改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法技术

本发明专利技术涉及一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法，其中在一个处理步骤中以对所述硅太阳能电池施加预置电压且进行照射的方式通过感应产生就所述处理局部而言电流密度为200A/cm2至20000A/cm2的处理电流。本发明专利技术的目的是，对改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法进行改善。特别是应在实施所述方法时实现对所述方法所实现的改善的量化。此外，应在实施所述方法时识别出因使用不利的方法参数而造成的可能的损伤。本发明专利技术用以达成上述目的的解决方案为，在所述处理步骤之前和/或之后实施测量步骤，在所述测量步骤中，通过照射所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧并且施加预置电压来通过感应产生电流强度为1mA/cm2至500mA/cm2的测量电流，以及，用电流表检测所述测量电流的电流强度，并且与所述相应测量局部对应地存储。对应地存储。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法
[0001]本专利技术涉及一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法，其中在一个处理步骤中用电压源和与所述电压源连接的接触装置在所述硅太阳能电池的接触格与背触点之间施加一个反向于所述硅太阳能电池的正向的小于所述硅太阳能电池的击穿电压的电压，以及，当施加所述电压时，在所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧的范围内对点光源进行导引，以及，在此过程中对所述面向太阳的一侧的分区的处理局部进行照射，从而在所述相应分区内通过感应产生处理电流，以及，所述处理电流就所述处理局部而言具有200A/cm2至20000A/cm2的电流密度且为时10ns至10ms地作用于所述分区。
[0002]在晶体硅太阳能电池的制造过程中，以丝网印刷法将金属膏施覆至涂布有介电的氮化硅的、形式为接触格的前端。针对硅太阳能电池的位于氮化硅层下方的发射极层的接触，在施覆金属膏后在800
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900℃下实施回火步骤。其中，在金属膏中所含有的玻璃粉的协助下，金属膏的银穿过氮化硅层扩散进入发射极层。其中，回火步骤期间的过程控制对接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法，其中在一个处理步骤中用电压源和与所述电压源连接的接触装置在所述硅太阳能电池的接触格与背触点之间施加一个反向于所述硅太阳能电池的正向的小于所述硅太阳能电池的击穿电压的电压，以及，当施加所述电压时，在所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧的范围内对点光源进行导引，以及，在此过程中对所述面向太阳的一侧的分区的处理局部进行照射，从而在所述相应分区内通过感应产生处理电流，以及，所述处理电流就所述处理局部而言具有200A/cm2至20000A/cm2的电流密度且为时10ns至10ms地作用于所述分区，其特征在于，在所述处理步骤之前和/或之后实施测量步骤，在所述测量步骤中，用所述电压源和所述接触装置在所述接触格与所述背触点之间施加一个电压，以及，当施加所述电压时，用所述点光源照射所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧的分区的测量局部，从而在所述相应分区内通过感应产生测量电流，所述测量电流就所述测量局部而言具有1mA/cm2至500mA/cm2的电流密度，以及，用电流表检测所述测量电流的电流强度，并且与所述相应测量局部对应地存储。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤期间，针对所述被照射的处理局部的至少一部分，用电流表检测所述处理电流的电流强度，并且与所述相应处理局部对应地存储。3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量步骤中所施加的电压反向于所述硅太阳能电池的正向且小于所述硅太阳能电池的击穿电压，或者，所述测量步骤中所施加的所述电压沿所述硅太阳能电池的正向定向。4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量电流的在所述测量步骤中对应于某个测量局部的电流强度用作在所述测量步骤之后的处理步骤中照射所述处理局部中的至少一个时设定所述点光源的照射强度和/或所述照射的作用时间和/或反向于所述硅太阳能电池的正向的电压的水平的调节变量。5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，由所述测量局部中的一个的在所述处理步骤上游的测量步骤中检测到的电流强度以及所述测量局部的在所述处理步骤下游的测量步骤中检测到的电流强度确定变化，并且与所述相应测量局部对应地存储所述变化。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电流强度的对应于某个测量局部的变化用作另一处理步骤的在照射所述处理局部中的至少一个时设定所述点光源的照射强度和/或所述照射的作用时间和/或反向于所述硅太阳能电池的正向的电压的水平的调节变量。7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤中对应于某个处理局部的所述电流强度用作照射所述处理步骤的后一处理局部时设定所述点光源的照射强度和/或所述照射的作用时间和/或反向于所述硅太阳能电池的正向的电压的水平的调节变量。8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤中，当照射所述处理局部中的一个时，用电流表检测第一电流强度，随后检测第二电流强度，并且与所述处理局部对应地存储所述两个电流强度。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，由所述第一和所述第二电流强度确定电流强度梯度，并且与所述处理局部对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宏明，S，
申请(专利权)人：CE面板工程有限公司，
类型：发明
国别省市：