一种人工微结构集成InAs基红外光电探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种人工微结构集成InAs基红外光电探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极制备在阻挡层上，上电极制备在窗口层上，人工微结构制备在窗口层上的上电极内。本发明专利技术的关键点在于提供的光电探测器有效探测波长覆盖范围宽、响应率高、工作温度高、暗电流低和可零偏压工作。流低和可零偏压工作。流低和可零偏压工作。

【技术实现步骤摘要】
一种人工微结构集成InAs基红外光电探测器


[0001]本专利技术涉及半导体光电探测器
，具体涉及一种人工微结构集成 InAs基红外光电探测器。

技术介绍

[0002]中短波红外光电探测技术在军事侦察、红外成像制导、环境监测、智能农业、热光伏等众多军事和民用领域都有着重要的应用。随着科学技术的高速发展，红外光电探测技术的应用场景越来越广泛，对探测器件的综合性能也提出了更高的要求。
[0003]III
‑
V族半导体化合物InAs及其合金由于禁带匹配，载流子迁移率高，且可以在室温下工作等优势，成为制备中短波红外光电探测器的重要材料。然而，目前大多数该类探测器仍存在吸收系数低、响应率不足、暗电流大等缺陷，极大地制约了其实际应用。
[0004]增加响应率和降低暗电流是提高探测器性能的两个主要手段。为了充分吸收红外光，传统探测器吸收层一般都需要具有一定的厚度，原则上讲，采用薄的吸收层可以有效地降低暗电流，不过，薄的吸收层会导致低的量子效率和响应率，因此器件吸收层厚度的选取需要有所平衡。近年来，表面等离激元人工微结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种人工微结构集成InAs红外探测器，包括衬底(1)、阻挡层(2)、吸收层(3)、窗口层(4)，其特征在于：所述InAs红外探测器的结构自下而上依次为衬底(1)、阻挡层(2)、吸收层(3)、窗口层(4)；下电极(5)制备在阻挡层上，上电极(6)制备在窗口层上；人工微结构(7)制备在窗口层(4)上的上电极(6)内。2.如权利要求1所述的人工微结构集成InAs红外探测器，其特征在于，所述衬底(1)是(100)晶向的p型InAs薄膜层。3.如权利要求1所述的人工微结构集成InAs红外探测器，其特征在于，所述吸收层(3)是非故意掺杂的InAs薄膜层，载流子浓度为3
‑5×
10
16

【专利技术属性】
技术研发人员：周子骥，林虹宇，郝加明，胡淑红，孙艳，戴宁，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：