光传感器制造技术

本发明专利技术公开一种光传感器，其包含基板、栅极线、数据线、薄膜晶体管、光感测结构、共通电极线以及第一遮光层。栅极线位于基板上。数据线位于基板上。薄膜晶体管的栅极电连接栅极线。薄膜晶体管的漏极电连接数据线。光感测结构的下电极电连接薄膜晶体管的源极。共通电极线位于基板上。共通电极线电连接光感测结构的上电极。第一遮光层位于基板上。第一遮光层的上表面低于光感测结构的上表面。由俯视观之，第一遮光层至少部分位于数据线与光感测结构之间。之间。之间。

【技术实现步骤摘要】
光传感器


[0001]本专利技术涉及一种光传感器。

技术介绍

[0002]光传感器普遍应用于智能型手机、笔记型电脑或平板电脑等电子装置。除此之外，光传感器也应用于医疗诊断工具。举例来说，配置以接收X光的X光传感器可将通过人体组织的X光转化为可视化影像。如何提出一种可以改善影像的品质问题的光传感器，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的一目的在于提出一种可有效解决上述问题的光传感器。
[0004]本专利技术涉及一种光传感器包含基板、栅极线、数据线、薄膜晶体管、光感测结构、共通电极线以及第一遮光层。栅极线位于基板上。数据线位于基板上。薄膜晶体管的栅极电连接栅极线。薄膜晶体管的漏极电连接数据线。光感测结构的下电极电连接薄膜晶体管的源极。共通电极线位于基板上。共通电极线电连接光感测结构的上电极。第一遮光层位于基板上。第一遮光层的上表面低于光感测结构的上表面。由俯视观之，第一遮光层至少部分位于数据线与光感测结构之间。
[0005]在目前一些实施方式中，第一遮光层与薄膜晶体管的沟道区具有相同的半导体材料。
[0006]在目前一些实施方式中，光传感器进一步包含延伸电极。延伸电极从薄膜晶体管的漏极延伸至数据线下。数据线的部分向下延伸至接触延伸电极。延伸电极至少部分覆盖在第一遮光层上。光感测结构的下电极至少部分覆盖在第一遮光层上。
[0007]在目前一些实施方式中，光感测结构的下电极至少部分覆盖在第一遮光层上。
[0008]在目前一些实施方式中，光感测结构的下电极与第一遮光层分开。
[0009]在目前一些实施方式中，光感测结构的下电极至少部分覆盖在第一遮光层上。
[0010]在目前一些实施方式中，光感测结构的下电极至少部分覆盖在第一遮光层上，光传感器进一步包含延伸电极以及第二遮光层。延伸电极从薄膜晶体管的漏极延伸至数据线下。数据线的部分向下延伸至接触延伸电极。延伸电极至少部分覆盖在第二遮光层上。第一遮光层与第二遮光层分开。
[0011]在目前一些实施方式中，第一遮光层、第二遮光层与薄膜晶体管的沟道区具有相同的半导体材料。
[0012]在目前一些实施方式中，光传感器进一步包含延伸电极。延伸电极从薄膜晶体管的漏极延伸至数据线下。数据线的部分向下延伸至接触该延伸电极。延伸电极与第一遮光层分开。光感测结构的下电极也与第一遮光层分开。
[0013]在目前一些实施方式中，光传感器进一步包含反射层位于基板下。
[0014]综上所述，在本专利技术的一些实施例的光传感器中，通过使用相同材料在单一制作
工艺中形成第一遮光层、第二遮光层以及薄膜晶体管的沟道区，进一步简化制作工艺以及光传感器的结构。适当的将第一遮光层、第二遮光层分配以覆盖光传感器的不同区域以减少光传感器各区域的光线被基板反射回光传感器内部，导致光传感器的感测结果受到影响。通过适当的隔开第一遮光层、第二遮光层、薄膜晶体管以及光感测结构，以避免第一遮光层与第二遮光层在光传感器内部形成漏电路径。配合在光传感器上设置反射层、第一遮光层以及第二遮光层以确保光传感器的感测结果不被反射光所影响。
附图说明
[0015]当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本专利技术的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
[0016]图1A为本专利技术的一些实施例的光传感器的示意图；
[0017]图1B为图1A中线段B
‑
B
’
的剖面侧视图；
[0018]图1C为图1A中线段C
‑
C
’
的剖面侧视图；
[0019]图2A为本专利技术的另一些实施例的光传感器的示意图；
[0020]图2B为图2A中线段B
‑
B
’
的剖面侧视图；
[0021]图2C为图2A中线段C
‑
C
’
的剖面侧视图；
[0022]图3A为本专利技术的另一些实施例的光传感器的示意图；
[0023]图3B为图3A中线段B
‑
B
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的剖面侧视图；
[0024]图3C为图3A中线段C
‑
C
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的剖面侧视图；
[0025]图4A为本专利技术的另一些实施例的光传感器的示意图；
[0026]图4B为图4A中线段B
‑
B
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的剖面侧视图；
[0027]图4C为图4A中线段C
‑
C
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的剖面侧视图；
[0028]图5A为本专利技术的另一些实施例的光传感器的示意图；
[0029]图5B为图5A中线段B
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B
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的剖面侧视图；
[0030]图5C为图5A中线段C
‑
C
’
的剖面侧视图；
[0031]图6为本专利技术的另一些实施例的光传感器的示意图。
[0032]符号说明
[0033]100:光传感器
[0034]110:基板
[0035]120:栅极线
[0036]130:数据线
[0037]140:薄膜晶体管
[0038]142:栅极
[0039]144:源极
[0040]146:沟道区
[0041]148:漏极
[0042]150:光感测结构
[0043]150a:上表面
[0044]152:下电极
[0045]154:光感测层
[0046]156:上电极
[0047]160:共通电极线
[0048]170,172:遮光层
[0049]170a,172a:上表面
[0050]180:延伸电极
[0051]192,194,196:绝缘层
[0052]192H:通孔
[0053]200:反射层
[0054]B
‑
B
’
,C
‑
C
’
:线段
具体实施方式
[0055]以下揭露内容提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述部件及布置的特定实例以简化本专利技术的一些实施方式。当然，此些仅为实例，且并不意欲为限制性的。举例而言，在如下描述中第一特征在第二特征之上或在第二特征上形成可包括其中第一特征与第二特征形成为直接接触的实施例，且也可包括其中额外特征可在第一特征与第二特征之间形成而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，可在本专利技术的各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复系出于简化及清楚目的，且其自身并不表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0056]应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光传感器，包含：基板；栅极线，位于该基板上；数据线，位于该基板上；薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极电连接该栅极线，该薄膜晶体管的漏极电连接该数据线；光感测结构，该光感测结构的下电极电连接该薄膜晶体管的源极；共通电极线，位于该基板上，并电连接该光感测结构的上电极；以及第一遮光层，位于该基板上，该第一遮光层的上表面低于该光感测结构的上表面，且由俯视观之，该第一遮光层至少部分位于该数据线与该光感测结构之间。2.如权利要求1所述的光传感器，其中该第一遮光层与该薄膜晶体管的沟道区具有相同的半导体材料。3.如权利要求1所述的光传感器，进一步包含：延伸电极，从该薄膜晶体管的该漏极延伸至该数据线下，该数据线的一部分向下延伸至接触该延伸电极，其中该延伸电极至少部分覆盖在该第一遮光层上。4.如权利要求3所述的光传感器，其中该光感测结构的该下电极至少部分覆盖在该第一遮光层上。5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：林欣龙，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：