射频连杆的冷却结构以及半导体器件的加工设备制造技术

本发明专利技术提供了一种射频连杆的冷却结构以及一种半导体器件的加工设备。所述射频连杆的冷却结构包括：导热基座，其中部设有通孔，所述射频连杆经由所述通孔穿过所述导热基座，以连接射频电路及晶圆托盘；导热陶瓷部，设于所述导热基座，用于实现所述射频连杆与所述导热基座之间的热传导及电隔离；以及导热连接部，其第一端连接所述射频连杆，而其第二端连接所述导热陶瓷部，用于将所述射频连杆的热量经由所述导热陶瓷部传导到所述导热基座。述导热陶瓷部传导到所述导热基座。述导热陶瓷部传导到所述导热基座。

【技术实现步骤摘要】
射频连杆的冷却结构以及半导体器件的加工设备


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种射频连杆的冷却结构以及一种半导体器件的加工设备。

技术介绍

[0002]在半导体加工领域中，射频连杆对于半导体的加工至为重要。本领域目前的射频连杆在高温应用环境以及高射频功率的电流作用下会发生氧化，增大了接触电阻。在静电卡盘的作用下，不能直接将连杆直接接地，因此不能直接通过导热金属接地，并且，当晶圆托盘作为功率电极时，不能直接接地。进一步地，当加热盘温度很高时，传导到连杆的热量会导致射频连杆温度较高，例如150
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250℃，并且射频连杆上的射频电流也会带来发热，随着功率的增大，其产生的热量也会增大，电流最可达50A甚至更高。进一步地，由于连接处存在接触电阻，其发热量Q＝I2*R将会更高。因此，现有技术中的射频连杆会在使用过程中会进一步地发热以及氧化，从而影响了半导体加工工艺的稳定性以及导致了连杆和连接器发黑、粘连。
[0003]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种射频连杆的冷却结构，用于在隔离射频的前提下导走本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频连杆的冷却结构，其特征在于，包括：导热基座，其中部设有通孔，所述射频连杆经由所述通孔穿过所述导热基座，以连接射频电路及晶圆托盘；导热陶瓷部，设于所述导热基座，用于实现所述射频连杆与所述导热基座之间的热传导及电隔离；以及导热连接部，其第一端连接所述射频连杆，而其第二端连接所述导热陶瓷部，用于将所述射频连杆的热量经由所述导热陶瓷部传导到所述导热基座。2.如权利要求1所述的冷却结构，其特征在于，还包括水冷系统，其中，所述水冷系统设于所述导热基座的内部，或者所述水冷系统设于所述导热基座的外部，并经由热传输的方式连接所述导热基座。3.如权利要求1所述的冷却结构，其特征在于，所述导热连接部包括导热带，其中，所述导热带的第一端以面接触的形式连接所述射频连杆，而其第二端以面接触的形式连接所述导热陶瓷部。4.如权利要求3所述的冷却结构，其特征在于，所述导热带的第一端经由第一导热介质连接所述射频连杆，而其第二端经由第二导热介质连接所述导热陶...

【专利技术属性】
技术研发人员：申思，张赛谦，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：