一种电子屏蔽膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于电子屏蔽技术领域，具体涉及一种电子屏蔽膜及其制备方法和应用。本发明专利技术提供的电子屏蔽膜，包括透光基板和附着于所述透光基板表面的功能层；所述功能层包括依次层叠的第一二氧化硅膜层、第一五氧化二铌膜层、银/钯合金膜层、ITO膜层、第二五氧化二铌膜层和第二二氧化硅膜层；所述第一二氧化硅膜层直接与透光基板接触。由实施例结果可知本发明专利技术提供的电子屏蔽膜的电阻为2.3～3.5欧姆；对对波长为450～650nm可见光的透光率为85％以上；本发明专利技术提供的电子屏蔽膜兼具良好的电磁波屏蔽效果和透光率。和透光率。和透光率。

【技术实现步骤摘要】
一种电子屏蔽膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于电子屏蔽
，具体涉及一种电子屏蔽膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]电子屏蔽膜也叫EMI保护膜或吸波材料，主要是对内部线路起减弱或消除电磁干扰的作用。随着科技发展电子屏蔽膜的应用领域逐渐加宽，同时也对电子屏蔽膜提出了更高的要求，不仅需要对电磁干扰具有良好的屏蔽效果，也需要具有良好的采光性能。
[0003]传统的电子屏蔽膜是将铜膜涂覆到玻璃上后再做成光栅，起到屏蔽电磁波和透光的作用，但是光栅的屏蔽性能和透光性能会彼此影响，在保证电子屏蔽膜对电磁波屏蔽性能的前提下其透光率小于70％，严重制约电子屏蔽膜的应用。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种电子屏蔽膜及其制备方法和应用，本专利技术提供的电子屏蔽膜具有良好电磁波屏蔽效果的同时兼具良好的透光率。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种电子屏蔽膜，包括透光基板1和附着于所述透光基板1表面的功能层2；
[0006]所述功能层2包括依次层叠的第一二氧化硅膜层2
‑
1、第一五氧化二铌膜层2
‑
2、银/钯合金膜层2
‑
3、ITO膜层2
‑
4、第二五氧化二铌膜层2
‑
5和第二二氧化硅膜层2
‑
6；所述第一二氧化硅膜层2
‑
1直接与透光基板1接触。
[0007]优选的，所述第一二氧化硅膜层2
‑
1的厚度为5～20nm，所述第一五氧化二铌膜层2
‑
2的厚度为30～40nm，所述银/钯合金膜层2
‑
3的厚度为5～7nm，所述ITO膜层2
‑
4的厚度为25～35nm，所述第二五氧化二铌膜层2
‑
5的厚度为20～30nm，所述第二二氧化硅膜层2
‑
6的厚度为100～120nm。
[0008]优选的，所述第一二氧化硅膜层2
‑
1的厚度为10～15nm，所述第一五氧化二铌膜层2
‑
2的厚度为33～36nm，所述银/钯合金膜层2
‑
3的厚度为5.5～6.5nm，所述ITO膜层2
‑
4的厚度为27～32nm，所述第二五氧化二铌膜层2
‑
5的厚度为25～28nm，所述第二二氧化硅膜层2
‑
6的厚度为113～117nm。
[0009]优选的，所述透光基板1包括玻璃或光学PET薄膜。
[0010]本专利技术还提供上述技术方案所述电子屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：
[0011]在透光基板1表面依次磁控溅射第一二氧化硅膜层2
‑
1、第一五氧化二铌膜层2
‑
2、银/钯合金膜层2
‑
3、ITO膜层2
‑
4、第二五氧化二铌膜层2
‑
5和第二二氧化硅膜层2
‑
6，得到所述电子屏蔽膜。
[0012]优选的，磁控溅射第一二氧化硅膜层2
‑
1的温度为150～250℃，溅射功率为6～10kW，真空度小于0.5Pa；
[0013]磁控溅射第二二氧化硅膜层2
‑
6的温度为220～280℃，溅射功率为50～60kW，真空度为0.2～0.5Pa。
[0014]优选的，磁控溅射第一五氧化二铌膜层2
‑
2的温度为220～280℃，溅射功率为10～15kW，真空度为0.4～0.5PaPa；
[0015]磁控溅射第二五氧化二铌膜层2
‑
5的温度为300～370℃，溅射功率为10～15kW，真空度为0.2～0.5Pa。
