一种铌酸锂超构表面的制备方法技术

本申请提供一种铌酸锂超构表面的制备方法，通过在铌酸锂基材上沉积金属膜，作为聚焦离子束图形化和干法刻蚀中的掩膜，防止铌酸锂光栅结构顶端椭圆化；通过聚焦离子束图形化金属膜及铌酸锂基材，从而形成图形化的金属膜和图形化的铌酸锂基材，降低了工艺复杂性及工艺难度；通过干法刻蚀对图形化的铌酸锂基材去损，实现去除聚焦离子束图形化铌酸锂基材导致的铌酸锂光栅结构表层污染及非晶化；湿法去除图形化的金属膜，最终得到高光学质量的铌酸锂光栅。光栅。光栅。

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂超构表面的制备方法


[0001]本专利技术涉及微纳结构加工领域，尤其涉及一种铌酸锂超构表面的制备方法。

技术介绍

[0002]铌酸锂(LiNbO3，LN)集压电、倍频、电光和光折变等特性于一身，由于其优越的功能性质和商业可用性，是光子产业中的关键材料。这些特性为利用LN作为多用途衬底制造集成光学器件提供了机会，如电光、声光调制器和开关，衍射光栅和非线性光学频率转换器等。随着微纳技术的发展，近年来铌酸锂微纳结构中新型光学效应的研究，已经成为国际上竞相争夺的前沿热点之一。
[0003]目前，铌酸锂微纳结构加工有两大技术路线：
[0004]1.利用电子束曝光(Electron Beam Lithography，EBL)加工高精度掩模，等离子体干法刻蚀(Plasma Etching，PE)实现铌酸锂图形化；
[0005]2.无掩模聚焦离子束(Focused Ion Beam，FIB)直接加工铌酸锂；
[0006]EBL是由高能电子束与电子束胶相互作用，经过显影，曝光(负性电子束胶)或未曝光(正性电子束胶)的区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂超构表面的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在铌酸锂基材上沉积金属膜；聚焦离子束图形化所述金属膜及所述铌酸锂基材，从而形成图形化的金属膜和图形化的铌酸锂基材；通过干法刻蚀对所述图形化的铌酸锂基材去损；湿法去除所述图形化的金属膜。2.根据权利要求1所述的铌酸锂超构表面的制备方法，其特征在于，所述在铌酸锂基材上沉积金属膜的步骤包括：在铌酸锂基材表面溅射铬膜。3.根据权利要求2所述的铌酸锂超构表面的制备方法，其特征在于，所述铬膜的厚度范围为20nm
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180nm；所述铌酸锂基材包括绝缘层以及设置于所述绝缘层上的铌酸锂膜；所述铌酸锂膜的厚度范围为100nm
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900nm。4.根据权利要求3所述的铌酸锂超构表面的制备方法，其特征在于，所述铬膜与所述铌酸锂膜的厚度比例范围为1:4
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1:6。5.根据权利要求1所述的铌酸锂超构表面的制备方法，其特征在于，所述通过干法刻蚀对所述图形化的铌酸锂基材去损的步骤在所述湿法去除所述图形化的金属膜之前进行，并采用所述图形化的金属膜为所述干法刻蚀的掩膜。6.根据权利要求5所述的铌酸锂超构表面的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀的方法为电感耦合等离子体刻蚀(IC...

【专利技术属性】
技术研发人员：任梦昕，靳春艳，兀伟，曹雷，蔡卫，张心正，许京军，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：