一种背刷锡产品不良品返工处理方法技术

本发明专利技术提供了一种背刷锡产品不良品返工处理方法，所述方法包括：建立物理模型；获取每次磨平后的凸焊点当前高度和凸焊点当前磨平面半径；得到磨平函数；将所述不良凸焊点磨平至所述返工凸焊点高度，并根据所述磨平函数，得到对应的返工凸焊点磨平面半径；选取对应的返工钢网；将返工钢网套在磨平后的所述不良凸焊点上，并往返工钢网的开孔内倒入锡膏，将锡膏印刷在磨平后的所述不良凸焊点上并进行回流焊，以完成背刷锡产品不良品的返工，本发明专利技术通过物理磨平的方式完成不良品的返工，降低了产品电性不良风险的同时缩短了产品返工周期。产品电性不良风险的同时缩短了产品返工周期。产品电性不良风险的同时缩短了产品返工周期。

【技术实现步骤摘要】
一种背刷锡产品不良品返工处理方法


[0001]本专利技术属于倒装发光二极管的
，具体地涉及一种背刷锡产品不良品返工处理方法。

技术介绍

[0002]倒装芯片焊接(Flip Chip Bonding，缩写为FCB)是一种面阵列芯片互连技术，具有较高的互连性和互连强度。最初的方法是在倒装焊盘处预制钎料凸点，同时将钎料锡膏印刷到PCB基板焊盘上，然后通过固晶机，将上的单元芯片倒置，使单元芯片凸焊点与PCB基板对位，焊接，形成金属间化合物连接的芯片和PCB基板封装体，这种方法满足了微电子器件的小型化的要求，同时降低成本，为技术的开发开创了更大的空间。如今，随着工艺技术的不断改进与提高，FCB将成为封装技术中最先进的技术之一。
[0003]但由于钎料凸焊点的制作工艺复杂，回流焊后背刷锡产品上凸焊点容易出现不良和返工问题，而现有技术一般使用的是王水大返工，不仅使产品返工周期变长，而且返工后的芯片性能出现降低趋势。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种背刷锡产品不良品返工处理方法，用于解决现有技术中人工干预调整容易出错，且人力成本较高，效率较为低下的技术问题。
[0005]该专利技术提供以下技术方案，一种背刷锡产品不良品返工处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
[0006]步骤一、将背刷锡产品的凸焊点建立物理模型；
[0007]步骤二、自上而下每次以预设磨平厚度依次磨平所述凸焊点，并根据所述物理模型，获取每次磨平后的凸焊点当前高度和凸焊点当前磨平面半径；
[0008]步骤三、将每次磨平后的所述凸焊点当前高度和所述凸焊点当前磨平面半径进行二次函数拟合，以得到磨平函数；
[0009]步骤四、根据背刷锡产品不良品中不良凸焊点的情况，选取对应的磨平厚度，并计算所述不良凸焊点的返工凸焊点高度以及对应的返工凸焊点磨平面半径；
[0010]步骤五、根据所述返工凸焊点高度与所述返工凸焊点磨平面半径，选取对应的用于将所述凸焊点从返工凸焊点高度重新回到初始高度的返工钢网；
[0011]步骤六、将返工钢网套在磨平后的所述不良凸焊点上，并往返工钢网的开孔内倒入锡膏，将锡膏印刷在磨平后的所述不良凸焊点上并进行回流焊，以完成背刷锡产品不良品的返工。
[0012]相比现有技术，本申请的有益效果为：本申请通过建立所述凸焊点当前高度和所述凸焊点当前磨平面半径对应的磨平函数，并根据实际情况，确定磨平厚度以及返工凸焊点磨平面半径，以此选择对应的返工钢网并倒入锡膏进行回流焊，完成不良品的返工，本专利技术采用物理返工的方式完成背刷锡产品不良品的返工，降低产品电性不良风险的同时缩短
了返工周期，同时提高了回流焊后整片背刷锡产品的良率，为下游封装的焊接可靠性提供保障。
[0013]较佳的，所述步骤一包括：
[0014]选取若干背刷锡产品的凸焊点，根据若干所述凸焊点的外围轮廓将其拟合成半球形结构，并将该拟合后的半球形结构放入三维空间坐标系中，并将半球形结构的底面圆心与三维空间坐标系的原点重合，将半球形结构的高度方向与三维空间坐标系的Z轴平行，完成物理模型的建立。
[0015]较佳的，所述步骤二包括：
[0016]根据所述凸焊点的初始高度与预设磨平厚度的比值得到磨平次数n，自上而下每次以预设磨平厚度对所述凸焊点进行磨平，共计n次，每磨平一次便计算凸焊点当前高度，并将每次磨平后的凸焊点当前高度导入所述物理模型中，以得到每次磨平后的凸焊点当前磨平面半径。
[0017]较佳的，在所述步骤二中，通过磨平机台对凸焊点进行磨平，且所述磨平机台的砂轮转速为1200r/min～1800r/min。
[0018]较佳的，在所述步骤三中，所述磨平函数用于表征所述凸焊点当前高度和所述凸焊点当前磨平面半径之间的对应关系，且所述磨平函数的表达式为：y＝ax2+bx+c，式中，a、b、c均为常数，x为所述凸焊点当前磨平面半径，y为所述凸焊点当前高度。
