接口电路、存储芯片及存储器的数据访问方法技术

本申请公开了一种接口电路、存储芯片及存储器的数据访问方法。其中，该接口电路包括控制电路、标准接口及协议转换电路，控制电路与存储器的存储阵列连接，存储阵列的每个存储单元的数据端、地址端及指令端分别与控制电路的不同端口连接；标准接口用于接入外部数据及输出读数据；协议转换电路分别与控制电路及标准接口连接，协议转换电路对外部数据进行格式转换，得到符合存储阵列的接口协议的写数据，控制电路将协议转换后的写数据写入存储单元；及控制电路从存储单元获取读数据，协议转换电路用于对读数据进行格式转换，以使标准接口输出符合标准接口协议的读数据。本申请提供的接口电路，能够提高存储器的访问效率。能够提高存储器的访问效率。能够提高存储器的访问效率。

【技术实现步骤摘要】
接口电路、存储芯片及存储器的数据访问方法


[0001]本申请涉及数据传输
，特别是涉及一种接口电路、存储芯片及存储器的数据访问方法。

技术介绍

[0002]传统的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)通过JEDEC标准DRAM接口访问内部存储阵列，一般DRAM内部阵列可划分为多个存储单元，但是由于接口位宽和接口速度的限制，所有存储单元分时复用接口总线，系统每次只能访问DRAM的一个存储单元，访问效率低下，不能充分发挥DRAM的性能。
[0003]而市面上非标准的存储阵列芯片，每个存储单元的控制线、地址线和数据线接口均相互独立，大大提高了数据带宽，但与标准协议不兼容，用户集成灵活性差。

