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本发明提供一种能够抑制吸附不良的发生的保护膜和半导体晶片的背面磨削方法。保护膜(30)为在将半导体晶片(10)的形成有电路的面(11)吸附于固定件(41)的状态下对半导体晶片(10)的背面(12)进行磨削时保护面(11)的膜。保护膜(30)...
该专利属于三井化学东赛璐株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三井化学东赛璐株式会社授权不得商用。

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