[0019]较佳的，所述步骤四包括：
[0020]根据背刷锡产品不良品中不良凸焊点的情况，选取对应的磨平厚度H1，获取不良凸焊点的初始高度H2，并根据所述磨平厚度H1与所述初始高度H2计算所述不良凸焊点的返工凸焊点高度H3＝H2
‑
H1，通过磨平机台将所述不良凸焊点磨平至所述返工凸焊点高度，将所述返工凸焊点高度代入所述磨平函数中，以得到对应的返工凸焊点磨平面半径。
[0021]较佳的，在所述步骤五中，所述返工钢网的开孔的长宽等于所述返工凸焊点磨平面半径的两倍。
[0022]较佳的，在所述步骤五中，所述返工钢网的厚度大于所述不良凸焊点的初始高度。
[0023]较佳的，在所述步骤六中，所述将锡膏印刷在磨平后的所述不良凸焊点上并进行回流焊的步骤包括：
[0024]将锡膏送入预热区预热至40℃～150℃，再将其送入恒温区150℃～190℃下恒温60S～120S后，最后将其送入焊接区在230℃以上焊接30S～90S，焊接完成后，将其静置冷却预设时间后，完成背刷锡产品不良品的返工。
[0025]较佳的，在所述步骤六之后，所述方法还包括：
[0026]将返工后的背刷锡产品封装在支架上进行推力测试。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本专利技术第一实施例提供的背刷锡产品不良品返工处理方法的流程图；
[0029]图2为本专利技术第二实施例提供的背刷锡产品不良品返工处理方法的流程图。
[0030]以下将结合附图对本专利技术进行详细说明。
具体实施方式
[0031]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术的实施例，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0032]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0033]实施例一
[0034]在本专利技术的一个实施例中，如图1所示，一种背刷锡产品不良品返工处理方法，所述方法包括以下步骤：
[0035]步骤一、将背刷锡产品的凸焊点建立物理模型；
[0036]在本实施例中，选取若干背刷锡产品的凸焊点，根据若干所述凸焊点的外围轮廓将其拟合成半球形结构，并将该拟合后的半球形结构放入三维空间坐标系中，并将半球形结构的底面圆心与三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背刷锡产品不良品返工处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤一、将背刷锡产品的凸焊点建立物理模型；步骤二、自上而下每次以预设磨平厚度依次磨平所述凸焊点，并根据所述物理模型，获取每次磨平后的凸焊点当前高度和凸焊点当前磨平面半径；步骤三、将每次磨平后的所述凸焊点当前高度和所述凸焊点当前磨平面半径进行二次函数拟合，以得到磨平函数；步骤四、根据背刷锡产品不良品中不良凸焊点的情况，选取对应的磨平厚度，并计算所述不良凸焊点的返工凸焊点高度以及对应的返工凸焊点磨平面半径；步骤五、根据所述返工凸焊点高度与所述返工凸焊点磨平面半径，选取对应的用于将所述凸焊点从返工凸焊点高度重新回到初始高度的返工钢网；步骤六、将返工钢网套在磨平后的所述不良凸焊点上，并往返工钢网的开孔内倒入锡膏，将锡膏印刷在磨平后的所述不良凸焊点上并进行回流焊，以完成背刷锡产品不良品的返工。2.根据权利要求1所述的背刷锡产品不良品返工处理方法，其特征在于，所述步骤一包括：选取若干背刷锡产品的凸焊点，根据若干所述凸焊点的外围轮廓将其拟合成半球形结构，并将该拟合后的半球形结构放入三维空间坐标系中，并将半球形结构的底面圆心与三维空间坐标系的原点重合，将半球形结构的高度方向与三维空间坐标系的Z轴平行，完成物理模型的建立。3.根据权利要求2所述的背刷锡产品不良品返工处理方法，其特征在于，所述步骤二包括：根据所述凸焊点的初始高度与预设磨平厚度的比值得到磨平次数n，自上而下每次以预设磨平厚度对所述凸焊点进行磨平，共计n次，每磨平一次便计算凸焊点当前高度，并将每次磨平后的凸焊点当前高度导入所述物理模型中，以得到每次磨平后的凸焊点当前磨平面半径。4.根据权利要求3所述的背刷锡产品不良品返工处理方法，其特征在于，在所述步骤二中，通过磨平机台对凸焊点进行磨平，且所述磨平机台的砂轮转速为120...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨起，鲁洋，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：