一种晶体硅太阳电池用膜层结构及晶体硅太阳电池、光伏组件和光伏系统技术方案

本实用新型专利技术涉及光伏技术领域，公开了一种晶体硅太阳电池用膜层结构及晶体硅太阳电池、光伏组件和光伏系统，该膜层结构，包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的前表面依次设有载流子选择性层和氢含量调控结构，且晶硅衬底的后表面依次设有载流子选择性层和氢含量调控结构；所述载流子选择性层为同质结构或钝化接触结构，且载流子选择性层的导电类型为N型或P型；所述氢含量调控结构包括依次叠设于载流子选择性层表面的用于调控进入载流子选择性层的氢含量的第一氢阻挡层、提供氢的富氢层和阻挡氢逸出至空气中的第二氢阻挡层。该膜层结构通过结构设计来对氢含量进行调控，在大大提高晶体硅太阳电池的钝化性能的同时，还能有效消除氢致衰减。减。减。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅太阳电池用膜层结构及晶体硅太阳电池、光伏组件和光伏系统


[0001]本技术涉及光伏
，具体涉及一种晶体硅太阳电池用膜层结构及晶体硅太阳电池、光伏组件和光伏系统。

技术介绍

[0002]晶体硅的表面存在大量悬挂键，这些悬挂键会增大晶体硅表面的缺陷态密度，进而增大其界面复合，因此需要通过沉积如氮化硅、氧化铝的钝化膜来降低界面复合。钝化主要分为化学钝化和场钝化，钝化膜所带的固定电荷可以诱导晶体硅表面的能带发生弯曲，从而建立电场来排斥少数载流子到达界面并参与复合过程，这称之为场钝化；钝化膜中含有大量的氢(也即[H])，这些[H]可以有效的饱和晶体硅表面的悬挂键，降低其表面的缺陷态密度，这称之为化学钝化；因此，钝化膜中的[H]对于降低晶体硅的表面复合具有重要的作用。
[0003]随着太阳电池技术的发展，采用具有钝化接触结构的电池，如具有隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的TOPCon电池(也称钝化接触电池)，又如具有本征非晶硅层和掺杂非晶硅层的异质结(SHJ)电池，备受市场青睐，因此，这些具有钝化接触结构的电池有望成为继P型PERC电池后的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳电池用膜层结构，其特征在于，包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的前表面依次设有载流子选择性层和氢含量调控结构，且晶硅衬底的后表面依次设有载流子选择性层和氢含量调控结构；所述载流子选择性层为同质结构或钝化接触结构，且载流子选择性层的导电类型为N型或P型；所述氢含量调控结构包括依次叠设于载流子选择性层表面的用于调控进入载流子选择性层的氢含量的第一氢阻挡层、提供氢的富氢层和阻挡氢逸出至空气中的第二氢阻挡层。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池用膜层结构，其特征在于，所述第一氢阻挡层和第二氢阻挡层为通过物理气相沉积法形成的本征非晶硅层或本征多晶硅层。3.根据权利要求2所述的一种晶体硅太阳电池用膜层结构，其特征在于，所述载流子选择性层为同质结构时，所述第一氢阻挡层的厚度小于第二氢阻挡层的厚度。4.根据权利要求2所述的一种晶体硅太阳电池用膜层结构，其特征在于，所述载流子选择性层为钝化接触结构时，所述第一氢阻挡层的厚度大于第二氢阻挡层的厚度。5.根据权利要求1
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4任一项所述的一种晶体硅太阳电池用膜层结构，其特征在于，所述第一氢阻挡层和第二氢阻挡层的厚度均小于或等于100nm。6.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池用膜层结构，其特征在于，所述富氢层为氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化钛膜中的一种膜或多种膜形成的叠层...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋建婷，包杰，陈春平，胡圣杰，季根华，杜哲仁，沈承焕，林建伟，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：