[0016]优选的，磁控溅射银/钯合金膜层2
‑
3的温度为300～350℃，溅射功率为8～10kW，真空度为0.2～0.5Pa。
[0017]优选的，磁控溅射ITO膜层2
‑
4的温度为300～400℃，溅射功率为10～15kW，真空度为0.2～0.5Pa。
[0018]本专利技术还提供上述技术方案所述电子屏蔽膜或上述技术方案所述所制备方法制备得到的电子屏蔽膜在战车或飞行器中的应用。
[0019]本专利技术提供了一种电子屏蔽膜，包括透光基板1和附着于所述透光基板表面的功能层2；所述功能层2包括依次层叠的第一二氧化硅膜层2
‑
1、第一五氧化二铌膜层2
‑
2、银/钯合金膜层2
‑
3、ITO膜层2
‑
4、第二五氧化二铌膜层2
‑
5和第二二氧化硅膜层2
‑
6；所述第一二氧化硅膜层2
‑
1直接与透光基板1接触。在本专利技术中所述银/钯合金膜层2
‑
3和ITO膜层2
‑
4主要起导电的作用能够很好的屏蔽电磁波，使电子屏蔽膜具有良好的电磁屏蔽效果。本专利技术在第一二氧化硅膜层2
‑
1、第一五氧化二铌膜层2
‑
2、银/钯合金膜层2
‑
3、ITO膜层2
‑
4、第二五氧化二铌膜层2
‑
5和第二二氧化硅膜层2
‑
6共同作用下形成干涉，提高了电子屏蔽膜的透光率。由实施例结果可知本专利技术提供的电子屏蔽膜的电阻为2.3～3.5欧姆；对对波长为450～650nm可见光的透光率为85％以上；本专利技术提供的电子屏蔽膜兼具良好的电磁波屏蔽效果和透光率。
附图说明
[0020]图1为电子屏蔽膜结构示意图，其中1为透光基板，2为功能层，2
‑
1为第一二氧化硅膜层，2
‑
2为第一五氧化二铌膜层，2
‑
3为银/钯合金膜层，2
‑
4为ITO膜层，2
‑
5为第二五氧化二铌膜层，2
‑
6为第二二氧化硅膜层。
具体实施方式
[0021]本专利技术提供了一种电子屏蔽膜，包括透光基板1和附着于所述透光基板表面的功能层2。
[0022]在本专利技术中，所述透光基板优选包括玻璃或光学PET薄膜，更优选为玻璃。在本专利技术中，所述透光基板1的厚度优选为0.3～200mm，更优选为10～100mm。
[0023]在本专利技术中，所述功能层2包括依次层叠的第一二氧化硅膜层2
‑
1、第一五氧化二铌膜层2
‑
2、银/钯合金膜层2
‑
3、ITO膜层2
‑
4、第二五氧化二铌膜层2
‑
5和第二二氧化硅膜层2
‑
6；所述第一二氧化硅膜层2
‑
1直接与透光基板接触。在本专利技术中，所述第一二氧化硅膜层2
‑
1的厚度优选为5～20nm，更优选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子屏蔽膜，包括透光基板(1)和附着于所述透光基板(1)表面的功能层(2)；所述功能层(2)包括依次层叠的第一二氧化硅膜层(2
‑
1)、第一五氧化二铌膜层(2
‑
2)、银/钯合金膜层(2
‑
3)、ITO膜层(2
‑
4)、第二五氧化二铌膜层(2
‑
5)和第二二氧化硅膜层(2
‑
6)；所述第一二氧化硅膜层(2
‑
1)直接与透光基板(1)接触。2.根据权利要求1所述电子屏蔽膜，其特征在于，所述第一二氧化硅膜层(2
‑
1)的厚度为5～20nm，所述第一五氧化二铌膜层(2
‑
2)的厚度为30～40nm，所述银/钯合金膜层(2
‑
3)的厚度为5～7nm，所述ITO膜层(2
‑
4)的厚度为25～35nm，所述第二五氧化二铌膜层(2
‑
5)的厚度为20～30nm，所述第二二氧化硅膜层(2
‑
6)的厚度为100～120nm。3.根据权利要求1或2所述电子屏蔽膜，其特征在于，所述第一二氧化硅膜层(2
‑
1)的厚度为10～15nm，所述第一五氧化二铌膜层(2
‑
2)的厚度为33～36nm，所述银/钯合金膜层(2
‑
3)的厚度为5.5～6.5nm，所述ITO膜层(2
‑
4)的厚度为27～32nm，所述第二五氧化二铌膜层(2
‑
5)的厚度为25～28nm，所述第二二氧化硅膜层(2
‑
6)的厚度为113～117nm。4.根据权利要求1所述电子屏蔽膜，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丙彰，黄明霞，
申请(专利权)人：深圳市秉兴光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：