一种纳米银线-铜线梯度分布电磁屏蔽膜及制备方法技术

本发明专利技术涉及电磁屏蔽膜制备技术领域，且公开了一种纳米银线

【技术实现步骤摘要】
一种纳米银线
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铜线梯度分布电磁屏蔽膜及制备方法


[0001]本专利技术涉及电磁屏蔽膜制备
，具体为一种纳米银线
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铜线梯度分布电磁屏蔽膜及制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子元器件工作频率的提高和封装密度的增加，电子元器件之间的电磁兼容性问题日益突出。因此，迫切需要引入电磁干扰(EMI)屏蔽材料来合理地抑制干扰，提高设备的可靠性。在一些应用场景中，除了要考虑电磁干扰屏蔽的需求外，还应考虑屏蔽膜的透光特性。例如，在系统级三维封装(SiP)中，叠层封装内部芯片之间的信号干扰应使用透明电磁屏蔽膜来隔离，从而不影响后续芯片的贴装和对准过程。此外，在航天领域的光学系统中，如光学窗口和电子显示器等，应使用透明电磁屏蔽膜来同时满足电磁屏蔽和光学可视的要求，使其信号检测和光学观测功能均能得到保证。
[0003]传统的电磁屏蔽复合材料大多不透明，而银纳米线(AgNWs)薄膜因其良好的导电性、高的透光率和易于制造的特点，被认为是最有前途的透明电磁干扰屏蔽材料。但银纳米线高昂的成本、较大的开发难度以及储量较低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米银线
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铜线梯度分布电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：步骤Step1，分别采用去离子水、无水乙醇洗涤基底材料，去除表面的污渍，之后超声振动；步骤Step2，把长度范围在1μm
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100μm、直径范围在40
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60nm且呈交替型梯度分布的纳米银线
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铜线配制成浓度为0.1
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5mg/mL的无水乙醇悬浮液，超声振荡，使其在溶剂中分散均匀；步骤Step3，将步骤Step1中的基底材料垂直固定于提拉机的工作手臂上，以浸渍速度为40
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80mm/min移动基底使其浸渍到步骤Step2中的悬浮液中，当基底材料完全浸在悬浮液中时，静置，基底材料开始以提升速度为80
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120mm/min离开悬浮液，完全脱离溶液后，自然干燥，将浸渍过程重复三次，之后真空干燥至恒重，得到纳米银线
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铜线梯度分布电磁屏蔽膜。2.根据权利要求1所述的一种纳米银线
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铜线梯度分布电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述梯度分布纳米银线
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铜线通过双槽电沉积方法和熔融法制备获得。3.根据权利要求2所述的一种纳米银线
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铜线梯度分布电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述双槽电沉积方法包括如下步骤：步骤Step1，将银的电沉积液倒入Ag电沉淀槽，让带有氧化铝膜的阴极在Ag电沉淀槽中沉淀银纳米线；步骤Step2，取出步骤Step1中氧化铝膜的纳米孔道中沉积有银纳米线的阴极，放入去离子水中浸泡清洗，将银的电沉积液清理干净；步骤Step3，将铜的电沉积液倒入Cu电沉淀槽，让步骤Step2中清洗之后的阴极在Cu电沉淀槽中沉淀铜纳米线；步骤Step4，取出步骤Step3中氧化铝膜的纳米孔道中沉积有银纳米线
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铜纳米线的阴极，放入去离子水中浸泡清洗，将铜的电沉积液清理干净；步骤Step4
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5，重复上述步骤Step1、步骤Step2、步骤Step3、步骤Step4的制备过程50
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【专利技术属性】
技术研发人员：甘李，李建军，向俊桥，周明，
申请(专利权)人：安徽烯宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：