石墨烯光电传感器及其制备方法、组件和系统技术方案

本发明专利技术公开了石墨烯光电传感器及其制备方法、组件和系统，其中光电传感器包括形成于基底上的源电极、漏电极、石墨烯层以及具有梯度结构的透光有机层，其中石墨烯层覆盖地设置于源电极和漏电极的上层，透光有机层至少形成于石墨烯层表面并由至少两层具有不同内应力的有机材料层形成。本发明专利技术通过优化传感器的敏感部件的结构设置，有效地利用不同应力的多层薄膜结构，从而充分打开石墨烯材料的带隙，从而改善产品的光电性能，从而实现实现产品。从而实现实现产品。从而实现实现产品。

【技术实现步骤摘要】
石墨烯光电传感器及其制备方法、组件和系统


[0001]本专利技术是关于光电技术，特别是关于一种石墨烯光电传感器及其制备方法、组件和系统。

技术介绍

[0002]石墨烯因其优异的电学、热学、机械、光学等性能广泛应用于光电器件。石墨烯是零带隙能带结构，因此难以大量吸收入射光。通过对石墨烯添加力场，可以打破石墨烯晶格的空间反演对称，从而打开石墨烯的带隙。石墨烯带隙的打开可以提高石墨烯的光吸收，从而提高石墨烯光电探测器的性能。而目前对石墨烯施加应力的方法主要是石墨烯转移放置在金属薄片或者高分子薄膜上，对金属片或者高分子膜进行施压产生应变。或者是通过原子力探针的方式在石墨烯上施加应力。以上方式可以有效对石墨烯施加应力。但是这些方式很容易破坏材料。并且石墨烯光电器件的基底一般为硅基底或者二氧化硅基底这，这种刚性基底不能直接施加拉压弯等外作用力。而且石墨烯光电探测器制备完成后在使用过程中也不方便添加一个大型的外力装置来对他施加应力。因此传统施加力场的方式不能在硅基石墨烯光电器件上对石墨烯添加应力。
[0003]现有的石墨烯光电器件大部分是对称电极结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯光电传感器，包括形成于基底上的源电极、漏电极、石墨烯层以及具有梯度结构的透光有机层，其中所述石墨烯层覆盖地设置于所述源电极和漏电极的上层，所述透光有机层至少形成于所述石墨烯层表面并由至少两层具有不同内应力的有机材料层形成。2.如权利要求1所述的石墨烯光电传感器，其特征在于，所述有机材料层的有机材料选自PMMA、PC。3.如权利要求1所述的石墨烯光电传感器，其特征在于，由指向远离石墨烯层方向观察，构成所述透光有机层的有机材料层由不同浓度的有机材料浆料涂布形成。4.如权利要求3所述的石墨烯光电传感器，其特征在于，所述透光有机层包括三层，由指向远离石墨烯层方向观察，第一层有机材料层由浓度为1.1
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1.5wt.％PMMA溶液形成，第二层有机材料层由浓度为2
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3wt.％PMMA溶液形成，第三层有机材料层由浓度为3.5
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4.5wt.％PMMA溶液形成。5.如权利要求1所述的石墨烯光电传感器，其特征在于，所述源电极和漏电极为高度不一致的非对称电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刘杰，黄海鹏，
申请(专利权)人：江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：