【技术实现步骤摘要】
异质基板接合的光学组件及其制造方法
[0001]本专利技术是有关于一种光学组件及其制造方法，且特别是有关于一种异质基板接合的光学组件及其制造方法。
技术介绍
[0002]红外线(Infrared，IR)又称红外光，是一种非可见光范围内的电磁波，波长范围从0.76微米(μm)至1,000μm，介于微波与可见光之间，室温下物体所发出的热辐射大多也都介于此波段。近年来，红外线阵列元件对于二维(2D)影像的感测元件可以提供深度感测的辅助数据，使得2D影像可以被处理成三维(3D)影像或者被附加有深度数据，通过发射光源(特别是激光光源)接触到物体的反射光，可以计算发射光源与物体之间的距离。然而，发射光源可能会对人眼造成伤害，因此需要波长大于1μm，又甚至是大于1.3μm的发射光源及感测器，即所谓的对眼睛安全(eye safe)的发射光源。
[0003]通过硅晶片制造的可见光感测装置，例如互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal
‑
Oxide Semiconductor,CMOS)影像感测器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种异质基板接合的光学组件，其特征在于，至少包含：一处理芯片，包含：一含硅的基板；一处理电路；多个读取电路，电连接至所述处理电路；一第一保护层，位于所述处理电路及所述多个读取电路上；以及多个第一导电通孔，贯穿所述第一保护层，且电连接至所述多个读取电路；一个含有非硅基板的光学芯片，包含：一第二保护层，接合于所述第一保护层上；多个第二导电通孔，贯穿所述第二保护层，且接合至所述多个第一导电通孔；以及多个光学像素，制作于所述非硅基板中，并分别通过所述多个第二导电通孔及所述多个第一导电通孔而电连接至所述多个读取电路，其中所述多个光学像素与所述多个读取电路为一对一对应，且所述处理芯片的横向尺寸大于所述光学芯片的横向尺寸；以及一模塑料层，包围所述光学芯片，并且位于所述第一保护层上，其中所述模塑料层具有一个与所述光学芯片的一背面齐平的上表面。2.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，所述第一保护层熔融接合至所述第二保护层，且所述多个第一导电通孔扩散接合至所述多个第二导电通孔。3.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，所述模塑料层的铅直边界与所述处理芯片的铅直边界对齐。4.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，所述模塑料层为利用晶片级封装切割后所形成的具有切痕的模塑料结构。5.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，各所述光学像素的横向尺寸小于或等于10微米。6.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，各所述第一导电通孔的横向尺寸小于或等于1微米。7.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，更包含一光学结构，位于所述光学芯片的所述背面。8.如权利要求7所述的光学组件，其特征在于，所述光学结构包含选自于由准直器、微透镜、滤光器及局部阻光层所组成的群组。9.如权利要求7所述的光学组件，其特征在于，所述光学结构的一部分更位于所述模塑料层上。10.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，所述多个光学像素用于感测波长大于1微米的红外线。11.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，所述多个光学像素用于感测波长大于1.3微米的红外线。12.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，入射的红外光穿透所述非硅基板而直达所述多个光学像素。13.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，为选自于一光感测装置、一光学滤光器、一偏振器、一曲面光学器件、一数字光学器件、一绕射式光学元件及一超透镜所组成的群组。14.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，所述第一保护层的最表面为氧化硅材料。15.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，各所述光学像素的横向尺寸小于或等
于8微米。16.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，各所述光学像素的横向尺寸小于或等于6微米。17.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，各所述光学像素的横向尺寸小于或等于5微米。18.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于，各所述第一导电通孔的横向尺寸等于各所述第二导电通孔的横向尺寸。19...
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