技术实现思路

[0004]本申请主要解决的技术问题是提供一种接口电路、存储芯片及存储器的数据访问方法，能够提高存储器的访问效率。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种接口电路，该接口电路包括控制电路、标准接口及协议转换电路，控制电路与存储器的存储阵列连接，存储阵列的每个存储单元的数据端、地址端及指令端分别与所述控制电路的不同端口连接；标准接口用于接入外部数据及输出读数据；协议转换电路分别与控制电路及标准接口连接，协议转换电路对外部数据进行格式转换，得到符合存储阵列的接口协议的写数据，控制电路将协议转换后的写数据写入存储单元；及控制电路从存储单元获取读数据，协议转换电路用于对读数据进行格式转换，以使标准接口输出符合标准接口协议的读数据。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种存储芯片，该存储芯片包括上述接口电路和存储阵列，接口电路用于接入外部数据，并基于外部数据对存储阵列进行读写操作。
[0007]为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种存储器的数据访问方法，存储器的接口电路包括控制电路、标准接口及协议转换电路，控制电路分别与转换电路及存储器的存储阵列连接，存储阵列的每个存储单元的数据端、地址端及指令端分别与控制电路的不同端口连接；该数据访问方法包括：标准接口接入外部数据，协议转换电路对外部数据进行格式转换，得到写数据；控制电路基于写数据写入存储单元；及控制电路从存储单元获取读数据并反馈给协议转换电路，协议转换电路用于对读数据进行格式转换，以使标准接口输出符合标准接口协议的读数据。
[0008]有益技术效果：本申请提供的接口电路，通过设置协议转换电路、标准接口及控制电路，以及与存储器的存储阵列的每个存储单元的数据端、地址端及指令端分别与控制电路的不同端口连接，控制电路可以用于将协议转换电路对于标准接口接入的外部数据进行格式转换得到的符合存储阵列的接口协议的写数据，写入存储单元。或者控制电路从存储
单元获取读数据并传输给协议转换电路，协议转换电路对读数据进行格式转换后，标准接口能够输出符合标准接口协议的读数据，从而存储器与能够与标准的协议兼容，提高用户集成的灵活性。
附图说明
[0009]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
[0010]图1是本申请提供的接口电路一实施例的结构示意图；
[0011]图2是图1实施例中接标准接口和协议转换电路一实施的结构示意图；
[0012]图3是本申请接口电路与存储器互联一实施例的结构示意图；
[0013]图4是图2实施例中控制电路一实施例的结构示意图；
[0014]图5是图4实施例中NOC电路一实施例的结构示意图；
[0015]图6是图2实施例中控制电路另一实施例的结构示意图；
[0016]图7是本申请存储芯片一实施例的结构示意图；
[0017]图8是本申请提供的存储器的数据访问方法一实施例的流程示意图；
[0018]图9是本申请提供的存储器的数据访问方法另一实施例的流程示意图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。根据本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0020]在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。
[0021]在本申请实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0022]参阅图1，图1是本申请提供的接口电路一实施例的结构示意图。如图1所示，接口电路100包括协议转换电路110、标准接口130及控制电路120，控制电路120分别与协议转换电路110及存储器的存储阵列(图未标注)连接，存储阵列的每个存储单元(图未标注)的数据端、地址端及指令端分别与控制电路120的不同端口连接。其中，标准接口130用于接入外部数据及输出读数据。协议转换电路110分别与控制电路120及标准接口130连接，用于对外
部数据进行格式转换，得到符合存储阵列的接口协议的写数据，控制电路120将协议转换后的写数据写入存储单元；或者控制电路120从存储单元获取读数据，协议转换电路110用于对读数据进行格式转换，以使标准接口130输出符合标准接口130协议的读数据。其中，存储器可以是随机存储器。
[0023]本申请提供的接口电路100，通过设置协议转换电路110、标准接口130及控制电路120，以及与存储器的存储阵列的每个存储单元的数据端、地址端及指令端分别与控制电路120的不同端口连接，控制电路120可以用于将协议转换电路110对于标准接口130接入的外部数据进行格式转换得到的符合存储阵列的接口协议的写数据，写入存储单元。或者控制电路120从存储单元获取读数据并传输给协议转换电路110，协议转换电路110对读数据进行格式转换后，标准接口130能够输出符合标准接口130协议的读数据，从而存储器与能够与标准的协议兼容，提高用户集成的灵活性。
[0024]可选地，参阅图2至图3，图2是图1实施例中接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接口电路，其特征在于，包括：控制电路，与存储器的存储阵列连接，所述存储阵列的每个存储单元的数据端、地址端及指令端分别与所述控制电路的不同端口连接；标准接口，用于接入外部数据及输出读数据；协议转换电路，分别与所述控制电路及所述标准接口连接，所述协议转换电路对所述外部数据进行格式转换，得到符合所述存储阵列的接口协议的写数据，所述控制电路将协议转换后的所述写数据写入所述存储单元；及所述控制电路从所述存储单元获取读数据，所述协议转换电路用于对所述读数据进行格式转换，以使所述标准接口输出符合标准接口协议的读数据。2.根据权利要求1所述的接口电路，其特征在于，所述标准接口包括总线接口，所述协议转换电路包括：总线协议转换电路，分别与所述控制电路及所述总线接口连接，用于对所述外部数据进行格式转换，得到符合所述存储阵列的接口协议的写数据、写地址及写指令，所述控制电路基于所述写指令将所述写数据写入与所述写地址对应的所述存储单元；及对所述外部数据进行转换，得到符合所述存储阵列的接口协议的读地址及读指令，所述控制电路基于所述读指令从与所述读地址对应的所述存储单元读取读数据，并反馈给所述总线协议转换电路，所述总线协议转换电路对所述读数据进行格式转换，以使所述总线接口输出符合总线接口协议的读数据；和/或所述标准接口包括DDR接口，所述协议转换电路包括：DDR协议转换电路，分别与所述控制电路及所述DDR接口连接，用于对所述外部数据进行格式转换，得到符合所述存储阵列的接口协议的写数据、写地址及写指令，所述控制电路基于所述写指令将所述写数据写入与所述写地址对应的所述存储单元；及对所述外部数据进行转换，得到符合所述存储阵列的接口协议的读地址及读指令，所述控制电路基于所述读指令从与所述读地址对应的所述存储单元读取读数据，并反馈给所述DDR协议转换电路，所述DDR协议转换电路对所述读数据进行格式转换，以使所述DDR接口输出符合DDR接口协议的读数据。3.根据权利要求2所述的接口电路，其特征在于，所述控制电路包括：存储控制器及NOC电路，所述NOC电路包括源节点及多个路径节点，所述存储控制器分别与所述总线协议转换电路、所述DDR协议转换电路及所述源节点连接，所述源节点及多个路径节点与所述存储单元一一对应连接，所述存储阵列的每个存储单元的数据端、地址端及指令端分别与对应的所述源节点或者所述路径节点的不同端口连接；其中，所述存储控制器基于所述写指令及所述写地址将所述写数据写入所述源节点，所述源节点及所述路径节点将所述写数据路由至与所述写地址对应的所述存储单元；所述存储控制器基于所述读指令及所述读地址通过所述路径节点及所述源节点汇聚与所述读地址对应的所述存储单元的读数据。4.根据权利要求2所述的接口电路，其特征在于，所述控制电路包括：总线存储控制器及NOC电路，所述NOC电路包括源节点及多个路径节点，所述总线存储控制器分别与所述总线协议转换电路及所述源节点连接，所述源节点及多个路径节点与所述存储单元一一对应连接，所述存储阵列的每个存储单元的数据端、地址端及指令端分别
与对应的所述源节点或者所述路径节点的不同端口连接；其中：所述总线存储控制器基于所述写指令及所述写地址将所述写数据写入所述源节点，所述源节点及所述路径节点将所述写数据路由至与所述写地址对应的所述存储单元；所述总线存储控制器基于所述读指令及所述读地址通过所述路径节点及源节点汇聚与所述读地址对应的所述存储单元的读数据；和/或所述控制电路包括：DDR存储控制器，所述DDR存储控制器分别与所述DDR协议转换电路及所述存储阵列连接，所述存储阵列的每个存储单元的数据端、地址端及指令端分别与所述DDR存储控制器的不同端口连接；其中：所述DDR存储控制器基于所述写指令及所述写地址将所述写数据写入与所述写地址对应的所述存储单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嵩，张衍芳，李乾男，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：