异质结太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种异质结太阳能电池，属于太阳能电池制备技术领域。包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片正面依次沉积有正面本征非晶硅薄膜、本征微晶硅薄膜、n型掺杂微晶硅氧薄膜、n型掺杂微晶硅薄膜、正面TCO膜层和正面金属栅线层，所述N型单晶硅片背面依次沉积有背面本征非晶硅薄膜、p型掺杂非晶硅薄膜、背面TCO膜层和背面金属栅线层。通过设置n型掺杂微晶硅氧薄膜来与正面TCO膜层匹配，使得载流子的迁移率明显提高，降低了TCO薄膜电阻，也降低了与金属栅线之间的接触电阻，扩大了光学带隙，增加了光照利用率，同时降低了寄生吸收，大幅提升了异质结太阳能电池的光学性能。幅提升了异质结太阳能电池的光学性能。幅提升了异质结太阳能电池的光学性能。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池


[0001]本技术涉及太阳能电池制备
，尤其涉及一种异质结太阳能电池。

技术介绍

[0002]光伏发电技术是当前最具潜力的可持续发展能源之一，近些年出现最多的硅基太阳能电池已成为主流，但随着多次的技术革新，目前市场占比最大的PERC电光电池转换效率以及降本空间已到极限，因此需要发展一种更为高效、低成本的太阳电池满足市场的需要。异质结(HJT)太阳能电池技术由于其双面性能、低工作温度系数和相对简单的制造工艺，在提升转换效率和向大规模生产升级方面都显示出了巨大的潜力。
[0003]目前异质结太阳能电池制备方法为：将N型硅片进行清洗、制绒，然后分别在硅片正背面沉积非晶硅薄膜，在硅片一侧非晶薄膜上沉积n型掺杂非晶硅，在硅片另一侧非晶硅薄膜上沉积p型掺杂非晶硅，形成PN结。异质结太阳能电池较高的转换效率主要来源于电池较高的开路电压，这是由于其内部非晶硅钝化效果优异，氢化非晶硅有效地减少了硅基悬挂键，降低了界面态缺陷密度。但目前的异质结太阳能电池的短路电流偏低，这是由于其内部非晶硅钝化层较厚，且带隙较窄，对太阳光的有效利用率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括N型单晶硅片(1)，所述N型单晶硅片(1)正面依次沉积有正面本征非晶硅薄膜(2)、本征微晶硅薄膜(3)、n型掺杂微晶硅氧薄膜(4)、n型掺杂微晶硅薄膜(5)、正面TCO膜层(6)和正面金属栅线层(7)，所述N型单晶硅片(1)背面依次沉积有背面本征非晶硅薄膜(8)、p型掺杂非晶硅薄膜(9)、背面TCO膜层(10)和背面金属栅线层(11)。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面本征非晶硅薄膜(2)的沉积厚度为1
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15nm。3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征微晶硅薄膜(3)的沉积厚度为0.2
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5nm。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂微晶硅氧薄膜(4)的沉积厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文亮，鲍少娟，杨立友，王继磊，黄金，师海峰，杨骥，任法渊，潘国鑫，李莎，吕霞，
申请(专利权)人：晋能光伏技术有限责任公司，
类型：新型
国别省市：