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一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法,属于集成电路设计领域。CrSi电阻的形状由修调区和非修调区组成,非修调区贯通CrSi电阻的左端和右端,修调区位于非修调区的左端和右端之间,与非修调区一体化;仿真方法为:将CrSi电阻左端设为正极,右端设...该专利属于贵州振华风光半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过贵州振华风光半导体股份有限公司授权不得商用。
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一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法,属于集成电路设计领域。CrSi电阻的形状由修调区和非修调区组成,非修调区贯通CrSi电阻的左端和右端,修调区位于非修调区的左端和右端之间,与非修调区一体化;仿真方法为:将CrSi电阻左端设为正极,右端设...