太阳能电池及其形成方法、光伏组件技术

本申请实施例涉及光伏技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其形成方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底；位于基底正面的第一隧穿氧化层；位于第一隧穿氧化层远离基底的表面的掺氧多晶硅层；位于基底背面的第二隧穿氧化层；位于第二隧穿氧化层远离基底的表面的第一掺杂多晶硅层；位于掺氧多晶硅层远离基底的表面的多个沿第一方向间隔排布的第二掺杂多晶硅层；位于远离基底的第二掺杂多晶硅层的表面的第一钝化层；位于远离基底的第二掺杂多晶硅层之间的掺氧多晶硅层的表面上的第二钝化层；沿正面指向背面的方向上贯穿第一钝化层的正面电极。本申请实施例至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。的光电转换效率。的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其形成方法、光伏组件


[0001]本申请实施例涉及光伏
，特别涉及一种太阳能电池及其形成方法、光伏组件。

技术介绍

[0002]太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的半导体器件，可用于获取清洁、安全和可再生的能源。由于太阳能电池对减少污染环境具有重要意义，所以关于太阳能电池的制造也受到了广泛的关注。
[0003]影响太阳能电池性能(例如光电转换效率)的原因包括光学损失以及电学损失，光学损失包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失等，电学损失包括半导体表面及体内的光生载流子复合以及半导体和金属的接触电阻等损失。为了提高太阳能电池的光电转换性能，通常会在太阳能电池表面制备钝化结构，以抑制太阳能电池表面的载流子复合，然而，目前太阳能电池的钝化结构存在钝化效果差以及影响太阳能电池光电转换效率的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种太阳能电池及其形成方法、光伏组件，至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
[0005]本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，基底具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对的正面以及背面；第一隧穿氧化层，所述第一隧穿氧化层位于所述正面；掺氧多晶硅层，所述掺氧多晶硅层位于所述第一隧穿氧化层远离所述基底的表面；第二隧穿氧化层，所述第二隧穿氧化层位于所述基底的背面；第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层位于所述第二隧穿氧化层远离所述基底的表面；多个沿所述第一方向间隔排布的第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层位于所述掺氧多晶硅层远离所述基底的表面；第一钝化层，所述第一钝化层位于远离所述基底的所述第二掺杂多晶硅层的表面；第二钝化层，所述第二钝化层位于远离所述基底的所述第二掺杂多晶硅层之间的所述掺氧多晶硅层的表面上；正面电极，所述正面电极沿所述正面指向所述背面的方向上贯穿所述第一钝化层，且与所述第二掺杂多晶硅层相接触。2.根据权利要求1所述太阳能电池，其特征在于，沿所述背面指向所述正面的方向上，所述第一隧穿氧化层的厚度为0.5nm～2nm。3.根据权利要求1所述太阳能电池，其特征在于，沿所述背面指向所述正面的方向上，所述掺氧多晶硅层的厚度为13nm～17nm。4.根据权利要求1所述太阳能电池，其特征在于，沿所述背面指向所述正面的方向上，所述第二掺杂多晶硅层的厚度为20nm～60nm。5.根据权利要求1所述太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶硅层在所述掺氧多晶硅层远离所述基底的表面上的正投影的面积为第一面积，所述第二掺杂多晶硅层之间的间隔区域在所述掺氧多晶硅层远离所述基底的表面上的正投影的面积为第二面积，所述第一面积小于所述第二面积。6.根据权利要求1所述太阳能电池，其特征在于，所述正面电极在所述掺氧多晶硅层远离所述基底的表面上的正投影落在所述第二掺杂多晶硅层在所述掺氧多晶硅层远离所述基底的表面上的正投影内。7.根据权利要求1所述太阳能电池，其特征在于，还包括第三钝化层，所述第三钝化层位于所述第二掺杂多晶硅层的侧面；所述第二钝化层位于所述掺氧多晶硅层的表面。8.根据权利要求1所述太阳能电池，其特征在于，沿所述背面指向所述正面的方向上，所述第一钝化层与所述第二钝化层的高度相同。9.根据权利要求7所述太阳能电池，其特征在于，沿所述背面指向所述正面的方向上，所述第一钝化层的厚度为第一厚度，所述第二钝化层的厚度为第二厚度，沿垂直于所述背面指向所述正面的方向上，所述第三钝化层的厚度为第三厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度和所述第二厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭致远，
申请(专利权)人：晶科能源海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：