。
[0022]图2是本申请实施例磁芯主体的制作方法的流程框图。
[0023]图3是本申请实施例提供的磁性器件的结构示意图。
[0024]图4是图1所示磁性器件的拆分结构示意图。
具体实施方式
[0025]下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
[0026]传统磁性器件的磁路结构主要采用铁氧体磁芯主体来实现，而为了得到所需的磁
导率，其需要在传统的铁氧体磁芯主体的磁路上进行开气隙设计。该气隙可以是如图1所示的气隙10，以通过调整气隙10的大小，得到所需的磁导率，来满足磁性器件的相关性能要求。然而，在实际应用过程中发现，这种结构会导致气隙处产生大量的扩散磁通，这些扩散磁通不仅会切割线圈绕组产生高频涡流损耗，使得磁性器件的效率降低，而且会恶化该磁性器件的EMI性能，使得其电磁抗干扰性能变差。
[0027]基于此，有必要提供一种新的磁性器件的磁芯主体解决方案，以改善现有磁性器件采用铁氧体结构的磁芯主体时，需在磁芯磁路上开气隙来得到所需的磁导率，导致气隙处产生大量的扩散磁通，造成磁性器件的效率降低及电磁抗干扰性能变差的技术问题。
[0028]在一个实施例中，如图2所示，本申请实施例提供一种磁芯主体的制作方法，该制作方法具体可包括以下步骤：
[0029]步骤S110：提供至少一种合金磁粉，根据所需磁导率对至少一种合金磁粉进行预设配比调整，得到目标合金材料。
[0030]具体地，本方法步骤提到的至少一种合金磁粉具体可包括FeSiCr磁粉、FeNi磁粉、FeSi磁粉以及FeSiAl磁粉中的任意一种或任意几种。当至少一种合金磁粉具体仅包括FeSiCr磁粉、FeNi磁粉、FeSi磁粉以及FeSiAl磁粉中的任意一种时，上述对至少一种合金磁粉进行预设配比调整主要指对FeSiCr磁粉、FeNi磁粉、FeSi磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁芯主体的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供至少一种合金磁粉，根据所需磁导率对所述至少一种合金磁粉进行预设配比调整，得到目标合金材料；按预设绝缘包覆方法对所述目标合金材料进行绝缘包裹处理，以得到目标磁芯主体。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述至少一种合金磁粉包括FeSiCr磁粉、FeNi磁粉、FeSi磁粉以及FeSiAl磁粉中的任意一种或任意几种。3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述按预设绝缘包覆方法对所述目标合金材料进行绝缘包裹处理，以得到目标磁芯主体的步骤包括：对所述目标合金材料进行多次钝化及高温退火处理，以形成包裹所述目标合金材料的绝缘薄膜，得到所述目标磁芯主体。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述按预设绝缘包覆方法对所述目标合金材料进行绝缘包裹处理，以得到目标磁芯主体的步骤还包括：在形成包裹所述目标合金材料的绝缘薄膜后，对所述绝缘薄膜的表面进行二次绝缘处理，以得到所述目标磁芯主体，所述二次绝缘处理包括对所述绝缘薄膜的表面进行绝缘粉末喷涂、采用PP材质包裹所述绝缘薄膜的表面以及采用PI膜对所述绝缘薄膜的表面进行塑封处理中的任意一种或任意几种。5.一种磁性器件，其特征在于，包括线圈以及至少一个如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张州，蔡金波，
申请(专利权)人：深圳顺络汽车电子有限公司，
类型：发明
国别省市：