一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法技术

一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法，属于集成电路设计领域。CrSi电阻的形状由修调区和非修调区组成，非修调区贯通CrSi电阻的左端和右端，修调区位于非修调区的左端和右端之间，与非修调区一体化；仿真方法为：将CrSi电阻左端设为正极，右端设为负极，电流从电阻的左端流向右端；沿平行于电流方向，切除电阻修调区域的部分区域，进行激光修调；按照设定的步进间隔依次减少电阻修调区域垂直于电流方向的长度，每次步进均仿真出结果；遍历从初始值到目标值的多个阻值；对电阻按设定值进行精确修调。解决了集成电路中CrSi薄膜电阻的阻值精度难以控制，最终目标值难以确定的问题。本发明专利技术可广泛应用于需要精确控制电阻阻值的场合。可广泛应用于需要精确控制电阻阻值的场合。可广泛应用于需要精确控制电阻阻值的场合。

【技术实现步骤摘要】
一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法


[0001]本专利技术属于集成电路设计领域，进一步来说涉及集成电路薄膜电阻领域，具体来说，涉及一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法。

技术介绍

[0002]CrSi电阻具有温度系数低,阻值一致性高,寄生电容小,漏电小等优点,成为组成高精度集成电路或模块电路精密电阻网络的基础。同时电阻的分压功能在模拟电路中应用广泛，一些电路对电压、电流的精度要求很高，但是CrSi电阻在实际集成电路制造过程中极易受到工艺参数的微小变化带来的影响，单纯利用流片工艺来实现阻值的精确控制难度较高，精度常常不能满足要求，使得电路性能不符合指标，这时就需要对CrSi电阻进行调阻。在现有调阻技术中，激光调阻技术是最优异的阻值调整方法，与其他调阻技术相比，激光调阻具有精度高、速度快和效率高等优点。如在高精度电压基准芯片中，在最坏情况SS工艺角下，输出电压温漂CTAT电压占比较大，需要对电阻进行激光修调，控制CrSi电阻的阻值准确落在某一个值上，同时由于存在其他电阻的影响，目标电阻的最终目标值不确定。
[0003]有鉴于此，特提出本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CrSi电阻的激光修调仿真方法，其特征在于：所述CrSi电阻的形状由修调区和非修调区组成，非修调区贯通CrSi电阻的左端和右端，修调区位于非修调区的左端和右端之间，与非修调区一体化；所述CrSi电阻的激光修调仿真方法为：(1)将CrSi电阻左端设为正极，右端设为负极，电流从电阻的左端流向右端；(2)沿平行于电流方向，切除电阻修调区域的部分区域，进行激光修调；(3)按照设定的步进间隔依次减少电阻修调区域垂直于电流方向的长...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘贤鹏，尹灿，潘琴，陈媛，万启波，任春桥，陆章相，邓智杰，莫景勇，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：