光电二极管光接收窗口的形成方法及一种沟槽形成方法技术

本发明专利技术涉及一种光电二极管光接收窗口的形成方法及一种沟槽形成方法，所述光电二极管光接收窗口的形成方法包括：在衬底上形成第一介质层；在第一介质层上形成金属层；对金属层进行图案化处理，得到第一金属层，第一金属层在平面上将光接收窗口区域完全覆盖；在第一金属层上形成第二介质层；对第二介质层进行光刻及第一刻蚀；对所述第一金属层进行第二刻蚀；对第一介质层进行第三刻蚀；在光接收窗口区域，第一、第二及第三刻蚀形成的空间连通在一起从而将衬底的光接收窗口露出。本发明专利技术的光接收窗口刻蚀可以获得较佳的片内均匀性，因此晶圆上不同尺寸与位置的光电器件光电流稳定，光电IC电路良率提升。电IC电路良率提升。电IC电路良率提升。

【技术实现步骤摘要】
光电二极管光接收窗口的形成方法及一种沟槽形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种光电二极管光接收窗口的形成方法。

技术介绍

[0002]随着社会的发展与进步，半导体器件在各行各业拥有广阔的应用前景，大量的新产品被引入，这些新产品的引入需要新工艺新技术的开发。在智能自动化领域，使用大量光控传感器件，例如光电传感器，光敏器件等，其核心为可实现光电转换的光电二极管。在商业化生产中，需将该光电二极管器件集成于逻辑电路之中，这就需要与逻辑生产工艺相匹配新工艺的开发，该工艺的成功开发是实现商业化生产的关键。光电管的关键工艺——光接收窗口(接收光照射到光电管区的窗口)的刻蚀，采用深槽刻蚀工艺，刻蚀后产品片内均匀性较差，光电流变化范围大，良率与可靠性较低，为实现商业化生产，光接收窗口刻蚀工艺亟待优化。
[0003]示例性的光接收窗口的刻蚀将依次刻穿逻辑存储电路的钝化层与金属间介质层等多层膜层结构，停于光电管表面，为深度几微米到十几微米的深槽(由逻辑区后段金属层数决定)。示例性的深槽刻蚀工艺片内均匀性5％，在后段三层金属的工艺中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管光接收窗口的形成方法，包括：在衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成金属层；对所述金属层进行图案化处理，得到第一金属层，所述第一金属层在平面上将光接收窗口区域完全覆盖；在所述第一金属层上形成第二介质层；对所述第二介质层进行光刻及第一刻蚀，所述第一金属层作为第一刻蚀的刻蚀停止层；对所述第一金属层进行第二刻蚀，所述第一介质层作为第二刻蚀的刻蚀停止层；对所述第一介质层进行第三刻蚀，所述衬底作为第三刻蚀的刻蚀停止层；在所述光接收窗口区域，所述第一刻蚀、第二刻蚀及第三刻蚀形成的空间连通在一起从而将所述衬底的光接收窗口露出。2.根据权利要求1所述的光电二极管光接收窗口的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀采用对所述第二介质层和所述第一金属层具有高刻蚀选择比的刻蚀剂；所述第二刻蚀采用对所述第一金属层和所述第一介质层具有高刻蚀选择比的刻蚀剂；所述第三刻蚀采用对所述第一介质层和衬底具有高刻蚀选择比的刻蚀剂。3.根据权利要求1所述的光电二极管光接收窗口的形成方法，其特征在于，所述对所述金属层进行图案化处理的步骤，是通过光刻和刻蚀得到所述第一金属层，且光刻使用的光刻版对应的覆盖所述光接收窗口区域的图形的边缘超出所述对各所述金属间介质层进行光刻和刻蚀的步骤使用的光刻版对应的光接收窗口的图形0.3～5微米。4.根据权利要求3所述的光电二极管光接收窗口的形成方法，其特征在于，所述超出的尺寸为1.5微米。5.根据权利要求1所述的光电二极管光接收窗口的形成方法，其特征在于，所述第一介质层是层间介质层。6.根据权利要求5所述的光电二极管光接收窗口的形成方法，其特征在于，所述在衬底上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：马凤麟，金兴成，杨晓芳，贝帮坤，
申请(专利权)人：无锡华润微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：