【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜和半导体晶片的背面磨削方法
[0001]本专利技术涉及将半导体晶片的形成有电路的面吸附于固定件时用于保护该电路的保护膜、和使用了该保护膜的半导体晶片的背面磨削方法。
技术介绍
[0002]在制造半导体部件时，对于半导体晶片，在表面侧形成电路等后实施磨削背面侧的加工而进行薄层化。在将该背面侧进行磨削的背面磨削方法中，半导体晶片110在形成有电路等的表面111粘贴保护膜130(参照图9)。半导体晶片110的表面111经由该保护膜130而被吸附于固定件141。并且，保护膜130通过被覆电路等而进行保护。
[0003]作为与上述保护膜和背面磨削方法相关的技术，公开了专利文献1。专利文献1具备下述切削步骤(修整加工)：对于在表面形成有膜层、且在外周侧面形成有倒棱部的半导体晶片，在使切削刀从半导体晶片的表面切入至外周缘的同时使半导体晶片旋转，由此至少将倒棱部上的膜层圆形地切削除去。
[0004]实施了该修整加工的半导体晶片110在表面111的外周缘具有台阶113。因此，考虑该台阶113而设计吸附半导体晶片110的固
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种保护膜，其特征在于，为在将半导体晶片的形成有电路的面吸附于固定件的状态下对该半导体晶片的背面进行磨削时，保护所述形成有电路的面的保护膜，具有粘着剂层、基材层和辅助层，所述粘着剂层是粘贴于所述半导体晶片的层，所述辅助层是与所述固定件接触的层，所述半导体晶片在所述形成有电路的面的外周缘具有台阶。2.根据权利要求1所述的保护膜，所述辅助层是温度25℃以上且35℃以下的拉伸弹性模量为10MPa以上且200MPa以下的层。3.根据权利要求1或2所述的保护膜，所述辅助层包含选自由乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体组成的组中的一种或两种以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的保护膜，所述辅助层的厚度为100μm以上且500μm以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的保护膜，所述基材层是温度25℃以上且35℃以下的拉伸弹性模量为5000MPa以下的层。6.根据权利要求1至5中任一项所述的保护膜，所述基材层包含选自由聚酯、聚酰胺组成的组中的一种或两种以上。7.根据权利要求1至6中任一项所述的保护膜，所述基材层的厚度为10μm以上且200μm以下。8.一种半导体晶片的背面磨削方法，其特征在于，具备如下工序：粘贴工序，在半导体晶片的形成有电路的面粘贴保护膜；吸附工序，使所述保护膜介于所述半导体晶片与吸附该半导体晶片的固定...
【专利技术属性】
技术研发人员：林下英司，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：
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