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本发明公开了一种人工微结构集成InAs基红外光电探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极制备在阻挡层上，上电极制备在窗口层上，人工微结构制备在窗口层上的上电极内。本发明的...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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