图像传感器及形成方法技术

本发明专利技术提供一种图像传感器及形成方法，于衬底上形成至少两高介电常数层，并于所述衬底内的沟槽的表面上形成至少一高介电常数层，所述沟槽的表面上的高介电常数层的层数少于所述衬底上的高介电常数层，以解决暗电流及白像素的同时，兼而解决鼓包缺陷。本发明专利技术在不增加光罩数量的情况下，于所述衬底及所述衬底内的凹槽形成膜厚不一的高介电常数层，得到工艺流程简单且性能提升的图像传感器。程简单且性能提升的图像传感器。程简单且性能提升的图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种图像传感器及形成方法。

技术介绍

[0002]CMOS图像传感器技术具有高灵敏度、宽动态范围、高分辨率、低功耗、灵活的图像捕获能力以及优良的系统集成能力，在诸多领域得到广泛应用。
[0003]按照光线入射方向，CMOS图像传感器分为前照式（front
‑
side illuminated，FSI）结构和背照式（back
‑
side illuminated，BSI）结构，其中，相较于FSI结构，光从传感器的背面入射，可以更加直接地进入光电二极管，减少了光线损失，因此，BSI结构将成像灵敏度提升到一个新的水平，对画质有明显提升。
[0004]在背照式图像传感器的制造工艺中，需要通过背面减薄工艺对衬底进行减薄，但由此产生的缺陷、悬挂键和损伤等导致暗电流、白像素（White Pixel，WP）等问题，现有技术于减薄后形成覆盖硅衬底背面的高k（High k）介质层，以改善界面状态。
[0005]通常，在BDTI（back<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：于衬底内形成贯穿位于所述衬底上的至少一高介电常数层的沟槽，于所述高介电常数层上形成覆盖所述沟槽的至少另一高介电常数层。2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，两所述高介电常数层的材料相同或不同。3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述位于所述衬底上的至少一高介电常数层之前，于所述衬底上形成第一缓冲层，所述沟槽还贯穿所述第一缓冲层。4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第一缓冲层覆盖所述衬底的背面，形成所述第一缓冲层之前，自所述背面减薄所述衬底。5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，减薄所述衬底之后，形成覆盖所述背面的第一修复层并去除所述第一修复层。6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，采用湿法和/或干法刻蚀工艺以去除所述第一修复层。7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第一缓冲层及所述第一修复层均包括至少一氧化层。8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，采用低温等离子体氧化工艺处理所述背面形成所述氧化层。9.如权利要求1至8任一项所述的形成方法，其特征在于，于衬底内形成贯穿位于所述衬底上的至少一高介电常数层的沟槽之后，于所述沟槽的表面上形成第二缓冲层。10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二缓冲层之前，形成覆盖于所述沟槽的第二修复层并采用湿法和/或干法刻蚀工艺去除所述第二修复层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈林，付文，许乐，孙玉鑫，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：